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公开(公告)号：CN116052743A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310234748.7
申请日：2021-02-09
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种用于操作三维(3D)存储器件的方法包括：执行用于感测第一存储单元串的第一存储单元的第一读取操作；以及执行用于感测第二存储单元串的第二存储单元的后续第二读取操作。执行第一读取操作包括：向第一位线施加第一位线电压；以及在检测到第一存储单元的数据状态之后保持第一位线基本上不放电。
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公开(公告)号：CN112997253A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202180000489.0
申请日：2021-02-09
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种用于操作三维(3D)存储器件的方法包括：执行用于感测第一晶体管串的第一存储单元的第一读取操作；以及执行用于感测第二晶体管串的第二存储单元的后续第二读取操作。执行第一读取操作包括：向第一位线施加第一位线电压；以及在检测到第一存储单元的数据状态之后保持第一位线基本上不放电。
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公开(公告)号：CN112997253B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180000489.0
申请日：2021-02-09
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种用于操作三维(3D)存储器件的方法包括：执行用于感测第一晶体管串的第一存储单元的第一读取操作；以及执行用于感测第二晶体管串的第二存储单元的后续第二读取操作。执行第一读取操作包括：向第一位线施加第一位线电压；以及在检测到第一存储单元的数据状态之后保持第一位线基本上不放电。
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