公开(公告)号：CN115007854B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202210805672.4

申请日：2022-07-08

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 张楠 ,  刘佳欣 ,  黄强 ,  戚飞 ,  贺利军 ,  王振 ,  王玉婵 ,  张文霞 ,  陈威威

IPC: B22F1/16 ,  B22F1/068 ,  C22C38/02 ,  C22C38/06 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法及其产品和应用，属于电磁吸收剂的制备技术领域。本发明公开了一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法，主要是将片状FeSiAl系合金微粉加入四甲氧基硅烷(TMOS)进行搅拌反应，在FeSiAl合金微粉表面形成二氧化硅薄层包覆。本发明的制备方法条件简单、容易操作、成本低廉，且形成的包覆层厚度均匀，能够大批量制备得到二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂。

公开(公告)号：CN113488525B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202110745217.5

申请日：2021-07-01

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  秦海峰 ,  王礼祥 ,  王玉婵 ,  许峰 ,  黄义 ,  张红升

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种具有电荷积累效应的超结EA‑SJ‑FINFET器件，属于半导体技术领域。该器件由控制区和LDMOS导电区组成，控制区由源栅隔离氧化层、控制区的P‑body、控制区的P型外包区、控制区的漏极N‑buffer区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极金属Al、源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明器件在传统FINFET器件的结构上，通过使用电荷积累效应和超结技术，提高了器件的击穿电压和跨导最大值，大幅降低了器件的比导通电阻，最终提高了器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。

公开(公告)号：CN110797064A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201911056869.7

申请日：2019-10-31

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玉婵 ,  袁素真 ,  王玉菡 ,  张文霞 ,  王斌 ,  陈伟中 ,  王振

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明涉及一种低功耗的相变存储器初始化操作方法，属于微纳米电子技术领域，在进行常规操作前，先施加一个大幅度的RESET操作脉冲，使得相变材料内部形成较大的非晶区域，再通过SET操作将此非晶区域完全转换为立方(FCC)晶粒区域，从而有效改善相变存储单元内部的晶粒分布，降低后续写操作电流，从而降低整个单元的操作功耗。

公开(公告)号：CN112258543B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202011172744.3

申请日：2020-10-28

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 袁素真 ,  高胜威 ,  文超 ,  乔治钦 ,  卿显荣 ,  王艳 ,  王玉婵 ,  吴沁洋 ,  余佳虹 ,  周峥錡

IPC: G06T7/136 ,  G06T7/11 ,  G06T7/90

Abstract: 本发明涉及一种新的量子图像存储模型NEQR表达的量子图像自适应分割方法，属于量子计算领域。该方法包括以下步骤：S1：制备待分割图像和辅助图像的NEQR表达式；S2：设计量子图像自适应阈值分割算法的量子线路，并对S1制备的量子图像表达式进行自适应分割处理；S3：对S2处理之后的量子图像表达式进行测量，得到图像表达式中的信息，并将其转化为图像信息。本发明通过加入辅助图像并对辅助量子比特位进行复用，能降低量子线路中的量子比特位和量子元件的数量，大幅度提高了量子图像算法的性能，使得量子图像自适应分割算法的仿真更加高效，为处理更大尺寸的量子图像打下了基础。

公开(公告)号：CN113078625A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110314789.8

申请日：2021-03-24

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玉婵 ,  袁一鸣 ,  张文霞 ,  戚飞 ,  张楠 ,  袁素真

IPC: H02H9/04 ,  H02H7/20 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明涉及一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法，属于半导体技术领域。该述浪涌保护阵列包括：PN二极管、下电极、下加热电极、硫系化合物层、上电极、衬底和绝热材料层；PN二极管呈栓状，等间距阵列式排布在硅衬底上；下电极位于PN二极管之上；下加热电极位于下电极之上；硫系化合物层位于下加热电极之上；上电极位于硫系化合物层之上；上电极呈条状等间距排布，且与硫系化合物层相互垂直。硫系化合物层上部与上电极构成电性连接；硫系化合物层下部通过下加热电极与下电极构成电性连接。本发明利用硫系化合物所特有的阈值导通特性实现过电压保护，是一种过压保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护阵列。

