Invention Publication
- Patent Title: 半导体装置
- Patent Title (English): SEMICONDUCTOR DEVICE
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Application No.: CN201810745539.8Application Date: 2013-09-06
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Publication No.: CN108806632APublication Date: 2018-11-13
- Inventor: 梅崎敦司
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川县厚木市
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川县厚木市
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 李啸; 陈岚
- Priority: 2012-197224 20120907 JP
- Main IPC: G09G3/36
- IPC: G09G3/36 ; G11C19/28 ; H01L27/12

Abstract:
本发明提供一种半导体装置,该半导体装置能够抑制晶体管的特性变化并能够急剧改变输出信号,而不增加晶体管的W/L。在被供应低电位的布线与输出端子之间设置并联连接的两个晶体管。在从输出端子输出低电位的情况下,先使两个晶体管都处于导通状态,然后使其中一个晶体管处于截止状态。由此,够抑制晶体管的特性变化,并能够急剧改变输出信号,而不增加晶体管的W/L。
Public/Granted literature
- CN108806632B 半导体装置 Public/Granted day:2021-06-15
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IPC分类: