公开(公告)号：CN117892582A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410041305.0

申请日：2024-01-10

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 贺利军 ,  张朝鹏 ,  王理燕 ,  禹谜 ,  龙兴 ,  米成 ,  马康 ,  佘良

IPC: G06F30/23 ,  G06F17/13

Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器性能优化的仿真方法，属于阻变存储器的性能改善技术领域。本发明公开的一种阻变存储器性能优化的仿真方法，主要是通过对二氧化钒阻变存储器施加电压来有效观察氧空位的动态变化过程，进而模拟导电细丝的形成与断裂，验证二氧化钒的阻变特性，同时添加了叠层结构(叠层器件具有更高的开关比)，从而有效的改善不同存储状态区分度的问题。

公开(公告)号：CN118788362A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410776681.4

申请日：2024-06-17

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 贺利军 ,  米成 ,  王理燕 ,  禹谜 ,  佘良 ,  马康 ,  龙兴 ,  张朝鹏

IPC: B01J27/04 ,  B01J27/057 ,  B01J35/39 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明涉及具有高效光催化性能的异质结材料及其模型构建方法和应用，属于异质结材料的技术领域。本发明公开的异质结材料的上层材料为单层的HfS2的1T相、下层材料为单层的AlX的1T相(X为为S、Se或Te中得任意一种)，其中单层的HfS2与单层的AlX之间的晶格失配率小于等于5％。本发明采用Material Studio软件进行模型构建，该方法只需输入晶体结构信息并进行计算，无需依赖其他实验或经验参数。同时该方法具有良好的可移植性，避免了传统实验试错法所面临的周期长、受制于材料制备工艺等环境因素的影响。这极大地提高了新材料设计的效率，降低了光催化材料的研发成本。

公开(公告)号：CN118472092A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410638770.2

申请日：2024-05-22

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 贺利军 ,  马康 ,  王理燕 ,  佘良 ,  米成 ,  禹谜 ,  龙兴 ,  张朝鹏

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及一种具有多孔电极结构的紫外探测器，属于半导体器件技术领域。该紫外探测器包括：N型层，其作为衬底；P型层，形成于所述N型层表面；多孔层，形成于所述P型层表面，所述多孔层中包括多个通过刻蚀形成的孔洞；金属阳极，形成于所述多孔层表面；以及金属阴极，形成于所述多孔层表面，且与所述金属阳极分别分布于所述多孔层的两端。本发明引入了多孔电极结构，提供更大的表面积来捕获光线，提高可光电转换效率，在保证器件在紫外线的探测范围下，减小了暗电流，并使得光电流增大，从而有效的增大光暗电流比。

公开(公告)号：CN117412607A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311345327.8

申请日：2023-10-17

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王理燕 ,  贺利军 ,  张朝鹏 ,  禹谜 ,  龙兴 ,  米成 ,  马康 ,  佘良

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明涉及一种高稳定的双极性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器技术领域。该阻变存储器从上到下依次包括顶电极，阻变层，底电极和衬底。其中阻变层的材料选自Rb2O、V2O5、吡咯，苯胺、噻吩、聚苯乙烯、聚氧化乙烯、Nb4C3、Bi2Se、ReS2或TiVC中的一种。基于该阻变层构建的阻变存储器是一种非易失性的双极性阻变存储器且具有高稳定性。实验结果表明，器件经连续100次读写后仍具有较大的开关比，经104秒读写后高阻态和低阻态仍分区明显。此外，该阻变存储器读写电压低，可以实现低功耗数据存储。其制备方法简单，适合扩大化生产。

公开(公告)号：CN116328797B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202310369313.3

申请日：2023-04-07

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 贺利军 ,  龙兴 ,  张朝鹏 ,  马康 ,  佘良 ,  谢治杨 ,  王振 ,  张文霞 ,  张丽

IPC: B01J27/057 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明涉及一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用，属于半导体异质结技术领域。该异质结材料中1T相HfS2二维半导体层堆垛在具有六元环船式构象的β‑SnSe二维半导体层上，层与层之间存在真空层。其中，HfS2二维半导体层和β‑SnSe二维半导体层之间具有4种堆垛方式，形成的异质结材料为四方体结构。在该异质结材料中氧化反应和还原反应发生在不同的半导体层上，其带边电位受各半导体层真空能级的影响，氧化势和还原势不再有直接的关联，因此无需相差1.23eV的条件，因而对带隙没有要求，有助于增加光吸收，从而确保了其在光催化中的应用。计算结果表明，HfS2/β‑SnSe异质结材料的太阳能转化为氢气的效率(STH)可达14.29％，在商业上具有巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN116328797A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310369313.3

申请日：2023-04-07

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 贺利军 ,  龙兴 ,  张朝鹏 ,  马康 ,  佘良 ,  谢治杨 ,  王振 ,  张文霞 ,  张丽

IPC: B01J27/057 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明涉及一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用，属于半导体异质结技术领域。该异质结材料中1T相HfS2二维半导体层堆垛在具有六元环船式构象的β‑SnSe二维半导体层上，层与层之间存在真空层。其中，HfS2二维半导体层和β‑SnSe二维半导体层之间具有4种堆垛方式，形成的异质结材料为四方体结构。在该异质结材料中氧化反应和还原反应发生在不同的半导体层上，其带边电位受各半导体层真空能级的影响，氧化势和还原势不再有直接的关联，因此无需相差1.23eV的条件，因而对带隙没有要求，有助于增加光吸收，从而确保了其在光催化中的应用。计算结果表明，HfS2/β‑SnSe异质结材料的太阳能转化为氢气的效率(STH)可达14.29％，在商业上具有巨大的应用潜力。