公开(公告)号：CN119875277A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411912492.1

申请日：2024-12-24

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 冉倩 ,  王玉婵 ,  张文霞 ,  许楠楠 ,  张楠

IPC: C08L33/12 ,  C08K3/16 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及一种Cs3Bi2I9纳米晶聚甲基丙烯酸甲酯复合材料的制备方法与应用，属于新材料领域。为解决现有复合材料制备工艺复杂、性能不佳的问题，本发明通过特定比例混合碘化铯、碘化铋、二甲基甲酰胺、油酸和油胺制备前驱液，再经异丙醇处理得到Cs3Bi2I9纳米晶，将纳米晶与聚甲基丙烯酸甲酯粉末及有机溶剂混合，制得复合材料。该复合材料可用于制备人工伤害感受器的阻变层，阻变层厚度为50～300nm，底电极采用透明导电玻璃材料，顶电极选用银、铝或金。本发明制备方法简单高效，所得复合材料性能稳定，应用于人工伤害感受器时，能实现高效、灵敏的伤害感知功能，具有广阔的应用前景和显著的有益效果。

公开(公告)号：CN116694325A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310679656.X

申请日：2023-06-08

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玉婵 ,  曾福嘉 ,  张文霞 ,  唐孝生 ,  陈光昊 ,  张楠 ,  戚飞

IPC: C09K11/66 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明涉及一种铜离子调控光学性能的锰掺杂钙钛矿量子点及其制备方法和应用，属于钙钛矿材料光学性能与应用技术领域。该钙钛矿量子点的化学式为CsMnxCuyPb1‑x‑yCl3(其中0.11≤x

公开(公告)号：CN113078625B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202110314789.8

申请日：2021-03-24

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玉婵 ,  袁一鸣 ,  张文霞 ,  戚飞 ,  张楠 ,  袁素真

IPC: H02H9/04 ,  H02H7/20 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明涉及一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法，属于半导体技术领域。该述浪涌保护阵列包括：PN二极管、下电极、下加热电极、硫系化合物层、上电极、衬底和绝热材料层；PN二极管呈栓状，等间距阵列式排布在硅衬底上；下电极位于PN二极管之上；下加热电极位于下电极之上；硫系化合物层位于下加热电极之上；上电极位于硫系化合物层之上；上电极呈条状等间距排布，且与硫系化合物层相互垂直。硫系化合物层上部与上电极构成电性连接；硫系化合物层下部通过下加热电极与下电极构成电性连接。本发明利用硫系化合物所特有的阈值导通特性实现过电压保护，是一种过压保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护阵列。

公开(公告)号：CN115483348A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202211347114.4

申请日：2022-10-31

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玉婵 ,  许楠楠 ,  袁一鸣 ,  曾福嘉 ,  陈光昊 ,  冉倩 ,  张文霞

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器制备技术领域。本发明公开了一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器，自下而上依次由衬底、底电极、阻变层、顶电极层叠组成，其中阻变层为掺杂Cs2AgSbBr6纳米晶体的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合薄膜。该阻变存储器通过改变掺入Cs2AgSbBr6纳米晶体的质量比能够实现对存储性能的调控，具有双极性非易失存储的特点。

公开(公告)号：CN112394905B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202011358674.0

申请日：2020-11-27

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 袁素真 ,  高胜威 ,  文超 ,  卿显荣 ,  乔治钦 ,  王艳 ,  王玉婵 ,  胡泽锐

IPC: G06F7/535 ,  G06N10/20 ,  G06F7/485

Abstract: 本发明涉及一种量子除法器的设计方法，属于量子运算领域。该方法包括以下步骤：S1：利用量子门设计n位量子比较器，实现两个n位二进制数的比较运算；S2：利用量子门设计等位和不等位量子减法器；S3：将步骤S1和S2中的比较器和减法器综合设计得到量子除法器；S4：采用经典计算机与IBM实验室提供的开源量子云模拟器搭建实验平台并进行仿真模拟实现量子除法运算。本发明通过加入辅助量子比特并进行复用，使得量子除法运算得以实现，并提高了量子除法运算的性能，为处理更复杂的量子计算打下了基础。