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公开(公告)号：CN115710503A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211459222.0
申请日：2022-11-17
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶的制备方法及其产品和应用，属于钙钛矿半导体纳米晶制备技术领域。本发明的制备方法不仅成功在全无机钙钛矿半导体纳米晶中引入铈离子降低铅含量，成功提升全无机钙钛矿半导体纳米晶的光学性能；同时该全无机钙钛矿半导体纳米晶只需要在常温环境中进行，也为工业生产提供可行性。本发明还公开了一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶，具有缺陷密度低、光学性能好的优点性能，在量子点发光二极管(QLED)中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111704168A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010599678.1
申请日：2020-06-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅单颗粒包裹锰掺杂纯无机钙钛矿的纳米晶及其制备方法和应用，属于纳米材料技术领域。本发明的纳米晶具有核壳结构，即使用作为壳的球形二氧化硅单颗粒对单个的锰掺杂纯无机钙钛矿材料的核进行包覆，得到具有良好分散性和光学性能的纳米晶，解决现有技术中由于传统SiO2包覆方式由于SiO2体积较大、锰掺杂材料团聚而引起的光学性能较差等问题，在太阳能电池、LED、微激光等领域具有广泛的应用前景。另外本发明提供的一种二氧化硅单颗粒包裹锰掺杂纯无机钙钛矿的纳米晶的制备方法，其制备过程中二氧化硅颗粒的生长可控，同时制备方法简单、容易操作。
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公开(公告)号：CN111710745B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010599721.4
申请日：2020-06-28
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/036 , B81B7/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种锰掺杂纯无机钙钛矿‑Au纳米晶异质结及其制备方法和应用，属于纳米材料技术领域。本发明的锰掺杂纯无机钙钛矿‑Au纳米晶异质结，将球形的Au颗粒直接生长在锰掺杂纯无机钙钛矿形成的纳米晶上形成一种异质结，具有分散性好、结晶性好、光学性能优异的特点，同时还具有较好的光学稳定性，在太阳能电池或光催化等领域具有广泛的应用前景。本发明一种锰掺杂纯无机钙钛矿‑Au纳米晶异质结的制备方法，具有制备方法简单、可控等优点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN115007854B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210805672.4
申请日：2022-07-08
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法及其产品和应用，属于电磁吸收剂的制备技术领域。本发明公开了一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法，主要是将片状FeSiAl系合金微粉加入四甲氧基硅烷(TMOS)进行搅拌反应，在FeSiAl合金微粉表面形成二氧化硅薄层包覆。本发明的制备方法条件简单、容易操作、成本低廉，且形成的包覆层厚度均匀，能够大批量制备得到二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂。
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公开(公告)号：CN116144348A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211492472.4
申请日：2022-11-25
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种锰离子掺杂甲脒铅溴钙钛矿纳米晶的制备方法及其产品和应用，属于钙钛矿纳米晶制备技术领域。本发明的制备方法，主要是将前驱体溶液(溴化甲脒(FABr)与溴化铅(PbBr2)加入由油酸、N,N‑二甲基甲酰胺与油胺形成的混合溶液中形成与二氯化锰(MnCl2)的N,N‑二甲基甲酰胺溶液反应后离心。本发明的制备方法是简单、容易操作，且在室温下进行，改变了以往需要高温高压和N2保护的严苛条件，并且可以在工业生产中进行广发推广，有利于工业生产应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111710745A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010599721.4
申请日：2020-06-28
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/036 , B81B7/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种锰掺杂纯无机钙钛矿-Au纳米晶异质结及其制备方法和应用，属于纳米材料技术领域。本发明的锰掺杂纯无机钙钛矿-Au纳米晶异质结，将球形的Au颗粒直接生长在锰掺杂纯无机钙钛矿形成的纳米晶上形成一种异质结，具有分散性好、结晶性好、光学性能优异的特点，同时还具有较好的光学稳定性，在太阳能电池或光催化等领域具有广泛的应用前景。本发明一种锰掺杂纯无机钙钛矿-Au纳米晶异质结的制备方法，具有制备方法简单、可控等优点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN119677286A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411671510.1
申请日：2024-11-21
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种基于Cs2CuBiI6薄膜的自供电光电探测器及其制备方法。其结构由玻璃衬底、PEDOT:PSS导电聚合物层、Cs2CuBiI6薄膜层、PC61BM薄膜层、BCP层以及银电极构成。本发明所述技术方案采用简单的制备方法实现了非铅Cs2CuBiI6薄膜薄膜的制备，克服了传统钙钛矿结构在不稳定性和铅毒性上的缺点，并且制备得到光电探测器具有响应速度快等优异的光电探测性能，对钙钛矿光探测器简化工艺简单、环境友好、进而走向实用化具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN116949573A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310477040.4
申请日：2023-04-27
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种零维锑基有机‑无机杂化金属卤化物单晶材料及其制备方法和应用，属于发光材料技术领域。本发明主要是以乙基三苯基氯化膦(EPPCl)、三氯化锑(SbCl3)为原料，以二氯甲烷作为溶剂、乙醚作为反溶剂制备单晶材料((EPP)2SbCl5·CH2Cl2单晶)，该制备方法具有方便、易重复等特点，制备得到的锑基有机‑无机杂化金属卤化物单晶展现出明亮的橙红色发射以及近单位的PLQY，在白光固态照明方面具有重要的应用。
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公开(公告)号：CN116234398A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211721334.9
申请日：2022-12-30
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种银铟硫量子点‑白光OLED发光器件的制备方法及其产品和应用，属于量子点材料的制备技术领域。本发明主要是将银铟硫量子点(AgInS2量子点)和PMMA旋涂在OLED器件上形成颜色转换层后得到银铟硫量子点‑白光OLED发光器件。该银铟硫量子点‑白光OLED发光器件的蓝色发光区域采用OLED，相较于三原色OLED器件，单层成本更低、制作更为简单；并且该银铟硫量子点‑白光OLED发光器件((AgInS2‑OLED)的白光区域中的橙红光部分采用银铟硫量子点(AgInS2量子点)作为颜色转换层，其制备方法简单、可控；另外制备的银铟硫量子点‑白光OLED发光器件流明效率高达35％，可进一步在显示器件中实现应用。
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公开(公告)号：CN115007854A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210805672.4
申请日：2022-07-08
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法及其产品和应用，属于电磁吸收剂的制备技术领域。本发明公开了一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法，主要是将片状FeSiAl系合金微粉加入四甲氧基硅烷(TMOS)进行搅拌反应，在FeSiAl合金微粉表面形成二氧化硅薄层包覆。本发明的制备方法条件简单、容易操作、成本低廉，且形成的包覆层厚度均匀，能够大批量制备得到二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂。
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