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公开(公告)号:CN110993009B
公开(公告)日:2022-03-11
申请号:CN201911203481.5
申请日:2019-11-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种3D NAND存储器擦除时的电压控制方法,在真存储单元的字线的偏置电压处于擦除控制电压时,将阱掺杂区的偏置电压上升至擦除工作电压并保持所述擦除工作电压,在阱掺杂区的偏置电压上升至第一中间电压期间,将伪存储单元的字线的偏置电压保持在第一预设电压,而后,将伪存储单元的字线设置为浮置状态,其中,第一预设电压小于第一中间电压,这样,减小伪存储单元所在的字线的电压与相邻的真存储单元所在的字线的电压差,避免在真存储器单元所在的字线和伪存储器所在的字线之间产生隧穿,从而避免伪存储器单元阈值电压漂移,避免存储器单元串电流的降低,进而避免真存储器单元的读错误。
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公开(公告)号:CN115088035A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202180000413.8
申请日:2021-01-19
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C11/4063
Abstract: 半导体存储器件包括存储单元阵列和外围电路。存储单元阵列包括存储单元的块。外围电路可以响应于对字线组中的第一字线的第一写入操作执行第一编程验证循环,从而将与第一字线相关联的存储单元编程为多个状态。字线组包括一条或多条字线。然后,外围电路基于第一编程验证循环中的感测结果确定多个状态的验证起始循环,并且响应于对字线组中的第二字线的第二写入操作来执行具有多个状态的确定的验证起始循环的第二编程验证循环。
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公开(公告)号:CN114822652A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210267733.6
申请日:2019-11-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种3D NAND存储器擦除时的电压控制方法,在真存储单元的字线的偏置电压处于擦除控制电压时,将阱掺杂区的偏置电压上升至擦除工作电压并保持所述擦除工作电压,在阱掺杂区的偏置电压上升至第一中间电压期间,将伪存储单元的字线的偏置电压保持在第一预设电压,而后,将伪存储单元的字线设置为浮置状态,其中,第一预设电压小于第一中间电压,这样,减小伪存储单元所在的字线的电压与相邻的真存储单元所在的字线的电压差,避免在真存储器单元所在的字线和伪存储器所在的字线之间产生隧穿,从而避免伪存储器单元阈值电压漂移,避免存储器单元串电流的降低,进而避免真存储器单元的读错误。
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公开(公告)号:CN113035256A
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN202110351844.0
申请日:2018-11-05
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种闪存器的数据读取方法及装置、存储设备。所述方法包括:在干扰抑制阶段,向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压;在读取阶段,向所述闪存器选择的字线施加用于读取数据的第二电压;所述在干扰抑制阶段,向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压,包括:在位于所述读取阶段之前的第一干扰抑制阶段,向所述闪存器选择的字线施加第一子电压;所述第一电压包括所述第一子电压;所述第一子电压高于所述第二电压。
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公开(公告)号:CN110993009A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201911203481.5
申请日:2019-11-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种3D NAND存储器擦除时的电压控制方法,在真存储单元的字线的偏置电压处于擦除控制电压时,将阱掺杂区的偏置电压上升至擦除工作电压并保持所述擦除工作电压,在阱掺杂区的偏置电压上升至第一中间电压期间,将伪存储单元的字线的偏置电压保持在第一预设电压,而后,将伪存储单元的字线设置为浮置状态,其中,第一预设电压小于第一中间电压,这样,减小伪存储单元所在的字线的电压与相邻的真存储单元所在的字线的电压差,避免在真存储器单元所在的字线和伪存储器所在的字线之间产生隧穿,从而避免伪存储器单元阈值电压漂移,避免存储器单元串电流的降低,进而避免真存储器单元的读错误。
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公开(公告)号:CN113035256B
公开(公告)日:2022-05-10
申请号:CN202110351844.0
申请日:2018-11-05
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种闪存器的数据读取方法及装置、存储设备。所述方法包括:在干扰抑制阶段,向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压;在读取阶段,向所述闪存器选择的字线施加用于读取数据的第二电压;所述在干扰抑制阶段,向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压,包括:在位于所述读取阶段之前的第一干扰抑制阶段,向所述闪存器选择的字线施加第一子电压;所述第一电压包括所述第一子电压;所述第一子电压高于所述第二电压。
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