公开(公告)号：CN108699726A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014638.2

申请日：2017-01-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 杉山尚宏

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/205 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其具有SiC基板(1)及外延膜(2)，其中，使外延膜(2)的氢浓度相对于SiC基板(1)的氢浓度的浓度比成为0.2～5、优选0.5～2。由此，能够制成可抑制外延膜(2)与SiC基板(1)的边界位置处的氢的扩散、可抑制氢浓度的下降的半导体基板。因此，能够谋求使用半导体基板而形成的SiC半导体器件、例如pn二极管等双极器件的特性的提高。

公开(公告)号：CN108474136A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780007532.X

申请日：2017-01-18

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工硬质合金株式会社

Inventor： 野原拓也 ,  辰巳夏生 ,  西林良树 ,  角谷均 ,  小林丰 ,  植田晓彦

IPC: C30B29/04 ,  A44C27/00 ,  C01B32/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/27 ,  C30B25/08 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: A44C27/00 ,  C01B32/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/27 ,  C30B25/08 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种制造单晶金刚石的方法、所述方法包括如下步骤：在辅助板的至少一部分表面上形成保护膜的步骤；准备金刚石籽晶衬底的步骤；将具有保护膜的辅助板和金刚石籽晶衬底布置在腔室内的步骤，在所述具有保护膜的辅助板中所述保护膜形成在所述辅助板上；以及在将含碳气体引入所述腔室内的同时通过化学气相沉积法在所述金刚石籽晶衬底的主面上生长单晶金刚石的步骤。

公开(公告)号：CN108400157A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810104358.7

申请日：2018-02-02

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金泽大学

Inventor： 野口仁 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  山崎聪 ,  德田规夫

IPC: H01L29/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B25/20 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/272 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02617

Abstract: 本发明的目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于所述方法的衬底基板，其对于减低包含位错缺陷等的各种缺陷是有效的。上述衬底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜的衬底基板，其特征在于：前述衬底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。

公开(公告)号：CN107130294A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710106146.8

申请日：2017-02-24

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金沢大学

Inventor： 野口仁 ,  白井省三 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  桑原大辅 ,  山崎聪 ,  竹内大辅 ,  徳田规夫 ,  猪熊孝夫 ,  松本翼

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04

CPC classification number: C30B25/04 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02085 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/1602 ,  C30B25/02

Abstract: 提供一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法，以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板。所述金刚石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的金刚石设置的第一工序，从第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中使金刚石形成的第二工序，上述第一工序设置的图案状的金刚石去除，第二工序形成的金刚石构成的图案状的金刚石形成的第三工序，从第三工序形成的图案状的金刚石使金刚石成长以及第三工序形成的图案状的金刚石中的图案间隙中金刚石形成的第四工序。

公开(公告)号：CN107002282A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201680003678.2

申请日：2016-02-16

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  伊藤涉 ,  藤本辰雄

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/16 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C23C16/029 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/16 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供浅坑的深度小并且具有高品质碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶晶片及其制造方法。本发明的外延碳化硅单晶晶片通过下述步骤来制造：使上述硅系以及碳系的材料气体中的碳与硅的原子数比(C/Si比)为0.5以上且1.0以下，形成由厚度为1μm以上且10μm以下的碳化硅外延膜制成的缓冲层，然后，以每小时15μm以上且100μm以下的生长速度形成由碳化硅外延膜制成的漂移层。根据本发明，可以使在上述漂移层的表面观察到的浅坑的深度为30nm以下。

公开(公告)号：CN106661758A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580042702.9

申请日：2015-08-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  辰巳夏生 ,  角谷均 ,  仲前一男

IPC: C30B29/04 ,  C01B32/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/56

CPC classification number: C30B25/186 ,  C01B31/06 ,  C01B32/25 ,  C23C14/48 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/27 ,  C23C16/56 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  C30B31/22 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06

Abstract: 本发明提供：一种制造金刚石的方法，所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦；一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石；和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。一种通过气相合成法制造金刚石的方法，其包括如下步骤：准备包含金刚石籽晶的基板；通过对所述基板实施离子注入而在自所述基板的主表面起算的预定深度处形成透光性比所述基板低的光吸收层；通过所述气相合成法在所述基板的所述主表面上生长金刚石层；和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎，从而将所述金刚石层与所述基板分离。

公开(公告)号：CN104584191B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201380040947.9

申请日：2013-07-24

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 楢原和宏 ,  增田纯久

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/16 ,  Y10T428/24488

Abstract: [课题]提供一种周边部的平坦度高的外延硅晶片的制造方法以及由此得到的外延硅晶片。[解决方法]一种外延硅晶片的制造方法，其特征在于，在硅晶片2的顶面23上形成外延层3，所述硅晶片2的顶面23的面取向为（100）面或（110）面，顶面23侧的端部的倒角宽度A1为200μm以下。

公开(公告)号：CN106536793A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580039339.5

申请日：2015-12-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 宫崎正行

IPC: C30B29/36 ,  B24B37/10 ,  C30B25/20 ,  C30B33/02 ,  C30B33/08 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C30B33/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/10 ,  B24B37/245 ,  C23C16/325 ,  C23C16/56 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  C30B33/08 ,  C30B33/10 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/1608

Abstract: 提供能够减少形成在SiC基板上的SiC外延膜的缺陷的SiC半导体装置的制造方法以及通过该方法获得的SiC半导体装置。使用SiC半导体装置的制造方法，其包括：工序(A)，在SiC基板上形成SiC外延膜；工序(B)，以对该外延膜的表面进行化学机械研磨的方式进行平坦化处理直到算数平均表面粗糙度Ra成为0.3nm以下为止；工序(C)，使上述外延膜的表面热氧化而形成牺牲氧化膜；工序(D)，除去该牺牲氧化膜；以及工序(E)，利用纯水对外延膜的经除去上述牺牲氧化膜的表面进行清洗。

公开(公告)号：CN106460226A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580032164.5

申请日：2015-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工硬质合金株式会社

Inventor： 西林良树 ,  辰巳夏生 ,  角谷均 ,  植田晓彦 ,  小林丰

IPC: C30B29/04 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20

CPC classification number: C30B29/04 ,  C01B32/25 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20

Abstract: 本发明提供单晶金刚石、制造所述单晶金刚石的方法以及包含所述金刚石的工具，所述单晶金刚石以均衡方式提高了硬度和耐缺损性。单晶金刚石含有氮原子，且所述单晶金刚石中的孤立置换型氮原子的数目对所述单晶金刚石中的氮原子总数之比为0.02％以上且低于40％。

公开(公告)号：CN106256931A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201610455007.1

申请日：2016-06-22

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  一般财团法人日本精细陶瓷中心

Inventor： 关章宪 ,  石川由加里

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/00 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/186 ,  C23C14/18 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C23C14/48 ,  C23C16/325 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B25/00 ,  C30B25/20 ,  H01L21/2053

Abstract: 本发明涉及SiC晶体的制造方法。本发明提供可有效地掺杂氮的SiC晶体的制造方法。另外，提供一种可仅对SiC晶体的一部分区域提高N施主浓度的SiC晶体的制造方法。SiC晶体的制造方法，其为供给含Si、C及N的原料气体从而使N掺杂的SiC晶体在SiC基板上气相生长的SiC晶体的制造方法，其中，上述SiC基板为表面的一部分或全部沉积有La、Ce或Ti的SiC基板，或者为表面的一部分为全部离子注入有La、Ce或Ti的SiC基板。