公开(公告)号：CN105190441B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201480012592.7

申请日：2014-03-14

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 王晓伟 ,  冈安哲雄 ,  G·帕夫洛夫斯基 ,  绢田贵史

IPC: G03F7/11 ,  C08F20/10 ,  C08G63/133 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题在于提供一种上层膜形成用组合物以及使用了该上层膜形成用组合物的图案形成方法，该上层膜形成用组合物在基于极紫外线曝光而进行的图案形成方法中，可形成粗糙度、图案形状优异的图案。本发明的解决手段是一种上层膜形成用组合物，其特征在于包含具有亲水性基团的苯并菲衍生物以及溶剂；以及一种方法，其中，通过将该组合物涂布于抗蚀层表面，利用曝光显影而形成图案。该组合物也可进一步包含聚合物。

公开(公告)号：CN105190441A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480012592.7

申请日：2014-03-14

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 王晓伟 ,  冈安哲雄 ,  G·帕夫洛夫斯基 ,  绢田贵史

IPC: G03F7/11 ,  C08F20/10 ,  C08G63/133 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题在于提供一种上层膜形成用组合物以及使用了该上层膜形成用组合物的图案形成方法，该上层膜形成用组合物在基于极紫外线曝光而进行的图案形成方法中，可形成粗糙度、图案形状优异的图案。本发明的解决手段是一种上层膜形成用组合物，其特征在于包含具有亲水性基团的苯并菲衍生物以及溶剂；以及一种方法，其中，通过将该组合物涂布于抗蚀层表面，利用曝光显影而形成图案。该组合物也可进一步包含聚合物。

公开(公告)号：CN106575617A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580042676.X

申请日：2015-07-29

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 中杉茂正 ,  绢田贵史 ,  能谷刚 ,  柳田浩志 ,  浜祐介

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: C09D179/02 ,  C08G69/26 ,  C08G73/0206 ,  C08G73/0233 ,  C08G73/026 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是提供一种耐热性和保存稳定性优异的牺牲膜用组合物与使用了其的半导体装置的制造方法。本发明的解决手段是如下：一种牺牲膜用组合物，其包含有：包含着含有具有孤对电子的氮原子的重复单元的聚合物、以及溶剂，其中特定的过渡金属离子含有率非常低；一种以牺牲材料的形式利用前述组合物从而制造具备有多孔质材料的半导体装置的方法。

公开(公告)号：CN106471057A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580028112.0

申请日：2015-05-26

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 中杉茂正 ,  绢田贵史 ,  能谷刚

IPC: C08L65/00 ,  C08G61/12 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: C08L65/02 ,  C08G61/12 ,  C08G73/026 ,  C08G2261/11 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2650/40 ,  C08L65/00 ,  C08L71/00 ,  C08L71/12 ,  C08L77/10 ,  C08L79/02 ,  C08L81/02 ,  C08L81/06 ,  C08L85/02 ,  C08L85/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/532 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种空隙形成用组合物与使用了其的半导体装置的制造方法，该空隙形成用组合物可形成由在所希望的温度完全地分解气化的牺牲材料形成的牺牲区域。一种空隙形成用组合物，其特征在于，其包含聚合物以及溶剂，该聚合物包含5个以上的由下述式(1)或者下述式(2)表示的至少1种重复单元。[式中，Ar1、Ar2以及Ar2’分别独立地为非取代或者取代了的芳香族基团，L1～L2分别独立地从由氧、硫、烷基、砜、酰胺、酮或者下述通式(3){式中，Ar3为芳香族基团，L3是从由氮、硼以及磷组成的组中选出的三价原子}组成的组中选出。]