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公开(公告)号：CN113571115A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110737525.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种对存储器进行编程的方法：以第一编程电压对存储器进行第一次编程；验证第一次编程结果；统计第一次编程失败位数，并以第二编程电压对存储器进行第二次编程，第二编程电压大于第一编程电压；判断第一次编程的失败位数是否小于第一预设值，若否，则验证第二次编程结果；统计第二次编程的失败位数，并判断第二次编程的失败位数是否小于第二预设值，若否，则再次进行编程，直至失败位数小于第二预设值，其中，第二预设值小于第一预设值。本发明将第一预设值设置为较大的容值，根据第一次编程的失败位数是否小于第一预设值而判断编程是否成功，若成功，则不需要再进行第二次编程结果的验证，大大缩短了编程时间，且保证存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN113553213A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110795984.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请提供了一种存储单元的数据读取方法、存储器、存储系统及存储介质，涉及半导体设计及制造领域，方法包括：在施加默认读电压的情况下，多次对处于高态的第一存储单元进行读取得到多个感测电压，其中高态为存储单元的阈值电压大于等于预设阈值的状态；将多个所述感测电压与预设的参考电压进行比较，以确定最终状态值；对所述第一存储单元施加所述最终状态值对应的读电压，以对所述第一存储单元进行读取。通过在片内选择性地进行读取，能够补偿部分或全部的阈值电压的偏移带来的影响，减少读取失败的次数，从而降低正确读取的时间，提高存储单元的数据读取效率。
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公开(公告)号：CN113129980A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110510760.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请提供一种信息译码方法、装置、电子设备及存储介质，获取page(页)的目标基础信息，并根据目标基础信息确定page的目标最低读取次数和目标LLR信息，根据目标最低读取次数来确定page所需读取次数，确定每次读取的cell(存储单元)的阈值电压所属电压区域并利用目标LLR(置信度)信息获得的cell的LLR值，进而求得page中每个cell的LLR均值，以对page中所有cell的LLR均值进行译码得到page的译码结果。本申请可以降低因随机电报噪声引起的cell的阈值电压波动，使得赋予cell的LLR值不准确，导致LDPC软译码效率低，LDPC软译码纠错能力受限的问题。
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公开(公告)号：CN111863088B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010772077.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请提供一种信息译码方法、装置、电子设备及存储介质，获取page(页)的目标基础信息，并根据目标基础信息确定page的目标最低读取次数和目标LLR信息，根据目标最低读取次数来确定page所需读取次数，确定每次读取的cell(存储单元)的阈值电压所属电压区域并利用目标LLR(置信度)信息获得的cell的LLR值，进而求得page中每个cell的LLR均值，以对page中所有cell的LLR均值进行译码得到page的译码结果。本申请可以降低因随机电报噪声引起的cell的阈值电压波动，使得赋予cell的LLR值不准确，导致LDPC软译码效率低，LDPC软译码纠错能力受限的问题。
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公开(公告)号：CN111758131A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202080001162.0
申请日：2020-05-19
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种用于存储器阵列的控制方法，该控制方法包括：在编程阶段中对存储器阵列的位单元进行编程；以及在放电阶段中对存储器阵列的位单元进行放电；其中，编程阶段包括：利用多个编程电压脉冲对存储器阵列的位单元进行编程；其中，放电阶段包括：隔离存储器阵列的位单元的选择线；以及生成对存储器阵列的位单元的编程电压脉冲；其中，编程阶段可以是在放电阶段之后通过暂停命令被暂停到暂停阶段的；其中，暂停命令是在多个编程电压脉冲中的一个编程电压脉冲期间接收的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113571115B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110737525.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种对存储器进行编程的方法：以第一编程电压对存储器进行第一次编程；验证第一次编程结果；统计第一次编程失败位数，并以第二编程电压对存储器进行第二次编程，第二编程电压大于第一编程电压；判断第一次编程的失败位数是否小于第一预设值，若否，则验证第二次编程结果；统计第二次编程的失败位数，并判断第二次编程的失败位数是否小于第二预设值，若否，则再次进行编程，直至失败位数小于第二预设值，其中，第二预设值小于第一预设值。本发明将第一预设值设置为较大的容值，根据第一次编程的失败位数是否小于第一预设值而判断编程是否成功，若成功，则不需要再进行第二次编程结果的验证，大大缩短了编程时间，且保证存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN115274677A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210985441.6
申请日：2022-08-17
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L21/8246
Abstract: 本公开实施例公开了一种三维存储器及其制作方法以及存储系统，所述制作方法包括：提供基底，在所述基底上形成叠层结构；形成贯穿所述叠层结构的沟道孔，填充所述沟道孔以形成存储单元柱；形成贯穿所述叠层结构的电容孔，填充所述电容孔以形成电容，所述电容与所述叠层结构电隔离；其中，沿着所述电容的径向，所述电容包括：第一电极，围绕所述第一电极的第一介电层和第二电极，所述第一介电层位于所述第一电极和所述第二电极之间；其中，所述存储单元柱与所述基底耦接，所述第二电极与所述基底耦接。
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公开(公告)号：CN114996049A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210681040.1
申请日：2022-06-15
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种存储器及其操作方法、存储器系统、校准电路，其中，所述存储器的操作方法，包括：获取校准参数；根据所述校准参数，对用于表征存储器的失败比特位计数结果的计量值进行调整处理，以实现对所述存储器的失败比特位计数的校准；所述第一值采用温度计编码方式。
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公开(公告)号：CN113454722B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180002062.4
申请日：2021-05-19
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 在某些方面中，一种存储器器件包括：存储器串，存储器串包括漏极选择栅极(DSG)晶体管、多个存储器单元和源极选择栅极(SSG)晶体管；以及外围电路，外围电路耦合到存储器串。外围电路被配置为：响应于在对多个存储器单元中的选择存储器单元的编程操作期间的中断，接通DSG晶体管或SSG晶体管中的至少一个。外围电路还被配置为在接通DSG晶体管或SSG晶体管中的至少一个之后，暂停编程操作。
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公开(公告)号：CN113129980B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110510760.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请提供一种信息译码方法、装置、电子设备及存储介质，获取page(页)的目标基础信息，并根据目标基础信息确定page的目标最低读取次数和目标LLR信息，根据目标最低读取次数来确定page所需读取次数，确定每次读取的cell(存储单元)的阈值电压所属电压区域并利用目标LLR(置信度)信息获得的cell的LLR值，进而求得page中每个cell的LLR均值，以对page中所有cell的LLR均值进行译码得到page的译码结果。本申请可以降低因随机电报噪声引起的cell的阈值电压波动，使得赋予cell的LLR值不准确，导致LDPC软译码效率低，LDPC软译码纠错能力受限的问题。
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