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公开(公告)号：CN104380194B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201380031543.3
申请日：2013-04-15
Applicant: 布鲁尔科技公司
IPC: G03F1/38 , H01L21/027
CPC classification number: B81C1/0038 , B81B1/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , G03F7/26 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , Y10T428/24612 , Y10T428/24802
Abstract: 提供了用于导向自组装图案化技术的组合物，其在工艺中无需独立的减反射涂层和刷中性层。还提供导向自组装的方法，其中可将自组装材料，例如导向自组装嵌段共聚物,直接施涂到硅硬掩模中性层，然后自组装以形成所需的图案。本文还批露了导向自组装图案化的结构。
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公开(公告)号：CN108027557B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201680052638.7
申请日：2016-09-20
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: G03F7/0387 , C08G69/02 , C08G69/40 , G03F7/0226 , G03F7/023 , G03F7/0233 , G03F7/16 , G03F7/161 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L23/293 , H01L23/3192 , H01L23/562 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02331 , H01L2224/024 , H01L2224/03462 , H01L2224/03515 , H01L2224/0362 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13026 , H01L2224/131 , H01L2924/0695 , H01L2924/3511 , H01L2924/014
Abstract: 本发明提供高伸长性、低应力性、金属铜高密合性的固化膜。本发明的固化膜是将感光性树脂组合物固化而得到的固化膜，其特征在于，所述感光性树脂组合物含有聚羟基酰胺，所述固化膜中的所述聚羟基酰胺的闭环率为10％以下。
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公开(公告)号：CN108885410A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780019369.9
申请日：2017-03-27
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够高效率地制造即使在超微细图案(例如，10nm节点以下)的形成中也为高品质的电子材料制造用药液的电子材料制造用药液的制造方法、利用该制造方法的图案形成方法及半导体装置的制造方法、即使在超微细图案的形成中也为高品质的电子材料制造用药液及容器、尤其提供一种在超微细图案的形成中的品质检查方法。电子材料制造用药液的制造方法中，根据通过药液中的SP ICP‑MS测量的、包含铁原子的粒子性金属的浓度、包含铜原子的粒子性金属的浓度及包含锌原子的粒子性金属的浓度，选择药液中的粒子性金属的减量方法，并利用所选择的上述减量方法降低包含铁原子的粒子性金属的浓度、包含铜原子的粒子性金属的浓度及包含锌原子的粒子性金属的浓度中的至少一个。
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公开(公告)号：CN108885403A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780022967.1
申请日：2017-04-17
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题在于提供不发生与抗蚀剂层的混合、具有高干式蚀刻耐性、具有高耐热性、高温下的质量减少少、显示平坦的高低差基板被覆性的光刻用抗蚀剂下层膜及用于形成该抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有下述式(1)的结构单元的聚合物。式(1)的结构单元为式(2)的结构单元。本发明提供半导体装置的制造方法，其包括下述工序：由抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序，在该抗蚀剂下层膜上形成硬掩模的工序，进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序，通过对该抗蚀剂照射光或电子束并进行显影而形成抗蚀剂图案的工序，通过该抗蚀剂图案对该硬掩模进行蚀刻而形成图案的工序，通过该图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻而形成图案的工序，以及，通过该图案化了的抗蚀剂下层膜对该半导体基板进行加工的工序。
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公开(公告)号：CN108701717A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680001002.X
申请日：2016-10-10
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Inventor： 毛德丰
IPC: H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0566 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L29/786 , H01L51/0016 , H01L51/0018 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0041 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管、具有该薄膜晶体管的显示面板和显示设备、以及其制造方法。所述薄膜晶体管包括底部衬底(BS)和位于所述底部衬底(BS)上的有源层(AL)，所述有源层具有对应于沟道区(CR)的第一部分、对应于源极接触区(SCR)的第二部分、以及对应于漏极接触区(DCR)的第三部分，其中，所述第二部分和所述第三部分包括含有聚合物(P)和碳纳米管(CNT)材料的聚合物碳纳米管复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108027562A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680055814.2
