公开(公告)号：CN118864550B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202410873618.2

申请日：2024-07-01

Applicant: 天津大学 ,  四川川交路桥有限责任公司

Inventor： 刘东海 ,  刘涵 ,  李欣 ,  唐新林 ,  张睿

IPC: G06T7/33

Abstract: 本申请公开了一种BIM模型与工程点云的配准方法、装置及设备，在基于工程场景采集的第一目标点云和BIM模型转换的源点云后，先基于预先选定的边缘端点将第一目标点云和源点云进行粗略配准，得到第二目标点云。然后将第二目标点云和源点云进行精确配准，得到精配准点云。将初始BIM模型叠加到精配准点云，得到目标BIM模型，并将目标BIM模型与工程场景进行空间对齐。本申请利用点云之间的特征对应关系和空间关系进行配准，减少特征点识别时间，提高了点云配准效率。将边缘端点作为特征点，充分考虑点云端点信息，提高点云边缘拟合的准确度，提高了点云配准精确度；基于点云配准变换参数，将BIM模型与真实空间场景进行对齐，实现BIM模型与真实场景虚实融合。

公开(公告)号：CN113979929A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111375260.3

申请日：2021-11-19

Applicant: 天津大学

Inventor： 鲍颖 ,  王源源 ,  侯宝红 ,  李欣 ,  周丽娜

IPC: C07D213/61 ,  C07C39/08 ,  C07C37/84

Abstract: 本发明涉及一种依托考昔‑间苯二酚药物共晶及其制备方法。将依托考昔、间苯二酚与无毒溶剂混合，通过冷却结晶、挥发溶剂结晶或悬浮结晶的方法制备依托考昔‑间苯二酚药物共晶；该共晶结构式如下，其中依托考昔与间苯二酚的摩尔比为1:1，差示扫描量热分析谱图在141.7±2℃有吸热峰，吡啶氮的X‑射线光电子能谱在398.60±0.2eV处有特征峰，共晶粒径超过1000μm；依托考昔‑间苯二酚药物共晶在5min达到40.88±0.2mg/mL的最大溶出浓度(以依托考昔计)。获得依托考昔‑间苯二酚共晶热稳定性高、粒度大、增溶效果显著，生物利用度显著提高。同时，制备操作简单、能耗低、溶剂用量少、产品重现性好。

公开(公告)号：CN110690120B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201910925815.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 天津大学

Inventor： 梅云辉 ,  李靖 ,  李欣 ,  陆国权

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明属于功率电子器件封装技术领域，为提出双向开关电子模块及其制备方法，具有良好的电气性能，更低的热阻和更优的散热特性，更高的工作频率，具有优异的抗热循环疲劳老化能力，可靠性更优。为此，本发明，烧结封装MOS芯片双向开关电子模块制作方法，由MOSFET芯片与陶瓷覆铜基板DBC(Direct Bond Copper)和铜柱制作双向开关电子模块，DBC包括上、下各一块，上、下DBC均焊有MOSFET芯片，上、下DBC上对应的MOSFET芯片分别连接铜柱一端，MOSFET芯片与铜柱之间的互连均采用纳米银焊膏，并且在烧结过程中施加压力来提高其连接质量。本发明主要应用于功率电子器件封装设计。

公开(公告)号：CN107658220B

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201710718907.5

申请日：2017-08-21

Applicant: 天津大学

Inventor： 梅云辉 ,  王晓敏 ,  李欣 ,  陆国权

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片正面铝层金属化方法；首先对功率半导体芯片正面等离子清洗；然后对功率半导体芯片正面镀Ti；再进行对功率半导体芯片正面镀Ag。本发明采用磁控溅射镀膜机。设计一个夹具托盘，该夹具托盘上有数个承载芯片的小槽，能够完成多个芯片镀膜。通过以上步骤使用真空磁控溅射镀膜完成功率半导体芯片的正面可焊金属化，Ti中间层的存在，使得Al和Ag之间存在热膨胀系数，密度的过渡，Ag层不容易脱落，最终达到双面烧结的要求。完成功率半导体芯片正面可焊金属化。正面金属化的结果使芯片能够实行双面烧结，提高散热效率和模块封装功率密度。

公开(公告)号：CN110690120A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910925815.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 天津大学

Inventor： 梅云辉 ,  李靖 ,  李欣 ,  陆国权

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明属于功率电子器件封装技术领域，为提出双向开关电子模块及其制备方法，具有良好的电气性能，更低的热阻和更优的散热特性，更高的工作频率，具有优异的抗热循环疲劳老化能力，可靠性更优。为此，本发明，烧结封装MOS芯片双向开关电子模块制作方法，由MOSFET芯片与陶瓷覆铜基板DBC(Direct Bond Copper)和铜柱制作双向开关电子模块，DBC包括上、下各一块，上、下DBC均焊有MOSFET芯片，上、下DBC上对应的MOSFET芯片分别连接铜柱一端，MOSFET芯片与铜柱之间的互连均采用纳米银焊膏，并且在烧结过程中施加压力来提高其连接质量。本发明主要应用于功率电子器件封装设计。

公开(公告)号：CN110444484A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910703223.7

