公开(公告)号：CN103887362B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410122853.2

申请日：2014-03-28

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  王川 ,  颜琳淑 ,  胡洁 ,  王婷 ,  杜超雨 ,  王振 ,  袁军

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型衬底层上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底层的掺杂浓度；本发明提高了雪崩光电二极管器件的速率、频率响应和带宽。

公开(公告)号：CN103887362A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410122853.2

申请日：2014-03-28

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  王川 ,  颜琳淑 ,  胡洁 ,  王婷 ,  杜超雨 ,  王振 ,  袁军

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/107 ,  H01L31/035272

Abstract: 本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型衬底层上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底层的掺杂浓度；本发明提高了雪崩光电二极管器件的速率、频率响应和带宽。