公开(公告)号：CN119286385B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411350111.5

申请日：2024-09-26

Applicant: 江苏九天光电科技有限公司

Inventor： 周华 ,  李建忠 ,  朱晓龙

IPC: C09D175/14 ,  H01B7/22 ,  H01B7/28 ,  C09D165/00 ,  C09D7/62 ,  C09D5/08

Abstract: 本发明公开了一种用于电缆包覆的耐腐蚀钢塑复合带及其制备工艺，涉及钢塑复合带技术领域；其制备工艺包括以下步骤：将含氟磷环氧聚氨酯丙烯酸酯、缓蚀剂改性填料、光引发剂、活性单体混合均匀，得到耐腐蚀膜液；将其涂布在钢带两表面，置于紫外光下固化3‑5min，得到基材钢带；将基材钢带与聚乙烯塑料薄膜进行热压复合，冷却，收卷，得到耐腐蚀钢塑复合带。各组分占比质量份数计包括：含氟磷环氧聚氨酯丙烯酸酯60‑80份，缓蚀剂改性填料3‑5份，光引发剂4‑6份，活性单体20‑40份；所述活性单体包括质量比为(1‑2)：1组成的三羟甲基丙烷三丙烯酸酯和聚乙二醇甲基丙烯酸磷酸酯。

公开(公告)号：CN119768449A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380061872.6

申请日：2023-08-18

Applicant: 亨斯迈先进材料(瑞士)有限公司

Inventor： C·施托尔茨 ,  S·埃尔默 ,  M·Y·黄 ,  K·B·司寇比 ,  A·纳普利

IPC: C08G61/02 ,  C08L65/00 ,  C09D165/00 ,  C08K3/36 ,  H05K3/46 ,  H05K1/03 ,  C08F12/00 ,  C07C2/88 ,  C07C13/465 ,  C08F232/08

Abstract: 包含乙烯基苄基化合物的超低损耗可固化烃树脂组合物、其制备方法以及它们用于制造在电气/电子工业中中应用的制品的用途。

公开(公告)号：CN119213052A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380041394.2

申请日：2023-05-15

Applicant: 爱克发-格法特公司

Inventor： R·赫肯斯 ,  J·罗库费尔

IPC: C08G61/12 ,  C09D165/00 ,  C08L65/00 ,  H10K85/10

Abstract: 一种导电聚合物分散体，包括：(a)由至少一种根据式(I)的单体与至少一种根据式(II)的单体共聚得到的至少一种低聚噻吩或聚噻吩，其中A代表取代或未取代的C1至C5亚烷基桥；R选自直链或支链的取代或未取代的C1‑C18‑烷基、取代或未取代的C5‑C12‑环烷基、取代或未取代的C6‑C14‑芳基、取代或未取代的C7‑C18‑芳烷基和羟基；s代表0至8的整数；Ra和Rb彼此独立地选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的烷芳基以及取代或未取代的芳基或杂芳基；(b)聚合聚阴离子，其中聚合聚阴离子的单体单元的至少75mol％被选自磺酸或其盐、膦酸或其盐、磷酸酯或其盐、硫酸酯或其盐和羧酸或其盐的官能团官能化，其特征在于根据式(I)的单体与根据式(II)的单体的重量比为75/25至25/75。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118994682A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410997784.3

申请日：2024-07-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 姚光 ,  王乐延 ,  林媛 ,  甘兴羿 ,  潘泰松 ,  高敏

IPC: C08J7/00 ,  H01B5/14 ,  C08J7/12 ,  C08J7/044 ,  C08J7/04 ,  C08L67/02 ,  C09D165/00 ,  C09D125/18 ,  C09D5/24 ,  C09D7/61

Abstract: 本发明涉及生物材料技术领域，具体为一种基于磷钨酸的PEDOT：PSS柔性薄膜及其制备方法，利用磷钨酸具有强酸性和强氧化性特性，能够与PEDOT：PSS中的PEDOT+链发生反应，促进电荷载流子的有效迁移，在此基础上，通过制备还原态磷钨酸溶液，并引入四氯金酸溶液进行反应生成金纳米粒子进行第二次掺杂，实现了PEDOT：PSS导电性能提升，增强了材料的稳定性和环境友好性，避免了传统掺杂剂的低生物相容性、毒性和挥发性问题。

公开(公告)号：CN118742064A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410717968.X

申请日：2024-06-04

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吴刚 ,  陈红征

IPC: H10K30/86 ,  H10K30/50 ,  C09D165/00

Abstract: 本发明公开了一种自组装二元共聚物薄膜材料及基于该材料的太阳电池。该太阳电池包括基底、透明电极层、空穴传输层、活性层、电子传输层、金属电极层；从基底自下到上顺次设有透明电极层、空穴传输层、活性层、电子传输层、金属电极层。空穴传输层材料是一种自组装二元共聚物薄膜，由不同功能结构单元构成的嵌段聚合物，该聚合物兼具了良好的可溶解性、成膜性与铆钉基底的能力，可以实现功能单元在基底上结构有序的均匀组装，从而为活性层钙钛矿的生长提供优质的基底，并实现高效的空穴提取与传输，对于实现可大面积溶液加工的高稳定、高效率太阳电池的制备具有十分重要的意义。

公开(公告)号：CN118359793A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410613968.5

