公开(公告)号：CN110310995A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910221349.0

申请日：2019-03-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 渡部敦 ,  上田博之 ,  森朋彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括n型第一漂移层、设置在所述第一漂移层的顶部的i型或n型耐压层、设置在所述耐压层的顶部的p型主体层、设置在所述第一漂移层的顶部并且与所述耐压层和所述主体层的侧表面接触的n型第二漂移层、设置在所述主体层的顶部并且通过所述主体层而隔离于所述第一漂移层、所述第二漂移层和所述耐压层的n型源极层、以及通过栅极绝缘膜面对所述主体层的栅电极，所述主体层位于所述第二漂移层与所述源极层之间。所述耐压层由具有大于所述第一漂移层的带隙的带隙的材料制成。

公开(公告)号：CN108470767A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810123384.4

申请日：2018-02-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 渡部敦 ,  上田博之 ,  森朋彦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/20

Abstract: 一种氮化物半导体器件，具备半导体衬底、源电极、漏电极以及隔着栅极绝缘膜设置于半导体衬底上的栅电极。半导体衬底具有由GaN构成的第一部分以及由AlxGa(1-X)N(0＜x≤1)构成的第二部分。第一部分具有：n型源区，与源电极接触；n型漏区，与漏电极接触；p型体区，介于源区与漏区之间并且与源电极接触；以及n型漂移区，介于体区与漏区之间并且载流子浓度低于漏区。第二部分具有势垒区，该势垒区与源电极、体区以及漂移区分别接触。

公开(公告)号：CN108242399A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711351298.0

申请日：2017-12-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山田哲也 ,  上田博之 ,  森朋彦

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种开关元件的制造方法，包括如下工序：在第一n型半导体层向表面露出的GaN半导体基板的所述表面形成凹部；使p型的体层在所述凹部内和所述GaN半导体基板的所述表面生长；将所述体层的表层部除去，使所述第一n型半导体层向所述GaN半导体基板的所述表面露出并且使所述体层残留在所述凹部内；形成通过所述体层而从所述第一n型半导体层分离并且向所述GaN半导体基板的所述表面露出的第二n型半导体层；及形成隔着绝缘膜与所述体层对向的栅电极。

公开(公告)号：CN107871783A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710822062.4

申请日：2017-09-13

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 富田英干 ,  兼近将一 ,  上田博之 ,  森朋彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66916 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7832 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，在具备纵型漂移区域(即，JFET区域)的半导体装置中，改善耐压与接通电阻之间存在的此消彼长的关系。半导体装置(1)具备在氮化物半导体层(20)的表面上的一部分设置的异质接合区域(42)。异质接合区域(42)与纵型漂移区域(21b)向氮化物半导体层(20)的表面露出的范围的至少一部分接触，且具有比纵型漂移区域(21b)宽的带隙。在异质接合区域(42)与纵型漂移区域(21b)之间的异质接合界面形成二维电子气体，接通电阻下降。

公开(公告)号：CN107919384A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710924364.2

申请日：2017-09-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 川上昌宏 ,  森朋彦 ,  上田博之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及半导体器件。所述半导体器件包括阱外n型区、被阱外n型区包围的p型阱区、阱内n型区和栅极。阱外n型区包括与p型阱区接触的杂质低浓度区和通过杂质低浓度区与p型阱区分开的杂质高浓度区。

公开(公告)号：CN109638076A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811150563.3

申请日：2018-09-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 富田英干 ,  上田博之 ,  森朋彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66969

Abstract: 一种氮化物半导体装置，包括氮化物半导体层、栅绝缘膜、源电极、漏电极以及栅电极。所述氮化物半导体层包括第一体层、第二体层、漂移层、第一源层以及第二源层。所述漂移层包括：第一漂移层，其从与所述第一体层的底面接触的位置延伸到与所述第二体层的底面接触的位置；以及电场缓和层，其与所述第一体层的侧面的下端部以及所述第二体层的侧面的下端部接触，并与所述第一漂移层接触，并且具有低于所述第一漂移层的第二导电型杂质浓度。

公开(公告)号：CN110828572A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910724248.5

申请日：2019-08-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 富田英幹 ,  森朋彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/207 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。需要抑制漂移区域、JFET区域、以及主体区域这3个区域相接的部分中的绝缘破坏的技术。半导体装置具备半导体层、设置于半导体层的一方的主面上的源电极、设置于半导体层的另一方的主面上的漏电极、以及绝缘栅部，半导体层具有：第1导电类型的漂移区域；第1导电类型的JFET区域，设置于漂移区域上；第2导电类型的主体区域，设置于漂移区域上且与JFET区域邻接；以及第1导电类型的源区域，通过主体区域从JFET区域隔开，绝缘栅部和隔开JFET区域与源区域的部分的主体区域相向，在半导体层内形成有空隙，漂移区域、JFET区域、以及主体区域在空隙露出。

公开(公告)号：CN108321204A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201711384307.6

申请日：2017-12-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山田哲也 ,  大川峰司 ,  森朋彦 ,  上田博之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供开关元件及开关元件的制造方法，开关元件具备：半导体基板，具有第一n型半导体层、由外延层构成的p型的体层、通过体层而与第一n型半导体层分离的第二n型半导体层；栅极绝缘膜，覆盖跨及第一n型半导体层的表面、体层的表面及第二n型半导体层的表面的范围；及栅电极，隔着栅极绝缘膜而与体层相向。第一n型半导体层与体层的界面具有倾斜面。倾斜面以随着沿横向远离体层的端部而体层的深度变深的方式倾斜。倾斜面配置在栅电极的下部。