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公开(公告)号：CN115007854B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210805672.4
申请日：2022-07-08
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法及其产品和应用，属于电磁吸收剂的制备技术领域。本发明公开了一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法，主要是将片状FeSiAl系合金微粉加入四甲氧基硅烷(TMOS)进行搅拌反应，在FeSiAl合金微粉表面形成二氧化硅薄层包覆。本发明的制备方法条件简单、容易操作、成本低廉，且形成的包覆层厚度均匀，能够大批量制备得到二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂。
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公开(公告)号：CN119875277A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411912492.1
申请日：2024-12-24
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种Cs3Bi2I9纳米晶聚甲基丙烯酸甲酯复合材料的制备方法与应用，属于新材料领域。为解决现有复合材料制备工艺复杂、性能不佳的问题，本发明通过特定比例混合碘化铯、碘化铋、二甲基甲酰胺、油酸和油胺制备前驱液，再经异丙醇处理得到Cs3Bi2I9纳米晶，将纳米晶与聚甲基丙烯酸甲酯粉末及有机溶剂混合，制得复合材料。该复合材料可用于制备人工伤害感受器的阻变层，阻变层厚度为50～300nm，底电极采用透明导电玻璃材料，顶电极选用银、铝或金。本发明制备方法简单高效，所得复合材料性能稳定，应用于人工伤害感受器时，能实现高效、灵敏的伤害感知功能，具有广阔的应用前景和显著的有益效果。
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公开(公告)号：CN113078625B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110314789.8
申请日：2021-03-24
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H02H9/04 , H02H7/20 , H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法，属于半导体技术领域。该述浪涌保护阵列包括：PN二极管、下电极、下加热电极、硫系化合物层、上电极、衬底和绝热材料层；PN二极管呈栓状，等间距阵列式排布在硅衬底上；下电极位于PN二极管之上；下加热电极位于下电极之上；硫系化合物层位于下加热电极之上；上电极位于硫系化合物层之上；上电极呈条状等间距排布，且与硫系化合物层相互垂直。硫系化合物层上部与上电极构成电性连接；硫系化合物层下部通过下加热电极与下电极构成电性连接。本发明利用硫系化合物所特有的阈值导通特性实现过电压保护，是一种过压保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115483348A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211347114.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器制备技术领域。本发明公开了一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器，自下而上依次由衬底、底电极、阻变层、顶电极层叠组成，其中阻变层为掺杂Cs2AgSbBr6纳米晶体的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合薄膜。该阻变存储器通过改变掺入Cs2AgSbBr6纳米晶体的质量比能够实现对存储性能的调控，具有双极性非易失存储的特点。
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公开(公告)号：CN115007854A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210805672.4
申请日：2022-07-08
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法及其产品和应用，属于电磁吸收剂的制备技术领域。本发明公开了一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法，主要是将片状FeSiAl系合金微粉加入四甲氧基硅烷(TMOS)进行搅拌反应，在FeSiAl合金微粉表面形成二氧化硅薄层包覆。本发明的制备方法条件简单、容易操作、成本低廉，且形成的包覆层厚度均匀，能够大批量制备得到二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂。
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公开(公告)号：CN116328797A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310369313.3
申请日：2023-04-07
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: B01J27/057 , C01B3/04
Abstract: 本发明涉及一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用，属于半导体异质结技术领域。该异质结材料中1T相HfS2二维半导体层堆垛在具有六元环船式构象的β‑SnSe二维半导体层上，层与层之间存在真空层。其中，HfS2二维半导体层和β‑SnSe二维半导体层之间具有4种堆垛方式，形成的异质结材料为四方体结构。在该异质结材料中氧化反应和还原反应发生在不同的半导体层上，其带边电位受各半导体层真空能级的影响，氧化势和还原势不再有直接的关联，因此无需相差1.23eV的条件，因而对带隙没有要求，有助于增加光吸收，从而确保了其在光催化中的应用。计算结果表明，HfS2/β‑SnSe异质结材料的太阳能转化为氢气的效率(STH)可达14.29％，在商业上具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN113948639A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111210555.5
申请日：2021-10-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种基于无铅铯锑碘钙钛矿阻变存储器及其制备方法，属于钙钛矿阻变存储器技术领域。本发明提出的一种基于无铅铯锑碘钙钛矿的阻变存储器及其制备方法，不仅工艺简单、还在钙钛矿阻变层中用锑元素取代铅元素，使器件制备过程绿色环保低毒；同时制备的无铅铯锑碘钙钛矿的阻变存储器结构简单，是一种非易失性存储器，具有良好的存储耐久性、较长的数据保持力以及优异的稳定性和可重复性，并且擦写电压低，可在低功耗状态下实现数据存储。本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
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公开(公告)号：CN116328797B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310369313.3
申请日：2023-04-07
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: B01J27/057 , C01B3/04
Abstract: 本发明涉及一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用，属于半导体异质结技术领域。该异质结材料中1T相HfS2二维半导体层堆垛在具有六元环船式构象的β‑SnSe二维半导体层上，层与层之间存在真空层。其中，HfS2二维半导体层和β‑SnSe二维半导体层之间具有4种堆垛方式，形成的异质结材料为四方体结构。在该异质结材料中氧化反应和还原反应发生在不同的半导体层上，其带边电位受各半导体层真空能级的影响，氧化势和还原势不再有直接的关联，因此无需相差1.23eV的条件，因而对带隙没有要求，有助于增加光吸收，从而确保了其在光催化中的应用。计算结果表明，HfS2/β‑SnSe异质结材料的太阳能转化为氢气的效率(STH)可达14.29％，在商业上具有巨大的应用潜力。
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