申请日：2024-05-17

Applicant: 上海戎科特种装备有限公司

Inventor： 陶益杰 ,  张朝阳 ,  贵龙骏

IPC: C08G61/12 ,  C09D165/00

Abstract: 本发明提供了一种近红外波段电致变色聚合物，其结构单元中包括如下所示的结构中的一种：#imgabs0#该电致变色聚合物具备在可见光保持黑色不变的情况下近红外从黑色至透明变化的性能。其制备方法是利用芳基化偶联方法，制备可溶液处理的稠环噻吩或3,4‑乙烯二氧噻吩或3,3‑二庚基‑3,4‑二氢[3,4‑b][1,4]二氧噻吩、3,4‑二烷基噻吩和4,7‑二溴苯并[C][1,2,5]噻二唑结构单元相结合的电致变色聚合物。该聚合物在有机溶剂四氢呋喃、甲苯、氯仿等中具有溶解性，可采用喷涂、刮涂等方法进行大面积成膜，具有驱动电位低、对比度高、响应速度快、稳定性高等特点，在智能窗、电致变色显示器、智能伪装等领域有应用前景。

公开(公告)号：CN116376408B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202310088394.X

申请日：2023-02-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙华斌 ,  丁佳瀚 ,  许智奇 ,  吴洁 ,  陈子龙 ,  于志浩 ,  徐勇

IPC: C09D165/00 ,  C09D133/12 ,  H10K85/10 ,  H10K71/16 ,  H10K10/46

Abstract: 本发明公开了一种一致高分子有机聚合物链取向薄膜及基于该薄膜的晶体管的制备方法，涉及半导体器件物理领域，一致高分子取向薄膜是在衬底上通过以Langmuir‑Blodgett工艺制备而成，其有机聚合物链依靠其范德华力保持一致取向，通过在有机溶剂DPPT‑TT中配备一定浓度的PMMA溶液，可以改变有机聚合物链互相间受力方式，再通过本专利中的制备方式所制备出的有机器件，可以使其在不同环境中有机聚合物链一致取向排列所受影响大大降低。一致高分子取向薄膜有效的提高了有机场效应晶体管的迁移率，使亚阈值摆幅得以降低。同时，一致高分子有机聚合物链的保护方法使有机场效应晶体管的迁移率收敛性得到较大提高，晶体管性能一致性更加明显。

公开(公告)号：CN117887368A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311578251.3

申请日：2023-11-24

Applicant: 广东东立新材料科技股份有限公司

Inventor： 高钊杰

IPC: C09J7/25 ,  C09J7/50 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09D165/00 ,  C09D5/24

Abstract: 本发明属于胶黏剂领域，尤其涉及C09J7领域，更具体的涉及一种贴PMMA板过高温高湿无转移PE抗静电网纹膜及制备方法。本发明提供的贴PMMA板过高温高湿无转移PE抗静电网纹膜的制备方法，包括在PE基材层上先涂布一层抗静电液涂层，烘干后收卷，然后在抗静电液涂层上涂布油性丙烯酸胶层然后收卷，所得到的网纹膜就有优异的抗静电性能，并且耐高温高湿，在60℃/90％湿度条件下放置3天观察保护膜表面，无网格转移、无线条转移，无析出起雾，并且易于剥离，PMMA表面无残胶，有很好的实际应用前景。

公开(公告)号：CN112074558B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201880092901.4

申请日：2018-05-04

Applicant: 图尔库大学

Inventor： C·克瓦恩斯特伦 ,  P·达姆林 ,  M·萨洛梅基 ,  M·瑙马 ,  R·B·耶瓦莱

IPC: C08G61/12 ,  H10K30/80 ,  H10K50/80 ,  C09K3/16 ,  C09D5/24 ,  C09D165/00 ,  H01B1/12 ,  H10K85/10 ,  H01G9/00 ,  H01G9/028 ,  H01G9/15

Abstract: 本发明公开了一种用于制备衬底上的PEDOT膜的方法，所述膜包括衬底和在衬底表面上的至少一个PEDOT层。该方法包括以下步骤：将包含氧化剂和碱抑制剂的溶液涂覆在衬底的表面上，通过在聚合温度下使涂覆有氧化剂的衬底的表面暴露于EDOT单体蒸汽，使涂覆有氧化剂的衬底经受聚合步骤，以及其中在聚合步骤中，使涂覆有氧化剂的衬底的温度保持在受控的衬底温度，并且其中所述受控的衬底温度比所述聚合温度低2至40℃。此外还公开了导电PEDOT膜，包括导电PEDOT膜的电子器件以及导电PEDOT膜的不同用途。

公开(公告)号：CN116987310A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310791925.1

申请日：2023-06-30

Applicant: 惠州市诺曼新材料有限公司

Inventor： 孙刚 ,  杨光辉 ,  陈玉平

IPC: C08J7/046 ,  C08J7/044 ,  C08J7/04 ,  C09D165/00 ,  C09D5/24 ,  C09D133/00 ,  C09D175/04 ,  C09D7/65 ,  C08L67/02

Abstract: 本发明涉及离型膜技术领域，具体是一种双抗防静电离型膜及其制备工艺，离型膜包括基膜、抗静电层与离型层，基膜1的两面分别设有抗静电层，抗静电层的表面设有耐磨层，至少其中一个耐磨层的表面设置离型层，在制备工艺中，耐磨层采用聚四氟乙烯制成，既可以提供耐磨特性，同时可以提高耐热特性；离型层的采用非硅离型剂，主要成分为丙烯酸酯、聚氨酯、相容剂、催化剂、稳定剂与锚固剂，本发明的离型膜通过丙烯酸酯与聚氨酯的共混反应生成，具备良好的断裂拉伸性能，并且具备良好的耐水性与耐溶剂性，避免了含硅离型膜存在的硅转移的问题，设有两层抗静电层，可以降低剥离电压，避免对物造成破坏。