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发明公开
一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶的制备方法及其产品和应用无效

公开(公告)号：CN115710503A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211459222.0

申请日：2022-11-17

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王振 , 谭星 , 陈威威

IPC: C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H10K71/00

Abstract: 本发明涉及一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶的制备方法及其产品和应用，属于钙钛矿半导体纳米晶制备技术领域。本发明的制备方法不仅成功在全无机钙钛矿半导体纳米晶中引入铈离子降低铅含量，成功提升全无机钙钛矿半导体纳米晶的光学性能；同时该全无机钙钛矿半导体纳米晶只需要在常温环境中进行，也为工业生产提供可行性。本发明还公开了一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶，具有缺陷密度低、光学性能好的优点性能，在量子点发光二极管(QLED)中具有良好的应用前景。

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