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公开(公告)号：CN109496336B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201880002306.7
申请日：2018-10-26
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C16/08
Abstract: 一种数据处理方法包括以下步骤：将一页比特数据划分成多个组；对多个组中的每个组中第一比特值的数量和第二比特值的数量进行计数；比较所述第一比特值的数量和所述第二比特值的数量；基于比较所述第一比特值的数量和所述第二比特值的数量的结果，对所述多个组中的每组进行再成形流程；以及在所述再成形流程之后，在存储器中存储所述一页比特数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108986865B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810711889.2
申请日：2018-06-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种非易失性存储系统及其读取方法。非易失性存储系统可包括：存储单元阵列，具有多个存储单元；字线电压产生器，产生提供给存储单元的第一尝试读取电压和第二尝试读取电压，其中第一和第二尝试读取电压适于将处于最高态的存储单元按照阈值电压分为三个部分，第二尝试读取电压小于第一尝试读取电压；控制逻辑，确定处于最高态下的存储单元中，阈值电压高于第一尝试读取电压的第一部分存储单元的第一数量以及阈值电压介于第一和第二尝试读取电压之间的第二部分存储单元的第二数量；电压偏移确定模块，根据第一数量和第二数量确定对应最高态的第一阈值电压偏移量，以及根据第一阈值电压偏移量确定最高态以外的分布态的第二阈值电压偏移量。
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公开(公告)号：CN108986865A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810711889.2
申请日：2018-06-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种非易失性存储系统及其读取方法。非易失性存储系统可包括：存储单元阵列，具有多个存储单元；字线电压产生器，产生提供给存储单元的第一尝试读取电压和第二尝试读取电压，其中第一和第二尝试读取电压适于将处于最高态的存储单元按照阈值电压分为三个部分，第二尝试读取电压小于第一尝试读取电压；控制逻辑，确定处于最高态下的存储单元中，阈值电压高于第一尝试读取电压的第一部分存储单元的第一数量以及阈值电压介于第一和第二尝试读取电压之间的第二部分存储单元的第二数量；电压偏移确定模块，根据第一数量和第二数量确定对应最高态的第一阈值电压偏移量，以及根据第一阈值电压偏移量确定最高态以外的分布态的第二阈值电压偏移量。
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公开(公告)号：CN108831516A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810657590.3
申请日：2018-06-20
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种闪存存储器控制方法及闪存存储器控制装置。所述闪存存储器控制方法，包括如下步骤：获取分组编程次数，所述分组编程次数是若干待编程存储单元在分组编程过程中组间混叠程度保持在分组容限内的最大编程次数；判断所述待编程存储单元的剩余编程次数是否小于或等于所述分组编程次数，若是，则将若干所述待编程存储单元根据编程速度的不同进行分组；开始进行分组编程。本发明在减小编程误码率的同时，也能有效的提高编程速度，确保了闪存存储器的性能。
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公开(公告)号：CN108831516B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810657590.3
申请日：2018-06-20
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种闪存存储器控制方法及闪存存储器控制装置。所述闪存存储器控制方法，包括如下步骤：获取分组编程次数，所述分组编程次数是若干待编程存储单元在分组编程过程中组间混叠程度保持在分组容限内的最大编程次数；判断所述待编程存储单元的剩余编程次数是否小于或等于所述分组编程次数，若是，则将若干所述待编程存储单元根据编程速度的不同进行分组；开始进行分组编程。本发明在减小编程误码率的同时，也能有效的提高编程速度，确保了闪存存储器的性能。
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公开(公告)号：CN109496336A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201880002306.7
申请日：2018-10-26
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C16/08
Abstract: 一种数据处理方法包括以下步骤：将一页比特数据划分成多个组；对多个组中的每个组中第一比特值的数量和第二比特值的数量进行计数；比较所述第一比特值的数量和所述第二比特值的数量；基于比较所述第一比特值的数量和所述第二比特值的数量的结果，对所述多个组中的每组进行再成形流程；以及在所述再成形流程之后，在存储器中存储所述一页比特数据。
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