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公开(公告)号：CN112925728B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202110339570.3
申请日：2019-05-05
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种存储器控制系统包括存储器接口、微控制器和序列处理单元。所述存储器接口电路接收存储器操作命令，并且根据所述存储器操作命令来生成多个操作指令。所述微控制器被耦合到所述存储器接口电路。所述微控制器接收多个操作指令并且通过预定协议根据调度算法来生成多个任务指令。所述序列处理单元被耦合到所述微控制器。所述序列处理单元通过预定协议接收多个任务指令并且利用所述序列处理单元的所述至少一个有限状态机根据所述多个任务指令来控制存储器件的多个电路。
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公开(公告)号：CN113659979A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110960569.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请提供了一种延迟锁相环及其延迟线锁定方法、装置、介质及系统，方法包括：获取包括延迟锁相环的系统的条件参数和预先存储的锁定值；在预先存储的锁定值中确定条件参数对应的初始锁定值；以及响应于根据初始锁定值确定出延迟锁相环的延迟线满足锁定条件，对当前的延迟线进行锁定。通过预先存储多个延迟线的锁定值，并结合系统的条件参数选择适合系统的锁定值开始调整延迟线，使得初始锁定值尽可能地接近系统最终的锁定值，大大减少延迟线的调整次数，从而减少延迟线的锁定时间，进而减少系统运行时时钟信号不同步的时间，尽可能地减小对系统运行的影响。
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公开(公告)号：CN109103196B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201811013316.9
申请日：2018-08-31
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L27/11563 , H01L27/1157 , H01L27/1158
Abstract: 本申请公开了一种三维存储器，该存储器中，其每个沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层作为对应存储串的各个存储单元的源极和漏极，同一存储串内的各个存储单元均可以通过源极和漏极实现电路通路，因而，通过同一沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层能够将同一存储串内的各个存储单元形成并联结构。如此，在每个存储单元的栅极上施加较小的控制电压即可实现对存储单元的选通，而且，因同一存储串内的各个存储单元为并联结构。因而，该三维存储器的结构有利于降低三维存储器中的读取干扰、传输干扰和编辑干扰。
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公开(公告)号：CN111638994A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010484571.2
申请日：2020-06-01
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种闪存存储器及其错误比特计数检测方法和系统，ECC控制模块将需要进行错误比特计数的逻辑块的逻辑地址发送至块标志电路，块标志电路对逻辑块的逻辑地址进行译码，获得与逻辑块的逻辑地址对应的物理地址，并将物理地址的地址标记信号发送至对应的错误比特模块，错误比特模块根据块标志电路发送的地址标记信号以及页缓存器输出的错误标记信号，对具有验证错误的存储单元进行计数，即本发明中按照ECC控制模块的逻辑块进行错误比特计数，提高了错误比特计数检测的准确性。
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公开(公告)号：CN108986865B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810711889.2
申请日：2018-06-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种非易失性存储系统及其读取方法。非易失性存储系统可包括：存储单元阵列，具有多个存储单元；字线电压产生器，产生提供给存储单元的第一尝试读取电压和第二尝试读取电压，其中第一和第二尝试读取电压适于将处于最高态的存储单元按照阈值电压分为三个部分，第二尝试读取电压小于第一尝试读取电压；控制逻辑，确定处于最高态下的存储单元中，阈值电压高于第一尝试读取电压的第一部分存储单元的第一数量以及阈值电压介于第一和第二尝试读取电压之间的第二部分存储单元的第二数量；电压偏移确定模块，根据第一数量和第二数量确定对应最高态的第一阈值电压偏移量，以及根据第一阈值电压偏移量确定最高态以外的分布态的第二阈值电压偏移量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110993009A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911203481.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种3D NAND存储器擦除时的电压控制方法，在真存储单元的字线的偏置电压处于擦除控制电压时，将阱掺杂区的偏置电压上升至擦除工作电压并保持所述擦除工作电压，在阱掺杂区的偏置电压上升至第一中间电压期间，将伪存储单元的字线的偏置电压保持在第一预设电压，而后，将伪存储单元的字线设置为浮置状态，其中，第一预设电压小于第一中间电压，这样，减小伪存储单元所在的字线的电压与相邻的真存储单元所在的字线的电压差，避免在真存储器单元所在的字线和伪存储器所在的字线之间产生隧穿，从而避免伪存储器单元阈值电压漂移，避免存储器单元串电流的降低，进而避免真存储器单元的读错误。
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公开(公告)号：CN110383232A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201980000831.X
申请日：2019-05-05
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种存储器控制系统包括存储器接口、微控制器和序列处理单元。所述存储器接口电路接收存储器操作命令，并且根据所述存储器操作命令来生成多个操作指令。所述微控制器被耦合到所述存储器接口电路。所述微控制器接收多个操作指令并且通过预定协议根据调度算法来生成多个任务指令。所述序列处理单元被耦合到所述微控制器。所述序列处理单元通过预定协议接收多个任务指令并且利用所述序列处理单元的所述至少一个有限状态机根据所述多个任务指令来控制存储器件的多个电路。
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公开(公告)号：CN113051100B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110366221.0
申请日：2020-06-01
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种闪存存储器及其错误比特计数检测系统，ECC控制模块将需要进行错误比特计数的逻辑块的逻辑地址发送至块标志电路，块标志电路对逻辑块的逻辑地址进行译码，获得与逻辑块的逻辑地址对应的物理地址，并将物理地址的地址标记信号发送至对应的错误比特模块，错误比特模块根据块标志电路发送的地址标记信号以及页缓存器输出的错误标记信号，对具有验证错误的存储单元进行计数，即本发明中按照ECC控制模块的逻辑块进行错误比特计数，提高了错误比特计数检测的准确性。
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公开(公告)号：CN110620568B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201910877648.X
申请日：2019-09-17
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H03K3/017
Abstract: 本发明实施例提供了一种占空比校准装置及方法。其中，所述占空比校准装置包括：占空比检测电路，用于基于时钟信号，生成第一信号和第二信号；所述第一信号承载了所述时钟信号中高电平部分的信息；所述第二信号承载了所述时钟信号中低电平部分的信息；边沿检测电路，用于检测所述第一信号中的第一个变化边沿以及所述第二信号中的第一个变化边沿，得到检测结果；控制电路，用于基于得到的检测结果，生成第一控制信号；占空比调节电路，用于根据所述第一控制信号对所述时钟信号进行校准。如此，能够对高速时钟信号的校准进行快速响应，以实现对高速时钟信号的快速校准。
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