公开(公告)号：CN108242399A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711351298.0

申请日：2017-12-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山田哲也 ,  上田博之 ,  森朋彦

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种开关元件的制造方法，包括如下工序：在第一n型半导体层向表面露出的GaN半导体基板的所述表面形成凹部；使p型的体层在所述凹部内和所述GaN半导体基板的所述表面生长；将所述体层的表层部除去，使所述第一n型半导体层向所述GaN半导体基板的所述表面露出并且使所述体层残留在所述凹部内；形成通过所述体层而从所述第一n型半导体层分离并且向所述GaN半导体基板的所述表面露出的第二n型半导体层；及形成隔着绝缘膜与所述体层对向的栅电极。

公开(公告)号：CN107871783A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710822062.4

申请日：2017-09-13

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 富田英干 ,  兼近将一 ,  上田博之 ,  森朋彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66916 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7832 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，在具备纵型漂移区域(即，JFET区域)的半导体装置中，改善耐压与接通电阻之间存在的此消彼长的关系。半导体装置(1)具备在氮化物半导体层(20)的表面上的一部分设置的异质接合区域(42)。异质接合区域(42)与纵型漂移区域(21b)向氮化物半导体层(20)的表面露出的范围的至少一部分接触，且具有比纵型漂移区域(21b)宽的带隙。在异质接合区域(42)与纵型漂移区域(21b)之间的异质接合界面形成二维电子气体，接通电阻下降。

公开(公告)号：CN101180734B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680018146.2

申请日：2006-05-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  加地彻 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7832

Abstract: 本发明旨在抑制III-V族化合物半导体的半导体区中包含的p型杂质(一般为镁)扩散到邻接的其它半导体区中。本发明的半导体器件(10)包括：由氮化镓(GaN)制成的第一半导体区(28)，具有包含镁的p型杂质；由氮化镓制成的第二半导体区(34)；以及由氧化硅(SiO2)制成的杂质扩散抑制层(32)，其位于第一半导体区(28)和第二半导体区(34)之间。

公开(公告)号：CN100550415C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200580039042.5

申请日：2005-11-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅 ,  加地徹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/812 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808 ,  H01L29/80 ,  H01L29/861 ,  H01L29/08 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/8122

Abstract: 一种半导体器件，其具有漏极22、半导体基板32、覆盖半导体基板32的表面的一部分并且在半导体基板32的表面上留下非覆盖表面55的电流调节层42、覆盖电流调节层42表面的半导体层50，以及形成在半导体层50表面的源极62。漂移区56、通道形成区54和源区52形成在半导体层50内。漏极22连接到电源的第一端子，并且源极62连接到电源的第二端子。根据该半导体器件50，可以增加耐受电压或者减少漏电的发生。

公开(公告)号：CN101180734A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200680018146.2

申请日：2006-05-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  加地彻 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7832

Abstract: 本发明旨在抑制III－V族化合物半导体的半导体区中包含的p型杂质(一般为镁)扩散到邻接的其它半导体区中。本发明的半导体器件(10)包括：由氮化镓(GaN)制成的第一半导体区(28)，具有包含镁的p型杂质；由氮化镓制成的第二半导体区(34)；以及由氧化硅(SiO2)制成的杂质扩散抑制层(32)，其位于第一半导体区(28)和第二半导体区(34)之间。

公开(公告)号：CN110310995A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910221349.0

申请日：2019-03-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 渡部敦 ,  上田博之 ,  森朋彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括n型第一漂移层、设置在所述第一漂移层的顶部的i型或n型耐压层、设置在所述耐压层的顶部的p型主体层、设置在所述第一漂移层的顶部并且与所述耐压层和所述主体层的侧表面接触的n型第二漂移层、设置在所述主体层的顶部并且通过所述主体层而隔离于所述第一漂移层、所述第二漂移层和所述耐压层的n型源极层、以及通过栅极绝缘膜面对所述主体层的栅电极，所述主体层位于所述第二漂移层与所述源极层之间。所述耐压层由具有大于所述第一漂移层的带隙的带隙的材料制成。

公开(公告)号：CN108470767A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810123384.4

申请日：2018-02-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 渡部敦 ,  上田博之 ,  森朋彦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/20

Abstract: 一种氮化物半导体器件，具备半导体衬底、源电极、漏电极以及隔着栅极绝缘膜设置于半导体衬底上的栅电极。半导体衬底具有由GaN构成的第一部分以及由AlxGa(1-X)N(0＜x≤1)构成的第二部分。第一部分具有：n型源区，与源电极接触；n型漏区，与漏电极接触；p型体区，介于源区与漏区之间并且与源电极接触；以及n型漂移区，介于体区与漏区之间并且载流子浓度低于漏区。第二部分具有势垒区，该势垒区与源电极、体区以及漂移区分别接触。

公开(公告)号：CN105593979A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480053831.3

申请日：2014-09-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 富田英幹 ,  兼近将一 ,  桑原诚 ,  上田博之

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L27/098 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7788

Abstract: 半导体装置具备：第一化合物半导体层；第二化合物半导体层，其与第一化合物半导体层相比带隙较大；p型的第三化合物半导体层，其被设置在第二化合物半导体层上的一部分处；p型的第四化合物半导体层，其被设置在第三化合物半导体层上，并且与第三化合物半导体层相比为高电阻；栅电极，其被设置在第四化合物半导体层上。

公开(公告)号：CN105322008A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510446730.9

申请日：2015-07-27

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 兼近将一 ,  上田博之 ,  富田英干

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。HEMT和SBD两者形成在氮化物半导体衬底上。氮化物半导体衬底包括HEMT栅结构区和阳极电极区。第一层叠结构至少形成在HEMT栅结构区中，且包括第一至第三氮化物半导体层。至少在阳极电极区的一部分中形成第二层叠结构，且包括第一和第二氮化物半导体层。阳极电极接触第二氮化物半导体层的正面。至少在其中第二氮化物半导体层的正面接触阳极电极的接触区中，第二氮化物半导体层的正面被精加工成第二氮化物半导体层与阳极电极形成肖特基结的表面。

公开(公告)号：CN109638076A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811150563.3

申请日：2018-09-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 富田英干 ,  上田博之 ,  森朋彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66969

Abstract: 一种氮化物半导体装置，包括氮化物半导体层、栅绝缘膜、源电极、漏电极以及栅电极。所述氮化物半导体层包括第一体层、第二体层、漂移层、第一源层以及第二源层。所述漂移层包括：第一漂移层，其从与所述第一体层的底面接触的位置延伸到与所述第二体层的底面接触的位置；以及电场缓和层，其与所述第一体层的侧面的下端部以及所述第二体层的侧面的下端部接触，并与所述第一漂移层接触，并且具有低于所述第一漂移层的第二导电型杂质浓度。