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公开(公告)号：CN110797064A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911056869.7
申请日：2019-10-31
Applicant: 重庆邮电大学
Inventor： 王玉婵 , 袁素真 , 王玉菡 , 张文霞 , 王斌 , 陈伟中 , 王振
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种低功耗的相变存储器初始化操作方法，属于微纳米电子技术领域，在进行常规操作前，先施加一个大幅度的RESET操作脉冲，使得相变材料内部形成较大的非晶区域，再通过SET操作将此非晶区域完全转换为立方(FCC)晶粒区域，从而有效改善相变存储单元内部的晶粒分布，降低后续写操作电流，从而降低整个单元的操作功耗。
