离子注入装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105321790B

    公开(公告)日:2018-01-16

    申请号:CN201510245840.9

    申请日:2015-05-14

    Abstract: 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置。本发明的离子注入装置具备扫描单元(1000),该扫描单元包括:扫描电极装置(400),向沿着基准轨道(Z)射入的离子束B施加偏转电场,以向与基准轨道(Z)正交的横向扫描离子束(B);及上游电极装置(300),由设置于扫描电极装置(400)的上游的多个电极体构成。扫描电极装置(400)具备隔着基准轨道(Z)横向对置而设的一对扫描电极(410R,410L)及隔着基准轨道(Z)而在与横向正交的纵向对置而设的一对射束输送补正电极(450)。一对射束输送补正电极(450)分别在扫描电极装置(400)的入口(402)附近具有向基准轨道(Z)纵向延伸的射束输送补正入口电极体(454)。

    具有偏转系统的粒子束装置

    公开(公告)号:CN102610479A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201110463206.4

    申请日:2011-12-05

    Abstract: 本发明涉及粒子束装置,其包括粒子束发生器、用于将由粒子束发生器产生的粒子束聚焦在目标平面上的物镜。物镜确定光轴。粒子束装置还包括用于偏转目标平面上的粒子束的第一和第二偏转系统,第一和第二偏转系统连续依次沿光轴设置。在第一运行模式中,第一偏转系统产生第一偏转场,第二偏转系统产生第二偏转场,第一和第二偏转场彼此具有第一角取向并被彼此定向,使得它们在目标平面上共同产生粒子束在第一方向上的偏转。在第二运行模式中,第一偏转系统产生第三偏转场,第二偏转系统产生第四偏转场,第三和第四偏转场彼此具有第二角取向并被彼此定向,使得它们在目标平面上共同产生粒子束在第一方向上的偏转。第二角取向不同于第一角取向。

    用于确定粒子-光学透镜的像差函数的像差系数的方法

    公开(公告)号:CN1979751B

    公开(公告)日:2011-01-26

    申请号:CN200610168858.4

    申请日:2006-12-06

    Applicant: FEI公司

    Abstract: 粒子-光学设备的透镜(如物镜)具有像差这一缺点。正如数十年来众所周知的,龙基图可用来确定粒子-光学透镜的这些像差。这样的方法依赖于比如在一个或一组龙基图中局部放大率的基础上像差函数的二阶导数的确定。取决于二阶导数,这些方法的数学只允许龙基图之间的(无穷)小的移位。然而,这意味着比如记录龙基图的相机的空间量化噪音导致较大的误差。这些冲突需求限制了精度并且因此限制了已知方法的有效性。本发明描述了一组算法,所述的算法产生改进的方法以此利用一组龙基图量化透镜像差系数。

    用于高分辨率电子束成像的设备及方法

    公开(公告)号:CN106548913A

    公开(公告)日:2017-03-29

    申请号:CN201710049531.3

    申请日:2013-04-02

    Inventor: 姜辛容 韩立群

    CPC classification number: H01J37/153 H01J37/05 H01J37/28 H01J2237/1534

    Abstract: 本发明涉及用于高分辨率电子束成像的设备及方法。一个实施例涉及一种用于高分辨率电子束成像的设备。所述设备包含经配置以限制入射电子束中的电子的能量扩散的能量过滤器。所述能量过滤器可使用消像散维恩(Wien)过滤器及过滤器孔口而形成。另一实施例涉及一种形成用于高分辨率电子束设备的入射电子束的方法。另一实施例涉及一种包含弯曲导电电极的消像散维恩过滤器。另一实施例涉及一种包含一对磁轭及多极偏转器的消像散维恩过滤器。本发明还揭示其它实施例、方面及特征。

    具有偏转系统的粒子束装置

    公开(公告)号:CN102610479B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201110463206.4

    申请日:2011-12-05

    Abstract: 本发明涉及粒子束装置,其包括粒子束发生器、用于将由粒子束发生器产生的粒子束聚焦在目标平面上的物镜。物镜确定光轴。粒子束装置还包括用于偏转目标平面上的粒子束的第一和第二偏转系统,第一和第二偏转系统连续依次沿光轴设置。在第一运行模式中,第一偏转系统产生第一偏转场,第二偏转系统产生第二偏转场,第一和第二偏转场彼此具有第一角取向并被彼此定向,使得它们在目标平面上共同产生粒子束在第一方向上的偏转。在第二运行模式中,第一偏转系统产生第三偏转场,第二偏转系统产生第四偏转场,第三和第四偏转场彼此具有第二角取向并被彼此定向,使得它们在目标平面上共同产生粒子束在第一方向上的偏转。第二角取向不同于第一角取向。

    离子注入装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105321790A

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201510245840.9

    申请日:2015-05-14

    Abstract: 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置。本发明的离子注入装置具备扫描单元(1000),该扫描单元包括:扫描电极装置(400),向沿着基准轨道(Z)射入的离子束B施加偏转电场,以向与基准轨道(Z)正交的横向扫描离子束(B);及上游电极装置(300),由设置于扫描电极装置(400)的上游的多个电极体构成。扫描电极装置(400)具备隔着基准轨道(Z)横向对置而设的一对扫描电极(410R,410L)及隔着基准轨道(Z)而在与横向正交的纵向对置而设的一对射束输送补正电极(450)。一对射束输送补正电极(450)分别在扫描电极装置(400)的入口(402)附近具有向基准轨道(Z)纵向延伸的射束输送补正入口电极体(454)。

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