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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104794294B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510204629.2
申请日：2015-04-27
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种Ge/Si SACM结构雪崩光电二极管的等效电路模型建立方法，属于半导体光电二极管技术领域。该方法基于Ge/Si异质结特性，从器件内部的物理机理上对Ge/Si SACM‑APD器件进行理论分析，从APD速率方程、噪声电流、暗电流和寄生参量四部分来建立APD的等效电路模型，包括以下步骤：1)将物理模型分解为多个部分，根据每一层结构构造载流子输运方程；2)构造对应于每一部分的子电路模块；3)互联这些子电路模块，建立等效电路模型。采用本方法可以很方便地对硅基APD器件进行模拟与设计，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103887362B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410122853.2
申请日：2014-03-28
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型衬底层上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底层的掺杂浓度；本发明提高了雪崩光电二极管器件的速率、频率响应和带宽。
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公开(公告)号：CN104811739A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510205008.6
申请日：2015-04-27
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H04N19/80 , H04N19/117 , H04N19/436
Abstract: 本发明涉及一种基于运动补偿的H.264快速插值方法，属于视频编码技术领域。包括以下步骤：1)用系数为(-1,5,5,-1)的4阶滤波器对水平方向上相邻的4个整数像素点进行插值，先得到中间值，然后经过加法、移位运算，得到预测值；2)对于垂直方向的二分之一像素，用系数为(-1,5,5,-1)的4阶滤波器对垂直方向上相邻的4个整数像素点进行插值，得到中间值，然后经过加法、移位运算，得到预测值；3)对于对角线方向的二分之一像素，用系数为(-1,5,5,-1)的4阶滤波器对水平或垂直方向上对相邻的4个二分之一像素点中间值进行插值，先得到中间值，然后再对中间值进行加法、移位处理得到预测值。本方法相比于传统方法，可以在提高运算时间的同时，减少计算复杂度，减小硬件的资源消耗。
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公开(公告)号：CN104794294A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510204629.2
申请日：2015-04-27
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种Ge/Si SACM结构雪崩光电二极管的等效电路模型建立方法，属于半导体光电二极管技术领域。该方法基于Ge/Si异质结特性，从器件内部的物理机理上对Ge/Si SACM-APD器件进行理论分析，从APD速率方程、噪声电流、暗电流和寄生参量四部分来建立APD的等效电路模型，包括以下步骤：1)将物理模型分解为多个部分，根据每一层结构构造载流子输运方程；2)构造对应于每一部分的子电路模块；3)互联这些子电路模块，建立等效电路模型。采用本方法可以很方便地对硅基APD器件进行模拟与设计，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103887362A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410122853.2
申请日：2014-03-28
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/035272
Abstract: 本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型衬底层上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底层的掺杂浓度；本发明提高了雪崩光电二极管器件的速率、频率响应和带宽。
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