公开(公告)号：CN107074532A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580058373.7

申请日：2015-10-28

Applicant: AZ电子材料卢森堡有限公司

Inventor： 洪圣恩 ,  松本直树 ,  秋山靖 ,  黑泽和则 ,  宫崎真治 ,  林观阳

IPC: B81C1/00

CPC classification number: C09D153/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0149 ,  H01J37/32009 ,  H01L21/3081

Abstract: 本发明涉及两种新型方法：“双涂布方法和单涂布方法”，所述方法通过在制图外延法中使用柱阵列从而形成通孔阵列，其中通过在柱的表面上形成疏水性聚(乙烯基芳基)刷从而对柱的表面进行改性。本发明还涉及组合物，所述组合物包含一个链端被反应性官能团封端的聚(乙烯基芳基)疏水性聚合物刷前体、具有抗蚀刻性疏水性嵌段和高度蚀刻性亲水性嵌段的二嵌段共聚物、热产酸剂和溶剂。

公开(公告)号：CN108602939A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780010051.4

申请日：2017-01-19

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 中杉茂正 ,  滨祐介 ,  黑泽和则 ,  柳田浩志 ,  能谷刚

IPC: C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08G8/02 ,  C08G10/00 ,  C09D161/00 ,  C09D165/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027

CPC classification number: C09D165/00 ,  C08G10/00 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/135 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/316 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/45 ,  C08G2261/592 ,  C08G2261/65 ,  C08G2261/73 ,  C08G2261/76 ,  C08G2261/90 ,  C09D161/18 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明涉及一种聚合物、组合物、牺牲层的形成和制备半导体装置的方法，其包括通过光刻法使用光致抗蚀剂制作图案的步骤。