公开(公告)号：CN104736523A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380049311.0

申请日：2013-09-26

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 中杉茂正 ,  宫崎真治 ,  M·帕德马纳班 ,  A·D·迪奥塞斯

IPC: C07D251/38 ,  C07D251/30 ,  C09D139/04 ,  G03F7/09

Abstract: 本发明提供一种能够防止浮渣从底部抗反射涂层形成的交联剂，并且还提供了一种用于形成含有所述交联剂的底部抗反射涂层的组合物。所述交联剂是具有至少一个乙烯氧基或N-甲氧基甲基酰胺基团的含氮芳香族化合物，并且所述组合物含有所述交联剂。E1～E3各自独立地选自于由碳原子和氮原子组成的组，但是它们中的至少一个是氮原子；F1～F3各自独立地选自于由氧原子和硫原子组成的组；G1～G3各自独立地选自于由乙烯氧基、N-甲氧基甲基酰胺基团和氢原子组成的组，但是它们中的至少一个是乙烯氧基或N-甲氧基甲基酰胺基团；并且p1～p3各自独立地选自于包括0的整数，但是它们中的至少任何两个至少为1或大于1。

公开(公告)号：CN106414328B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201580029203.6

申请日：2015-05-28

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 柳田浩治 ,  中杉茂正 ,  仁川裕 ,  片山朋英 ,  坂本胜幸

IPC: C01B33/18 ,  C01B33/145 ,  C09C1/30 ,  C09C3/12

CPC classification number: C01B33/18 ,  C01B33/145 ,  C01B33/146 ,  C01P2004/64 ,  C09C1/30 ,  C09C1/3081 ,  C09C3/12

Abstract: 本发明提供一种高度地分散于有机分散介质、并且具有高的透明性以及保存稳定性的表面改性二氧化硅纳米颗粒分散液。一种方法，其为制造表面改性二氧化硅纳米颗粒的方法，包含如下的工序：准备包含二氧化硅纳米颗粒与水性分散介质的第1二氧化硅纳米颗粒分散液的工序，利用包含从环状酯以及环状酰胺中选出的至少1种的有机分散介质将前述第1二氧化硅纳米颗粒分散液中的前述水性分散介质进行置换而获得第2二氧化硅纳米颗粒分散液的工序，向前述第2二氧化硅纳米颗粒分散液中加入由式(1)(式中，R1各自独立地为C1～C20的烃基，R2是C1～C3的烃基)表示的硅烷偶联剂，从而将二氧化硅纳米颗粒的表面进行改性的工序。

公开(公告)号：CN106575617A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580042676.X

申请日：2015-07-29

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 中杉茂正 ,  绢田贵史 ,  能谷刚 ,  柳田浩志 ,  浜祐介

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: C09D179/02 ,  C08G69/26 ,  C08G73/0206 ,  C08G73/0233 ,  C08G73/026 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是提供一种耐热性和保存稳定性优异的牺牲膜用组合物与使用了其的半导体装置的制造方法。本发明的解决手段是如下：一种牺牲膜用组合物，其包含有：包含着含有具有孤对电子的氮原子的重复单元的聚合物、以及溶剂，其中特定的过渡金属离子含有率非常低；一种以牺牲材料的形式利用前述组合物从而制造具备有多孔质材料的半导体装置的方法。

公开(公告)号：CN106471057A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580028112.0

申请日：2015-05-26

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 中杉茂正 ,  绢田贵史 ,  能谷刚

IPC: C08L65/00 ,  C08G61/12 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: C08L65/02 ,  C08G61/12 ,  C08G73/026 ,  C08G2261/11 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2650/40 ,  C08L65/00 ,  C08L71/00 ,  C08L71/12 ,  C08L77/10 ,  C08L79/02 ,  C08L81/02 ,  C08L81/06 ,  C08L85/02 ,  C08L85/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/532 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种空隙形成用组合物与使用了其的半导体装置的制造方法，该空隙形成用组合物可形成由在所希望的温度完全地分解气化的牺牲材料形成的牺牲区域。一种空隙形成用组合物，其特征在于，其包含聚合物以及溶剂，该聚合物包含5个以上的由下述式(1)或者下述式(2)表示的至少1种重复单元。[式中，Ar1、Ar2以及Ar2’分别独立地为非取代或者取代了的芳香族基团，L1～L2分别独立地从由氧、硫、烷基、砜、酰胺、酮或者下述通式(3){式中，Ar3为芳香族基团，L3是从由氮、硼以及磷组成的组中选出的三价原子}组成的组中选出。]

公开(公告)号：CN107207903B

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201680010048.8

申请日：2016-02-02

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 铃木理人 ,  滨祐介 ,  柳田浩志 ,  能谷刚 ,  中杉茂正

IPC: C08G73/02 ,  C09D177/10 ,  G03F7/09

Abstract: 提供用于形成底层的组合物，其可以形成具有平坦表面的底层。[解决方案]一种用于形成底层的组合物，其包含具有含氮重复单元的聚合物和溶剂。该底层是通过将该组合物涂布在基板上，优选在不活泼气氛中烘焙，然后在含氧空气中烘焙而形成的。