申请日：2019-07-31

Applicant: 天津大学

Inventor： 梅云辉 ,  李靖 ,  李欣 ,  陆国权

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明涉及功率电子器件封装技术领域，为提出可用于双面散热/平面型电子器件与模块的封装的新型铜柱垫块技术方案，实现应力缓冲且各向异性导电。为此，本发明采取的技术方案是，具有应力缓冲且各向异性导电的铜柱垫块制作方法，将若干直径为0.3～0.5mm的绝缘铜丝置入圆形或方形半开模具中，将绝缘铜丝放入模具中时，要使绝缘铜丝超出模具前后端面一段长度，超出模具前端面的长度要大于等于模具自身的长度；当置入的绝缘铜丝充满模具时，将半开的模具合上，将超出模具前端面的绝缘铜丝置入聚合物胶粘剂中，使绝缘铜丝表面及每两根绝缘铜丝间隔中均附有胶粘剂。本发明主要应用于功率电子器件封装场合。

公开(公告)号：CN110387209A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910636655.0

申请日：2019-07-15

Applicant: 天津大学

Inventor： 梅云辉 ,  李俊杰 ,  李欣 ,  陆国权

IPC: C09J183/04 ,  C09J11/04

Abstract: 本发明公开了一种高压绝缘钛酸钡-硅凝胶复合材料及制备方法和应用，所述钛酸钡-硅凝胶复合材料包括经烧结的具备高介电常数的改性钛酸钡、有机硅凝胶A组分、有机硅凝胶B组分(固化剂)，所述改性钛酸钡与所述有机硅凝胶A组分的质量比为1:4～2:3；所述有机硅凝胶A组分与所述有机硅凝胶B组分的质量比为1:1。本发明提供的制备工艺简单、制备得到的钛酸钡-硅凝胶复合材料具有良好流动性、电导非线性、高介电常数、高绝缘耐压性能的优点，其电导率在电场强度较低的时候非常小，但是当场强增加到一定程度的时候，其电导率将急剧增大，具备均化电场分布、减少局部放电的潜能，在碳化硅电力电子器件封装领域具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN109411372A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811079252.2

申请日：2018-09-17

Applicant: 天津大学

Inventor： 梅云辉 ,  张心印 ,  李欣 ,  陆国权

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/00

Abstract: 本发明涉及一种基于敷铜基板均匀电流辅助烧结纳米银焊膏温度场的方法，结合敷铜基板铜层形状和印刷纳米银焊膏后电极压头可放置区域，异形电极形状为直角L形，内角为四分之一圆弧过渡，烧结前电极预压在DBC基板两端，施加直流脉冲电流均匀流过焊膏，纳米银焊膏烧结温度场均匀分布，芯片受热均匀。本发明成功解决了电流快速烧结纳米银焊膏过程中存在的温度不均匀的问题，通过设计施加电流的异形电极与位置分布，实现纳米银焊膏脉冲电流辅助烧结过程中温度场的均匀分布，烧结纳米银焊膏IGBT芯片/二极管芯片与覆铜陶瓷基板基板的一次性快速烧结连接，获得致密度高达90％以上，大幅提高烧结互连层的机械强度和抗疲劳可靠性，延长使用寿命。

公开(公告)号：CN106653627B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201610888951.6

申请日：2016-10-11

Applicant: 天津大学

Inventor： 梅云辉 ,  闫海东 ,  李欣 ,  陆国权

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/52

Abstract: 本发明涉及一种纳米银焊膏连接裸铜衬底或敷铜基板的烧结方法，包括预热阶段、干燥阶段、烧结致密化阶段和甲酸还氧烧结阶段；其中在预热阶段和干燥阶段采用非接触热传导方式实现加热板对加热托盘的加热，在烧结致密化阶段采用接触热传导方式实现加热板对加热托盘的加热。利用密闭腔体中辐射、传导和对流的热传导原理实现了可用于纳米银焊膏实现功率芯片与裸铜衬底或敷铜基板间烧结连接所需的温度曲线，并利用该真空炉量化的抽真空能力得到了可用于纳米银焊膏连接裸铜衬底或敷铜基板所需的贫氧烧结气氛。本发明借助通用真空烧结/回流焊炉平台，无需特制的烧结工艺设备，适合于电力电子领域中各种集成半导体芯片封装模块的产业化生产。

公开(公告)号：CN109277723A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811164526.8

申请日：2018-10-06

Applicant: 天津大学

Inventor： 梅云辉 ,  李丹 ,  李欣 ,  陆国权

IPC: B23K35/30

Abstract: 本发明涉及一种高温环境下耐银电迁移的Ag-SiO2纳米焊膏的制备方法；将平均颗粒尺寸为20～100nm的二氧化硅粉末与稀释剂在超声水浴的协助下混合；加入到平均颗粒尺寸为50～500nm的纳米银焊膏中，并通过搅拌混合均匀制得Ag-SiO2纳米焊膏；添加稀释剂是为了调整焊膏的粘度以便于纳米Ag-SiO2焊膏的涂敷、印刷。将制得的Ag-SiO2纳米焊膏和商业获得的纳米银焊膏分别以5℃/min的加热速率在280℃下进行烧结，保温30min后炉冷，然后在400℃的高温条件，400V/mm电场强度下进行电迁移实验。结果证明Ag-SiO2纳米焊膏的失效寿命相比纳米银焊膏至少提高了3.60倍。