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公开(公告)号：CN117069591B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202311035038.8
申请日：2023-08-16
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: C07C209/00 , C07C211/27 , C30B7/14 , C30B29/54 , C30B29/64 , C09K11/06 , C09K11/66 , H10K50/10 , H10K30/50
Abstract: 本发明涉及一种手性钙钛矿晶体片及其制备方法和应用，属于光电子材料与器件技术领域。该手性钙钛矿晶体片的制备方法为：先将具有螺旋结构的手性有机配体(R/S)‑甲基苄胺与由PbO和HBr制备的钙钛矿前驱液共置于密闭环境中反应，然后依次经油浴加热、自然冷却、真空抽滤、洗涤和干燥而得。与常规制备方法相比，该方法简单、耗时短、制备单晶的效率和产率高、对添加化学试剂的顺序、物料配比以及操作环境没有严格的要求。制备出的单晶呈尺寸大(长度约1cm)、硬度高、较厚的片状、具有不易破损等特点，同时展现出良好的圆二色性和手性诱导自旋选择特性，从而在手性自旋光电子器件中具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN103887362B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410122853.2
申请日：2014-03-28
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型衬底层上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底层的掺杂浓度；本发明提高了雪崩光电二极管器件的速率、频率响应和带宽。
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公开(公告)号：CN116328797B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310369313.3
申请日：2023-04-07
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: B01J27/057 , C01B3/04
Abstract: 本发明涉及一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用，属于半导体异质结技术领域。该异质结材料中1T相HfS2二维半导体层堆垛在具有六元环船式构象的β‑SnSe二维半导体层上，层与层之间存在真空层。其中，HfS2二维半导体层和β‑SnSe二维半导体层之间具有4种堆垛方式，形成的异质结材料为四方体结构。在该异质结材料中氧化反应和还原反应发生在不同的半导体层上，其带边电位受各半导体层真空能级的影响，氧化势和还原势不再有直接的关联，因此无需相差1.23eV的条件，因而对带隙没有要求，有助于增加光吸收，从而确保了其在光催化中的应用。计算结果表明，HfS2/β‑SnSe异质结材料的太阳能转化为氢气的效率(STH)可达14.29％，在商业上具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115710503A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211459222.0
申请日：2022-11-17
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶的制备方法及其产品和应用，属于钙钛矿半导体纳米晶制备技术领域。本发明的制备方法不仅成功在全无机钙钛矿半导体纳米晶中引入铈离子降低铅含量，成功提升全无机钙钛矿半导体纳米晶的光学性能；同时该全无机钙钛矿半导体纳米晶只需要在常温环境中进行，也为工业生产提供可行性。本发明还公开了一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶，具有缺陷密度低、光学性能好的优点性能，在量子点发光二极管(QLED)中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108649130A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810442690.4
申请日：2018-05-10
Applicant: 重庆邮电大学
CPC classification number: H01L51/5044 , H01L51/56
Abstract: 本发明请求保护一种叠层蓝光有机电致发光器件及其制造工艺，包括基板，堆叠设置的阳极、其他功能层、双发光单元、单电荷产生层和阴极，所述双发光单元被电荷产生层隔开，双发光单元均为蓝色发光单元，所述蓝色发光层包括主体材料、客体材料，客体以10wt％掺杂在主体材料中。器件结构中空穴阻挡有效地抑制了蓝色发光单元的空穴扩散到电子传输材料中形成激子辐射发出绿光，形成绿色肩峰。本发明的技术方案不仅提高了器件的发光效率，还使得器件蓝光发射更加纯正。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117069591A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311035038.8
申请日：2023-08-16
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: C07C209/00 , C07C211/27 , C30B7/14 , C30B29/54 , C30B29/64 , C09K11/06 , C09K11/66 , H10K50/10 , H10K30/50
Abstract: 本发明涉及一种手性钙钛矿晶体片及其制备方法和应用，属于光电子材料与器件技术领域。该手性钙钛矿晶体片的制备方法为：先将具有螺旋结构的手性有机配体(R/S)‑甲基苄胺与由PbO和HBr制备的钙钛矿前驱液共置于密闭环境中反应，然后依次经油浴加热、自然冷却、真空抽滤、洗涤和干燥而得。与常规制备方法相比，该方法简单、耗时短、制备单晶的效率和产率高、对添加化学试剂的顺序、物料配比以及操作环境没有严格的要求。制备出的单晶呈尺寸大(长度约1cm)、硬度高、较厚的片状、具有不易破损等特点，同时展现出良好的圆二色性和手性诱导自旋选择特性，从而在手性自旋光电子器件中具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN116328797A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310369313.3
申请日：2023-04-07
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: B01J27/057 , C01B3/04
Abstract: 本发明涉及一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用，属于半导体异质结技术领域。该异质结材料中1T相HfS2二维半导体层堆垛在具有六元环船式构象的β‑SnSe二维半导体层上，层与层之间存在真空层。其中，HfS2二维半导体层和β‑SnSe二维半导体层之间具有4种堆垛方式，形成的异质结材料为四方体结构。在该异质结材料中氧化反应和还原反应发生在不同的半导体层上，其带边电位受各半导体层真空能级的影响，氧化势和还原势不再有直接的关联，因此无需相差1.23eV的条件，因而对带隙没有要求，有助于增加光吸收，从而确保了其在光催化中的应用。计算结果表明，HfS2/β‑SnSe异质结材料的太阳能转化为氢气的效率(STH)可达14.29％，在商业上具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN113948639A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111210555.5
申请日：2021-10-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种基于无铅铯锑碘钙钛矿阻变存储器及其制备方法，属于钙钛矿阻变存储器技术领域。本发明提出的一种基于无铅铯锑碘钙钛矿的阻变存储器及其制备方法，不仅工艺简单、还在钙钛矿阻变层中用锑元素取代铅元素，使器件制备过程绿色环保低毒；同时制备的无铅铯锑碘钙钛矿的阻变存储器结构简单，是一种非易失性存储器，具有良好的存储耐久性、较长的数据保持力以及优异的稳定性和可重复性，并且擦写电压低，可在低功耗状态下实现数据存储。本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
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公开(公告)号：CN110391344A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910560563.9
申请日：2019-06-26
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于阳极修饰层的提高效率稳定性的有机发光二极管(Organic Light-emitting Diode,OLED)，包括玻璃衬底、所述玻璃衬底上制备有氧化烟锡(ITO)阳极、缓冲修饰层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，本发明的有机发光二极管采用的是MoO3作为缓冲修饰层，其厚度分别为1nm,5nm,10nm,20nm。相比无修饰层的器件，本实施例的器件电流效率不稳定的问题得到显著改善，且提高了器件的亮度及效率；同时，器件制备工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN115007854B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210805672.4
申请日：2022-07-08
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法及其产品和应用，属于电磁吸收剂的制备技术领域。本发明公开了一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法，主要是将片状FeSiAl系合金微粉加入四甲氧基硅烷(TMOS)进行搅拌反应，在FeSiAl合金微粉表面形成二氧化硅薄层包覆。本发明的制备方法条件简单、容易操作、成本低廉，且形成的包覆层厚度均匀，能够大批量制备得到二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂。
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