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公开(公告)号：CN119694366A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311250494.4
申请日：2023-09-25
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C11/408 , G11C11/4074
Abstract: 本申请提供了一种字线驱动器、字线驱动方法、存储器及存储系统，属于存储技术领域。本申请提供的字线驱动器包括驱动电路，第一开关电路和开关控制电路。其中，第一开关电路能够将第一节点的电压下拉至第一电源端的电压，进而通过驱动电路将字线下拉至第一电源端的电压。由此，有效提高了对字线进行驱动时的灵活性。并且，开关控制电路能够将第二节点的电压下拉至第一电源端的电压，由于第一开关电路也与该第一电源端连接，因此可以使得第一开关电路能够在第二节点的控制下有效关断，从而有效降低第一节点处的漏电流。
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公开(公告)号：CN118678651A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310251545.9
申请日：2023-03-15
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法以及存储器系统，所述半导体器件包括：第一半导体结构，包括存储单元阵列，以及包括多个第一键合触点的第一键合层；第二半导体结构，包括外围电路和多个第二键合触点的第二键合层；所述外围电路包括稳压电路，所述稳压电路包括：比较器和晶体管阵列，所述晶体管阵列中的晶体管与外围电路中的一个感测放大电路(SA)对应耦接，所述稳压电路至少被配置为所述SA提供电源；其中，所述第一键合层和所述第二键合层键合；所述外围电路以及所述存储单元阵列通过所述第一键合触点以及所述第二键合触点耦接。
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公开(公告)号：CN112965667B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202110301415.2
申请日：2020-02-20
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种存储器件，包括多个平面、行驱动器和控制器。一种对存储器件进行编程的方法，包括：在编程操作中，行驱动器向多个平面中的第一平面中的多个存储单元施加编程脉冲；在行驱动器向多个存储单元施加编程脉冲之后，控制器验证多个存储单元是否已经达到预定的编程状态；以及，如果在多个存储单元以及被验证了预定次数之后所述多个存储单元中的预设数量的存储单元是否还未达到预定的编程状态，则控制器禁用第一平面。
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公开(公告)号：CN118486344A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202310127160.1
申请日：2023-02-10
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C11/406 , G11C16/06
Abstract: 本申请公开了一种存储器的操作方法、存储器及存储系统，属于存储技术领域。该存储器的操作方法包括：获取存储器中的第一存储块的第一衡量指标，第一衡量指标用于衡量第一存储块当前受泄漏电流的影响程度；若第一衡量指标大于指标阈值，根据基础刷新频率确定存储器中待刷新的第二存储块，基础刷新频率为在不考虑泄漏电流的基础上设置的刷新频率；若第一存储块与第二存储块不存在刷新冲突，对第一存储块和第二存储块进行共同刷新，第一存储块与第二存储块不同。此种操作方法，有利于降低存储器中的存储块的平均刷新频率，降低存储器的刷新所消耗的功率。
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公开(公告)号：CN112997253B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180000489.0
申请日：2021-02-09
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种用于操作三维(3D)存储器件的方法包括：执行用于感测第一晶体管串的第一存储单元的第一读取操作；以及执行用于感测第二晶体管串的第二存储单元的后续第二读取操作。执行第一读取操作包括：向第一位线施加第一位线电压；以及在检测到第一存储单元的数据状态之后保持第一位线基本上不放电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113553213B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110795984.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请提供了一种存储单元的数据读取方法、存储器、存储系统及存储介质，涉及半导体设计及制造领域，方法包括：在施加默认读电压的情况下，多次对处于高态的第一存储单元进行读取得到多个感测电压，其中高态为存储单元的阈值电压大于等于预设阈值的状态；将多个所述感测电压与预设的参考电压进行比较，以确定最终状态值；对所述第一存储单元施加所述最终状态值对应的读电压，以对所述第一存储单元进行读取。通过在片内选择性地进行读取，能够补偿部分或全部的阈值电压的偏移带来的影响，减少读取失败的次数，从而降低正确读取的时间，提高存储单元的数据读取效率。
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公开(公告)号：CN114822662A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210472297.6
申请日：2022-04-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种存储装置、验证方法和存储器系统，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列中的存储单元按行和列排列；耦接于所述存储单元阵列的感测电路，所述感测电路包括与感测节点耦接的第一感测电路、第二感测电路和第三感测电路；耦接于所述存储单元阵列和所述感测电路的控制逻辑，所述控制逻辑被配置为将所述感测节点预充电至预定初始电压，并改变感测时间点以使所述感测节点呈现至少三种不同电位；所述第一感测电路、所述第二感测电路和所述第三感测电路分别根据所述感测节点的至少三种不同电位感测得到第一验证信息、第二验证信息和第三验证信息。
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公开(公告)号：CN114758707A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210301825.1
申请日：2020-05-19
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种用于存储器阵列的控制方法，该控制方法包括：在编程阶段中对存储器阵列的位单元进行编程；以及在放电阶段中对存储器阵列的位单元进行放电；其中，编程阶段包括：利用多个编程电压脉冲对存储器阵列的位单元进行编程；其中，放电阶段包括：隔离存储器阵列的位单元的选择线；以及生成对存储器阵列的位单元的编程电压脉冲；其中，编程阶段可以是在放电阶段之后通过暂停命令被暂停到暂停阶段的；其中，暂停命令是在多个编程电压脉冲中的一个编程电压脉冲期间接收的。
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公开(公告)号：CN114400033A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111624253.2
申请日：2021-12-28
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种存储装置及其控制方法，其中，所述存储装置包括：存储阵列，所述存储阵列包括多个存储块；全局字线，耦合至所述存储阵列中的多个存储块；所述全局字线通过串驱动器与所述存储块的本地字线相连接；与所述全局字线连接的电源切换模块，配置为在擦除放电阶段，将所述全局字线从第一电源切换为第二电源；其中，所述第一电源的第一输出电压小于所述第二电源的第二输出电压。
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公开(公告)号：CN113921062A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111095449.7
申请日：2021-09-17
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请实施例提供一种存储器存储器及其编程方法，所述方法包括：将第一编程脉冲施加到被选择的存储单元的字线，对所述被选择的存储单元进行第一编程；对经过第一编程的存储单元进行编程验证；其中，当所述编程验证为当前编程循环中的首次验证，则基于第一感应时长进行第一验证；当所述编程验证不是当前编程循环中的首次验证，基于第二感应时长进行第二验证；所述第二感应时长与所述第一感应时长不同。
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