申请日：2016-09-21
Applicant: 东丽株式会社
IPC: G03F7/037 , G03F7/075 , H01L51/50 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/22 , C08G73/06 , G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/038
CPC classification number: G03F7/0387 , C08G69/32 , C08G73/1039 , C08G73/1053 , C08G73/1071 , C08G73/14 , C08G73/22 , C09D179/04 , C09D179/08 , C09K19/04 , G03F7/0007 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/031 , G03F7/037 , G03F7/105 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L27/3258
Abstract: 本发明提供耐热性优异且可形成正锥形的固化膜的负型着色感光性树脂组合物。该负型着色感光性树脂组合物含有(A)碱溶性树脂、(B)光聚合引发剂、(C)光聚合性化合物及(D)着色剂，上述(A)碱溶性树脂含有(A‑1)聚酰亚胺前体、聚苯并噁唑前体及/或它们的共聚物，上述(A‑1)树脂在主链骨架中具有三氟甲基。
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公开(公告)号：CN105098002B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510335044.4
申请日：2015-06-16
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/405 , H01L33/0062 , H01L33/0083 , H01L33/06 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L51/0018 , H01L51/502
Abstract: 本发明提供一种光刻胶、量子点层图案化的方法及QLED、量子点彩膜和显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的图案化的方法破坏量子点的问题。本发明的量子点层图案化的方法包括在基板上形成光刻胶材料层的步骤，对光刻胶进行构图的步骤，对光刻胶进行亲水处理的步骤；涂布量子点的步骤；除去剩余光刻胶上的量子点的步骤；剥离光刻胶的步骤。本发明的量子点层图案化的方法可以提高光刻胶的亲水性能，降低具有亲油性的量子点在光刻胶上的附着力。剥离光刻胶时，不会造成基板目标位置的量子点脱落。本发明的量子点层图案化的方法适用于包括量子点层的发光二极管显示器和量子点彩膜以及应用量子点彩膜的显示装置。
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公开(公告)号：CN107817655A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711050050.0
申请日：2017-10-31
Applicant: 安徽富芯微电子有限公司
IPC: G03F7/26
CPC classification number: G03F7/26
Abstract: 本发明公开一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法，包括如下步骤：将硅片进行预处理，清洗烘干；硅片进行氧化；硅片单面进行匀胶；将涂敷光刻胶的硅片进行曝光；将曝光后的硅片进行显影；将硅片放入恒温烘箱中进行坚膜；将硅片放入腐蚀液中进行腐蚀；对硅片进行去胶；将去胶后的硅片放进扩散炉中进行单面扩散。本发明通过曝光、显影和坚膜，并利用负性光刻胶的性质，可将硅片表面在匀胶时产生的胶丝、胶粒进行溶解，而匀胶面通过曝光，负性光刻胶产生交联聚合反应，在负胶显影液中不会去除，从而达到保护的作用，为后期腐蚀二氧化硅奠定了基础，减少了返工次数和制造成本，进而提高了工艺质量和制造效率。
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公开(公告)号：CN107567177A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710526969.6
申请日：2017-06-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H05K3/184 , G03F7/20 , G03F7/2002 , G03F7/26 , H05K3/108 , H05K2203/0562 , H05K2203/0759
Abstract: 本发明提供一种配线电路基板的制造方法，包括：设置绝缘层的工序1；设置金属薄膜的工序2；设置光致抗蚀剂的工序3；配置光掩模并隔着光掩模对光致抗蚀剂进行曝光的工序4；将光致抗蚀剂的第1曝光部分和第2曝光部分去除的工序5；在金属薄膜的表面设置第1配线和第2配线的工序6。在工序4中，在假定为在金属薄膜处反射的反射光聚光于光致抗蚀剂中的位于第1曝光部分和第2曝光部分之间的部分的情况下，斜面具有光致抗蚀剂中的因聚光而要在工序5中去除的部分与第1曝光部分以及第2曝光部分连续的方式俯视时向一方向弯曲的弯曲部。第2曝光部分在俯视时连续地具有回避弯曲部的回避部和与斜面中的除了弯曲部以外的至少一部分重叠的重叠部。
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公开(公告)号：CN104759208B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201410781593.X
申请日：2014-09-28
Applicant: 帕尔公司
CPC classification number: B01D71/68 , B01D67/0013 , B01D69/02 , B01D69/06 , B01D71/56 , B01D2323/24 , B01D2325/06 , B01D2325/08 , B01D2325/14 , B01D2325/16 , G03F7/26
Abstract: 本发明公开了一种在单独的多孔层中包含负电荷、中性电荷和正电荷的连续区域的膜，和包含所述膜的装置，以及制备所述膜的方法。
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