公开(公告)号：CN104737077B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201380051105.3

申请日：2013-10-01

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 山本和磨 ,  石井雅弘 ,  关藤高志 ,  柳田浩志 ,  中杉茂正 ,  能谷刚

IPC: G03F7/40 ,  C08F12/24 ,  C08F20/30 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/168 ,  C08F12/24 ,  C08F20/30 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C09D129/02 ,  C09D133/14 ,  C09D137/00 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0338

Abstract: 本发明提供一种能够形成干式刻蚀耐性高的图案的精细图案形成用组合物、以及使用了上述精细图案形成用组合物的制造过程中的配管堵塞少的图案形成方法。一种精细图案形成用组合物以及使用了其的图案形成方法，该精细图案形成用组合物用于在使用化学放大型抗蚀剂组合物来形成负型抗蚀图案的方法中，通过使抗蚀图案变粗而使图案精细化，其含有聚合物和有机溶剂，该聚合物含有具有羟基芳基的重复单元，该有机溶剂不使上述负型抗蚀图案溶解。在图案形成方法中，通过利用同一涂布装置对抗蚀剂组合物和其精细图案形成用组合物进行涂布，从而可防止配管堵塞。

公开(公告)号：CN108602939A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780010051.4

申请日：2017-01-19

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 中杉茂正 ,  滨祐介 ,  黑泽和则 ,  柳田浩志 ,  能谷刚

IPC: C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08G8/02 ,  C08G10/00 ,  C09D161/00 ,  C09D165/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027

CPC classification number: C09D165/00 ,  C08G10/00 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/135 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/316 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/45 ,  C08G2261/592 ,  C08G2261/65 ,  C08G2261/73 ,  C08G2261/76 ,  C08G2261/90 ,  C09D161/18 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明涉及一种聚合物、组合物、牺牲层的形成和制备半导体装置的方法，其包括通过光刻法使用光致抗蚀剂制作图案的步骤。

公开(公告)号：CN106414328A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580029203.6

申请日：2015-05-28

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 柳田浩治 ,  中杉茂正 ,  仁川裕 ,  片山朋英 ,  坂本胜幸

IPC: C01B33/18 ,  C01B33/145 ,  C09C1/30 ,  C09C3/12

CPC classification number: C01B33/18 ,  C01B33/145 ,  C01B33/146 ,  C01P2004/64 ,  C09C1/30 ,  C09C1/3081 ,  C09C3/12

Abstract: 本发明提供一种高度地分散于有机分散介质、并且具有高的透明性以及保存稳定性的表面改性二氧化硅纳米颗粒分散液。一种方法，其为制造表面改性二氧化硅纳米颗粒的方法，包含如下的工序：准备包含二氧化硅纳米颗粒与水性分散介质的第1二氧化硅纳米颗粒分散液的工序，利用包含从环状酯以及环状酰胺中选出的至少1种的有机分散介质将前述第1二氧化硅纳米颗粒分散液中的前述水性分散介质进行置换而获得第2二氧化硅纳米颗粒分散液的工序，向前述第2二氧化硅纳米颗粒分散液中加入由式(1)(式中，R1各自独立地为C1～C20的烃基，R2是C1～C3的烃基)表示的硅烷偶联剂，从而将二氧化硅纳米颗粒的表面进行改性的工序。

公开(公告)号：CN107207903A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680010048.8

申请日：2016-02-02

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 铃木理人 ,  滨祐介 ,  柳田浩志 ,  能谷刚 ,  中杉茂正

IPC: C09D179/02 ,  C08G73/02 ,  C09D177/10 ,  G03F7/09

Abstract: 提供用于形成底层的组合物，其可以形成具有平坦表面的底层。[解决方案]一种用于形成底层的组合物，其包含具有含氮重复单元的聚合物和溶剂。该底层是通过将该组合物涂布在基板上，优选在不活泼气氛中烘焙，然后在含氧空气中烘焙而形成的。

公开(公告)号：CN104736523B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201380049311.0

申请日：2013-09-26

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 中杉茂正 ,  宫崎真治 ,  M·帕德马纳班 ,  A·D·迪奥塞斯

IPC: C07D251/38 ,  C07D251/30 ,  C09D139/04 ,  G03F7/09

Abstract: 本发明提供一种能够防止浮渣从底部抗反射涂层形成的交联剂，并且还提供了一种用于形成含有所述交联剂的底部抗反射涂层的组合物。所述交联剂是具有至少一个乙烯氧基或N-甲氧基甲基酰胺基团的含氮芳香族化合物，并且所述组合物含有所述交联剂。E1～E3各自独立地选自于由碳原子和氮原子组成的组，但是它们中的至少一个是氮原子；F1～F3各自独立地选自于由氧原子和硫原子组成的组；G1～G3各自独立地选自于由乙烯氧基、N-甲氧基甲基酰胺基团和氢原子组成的组，但是它们中的至少一个是乙烯氧基或N-甲氧基甲基酰胺基团；并且p1～p3各自独立地