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公开(公告)号：CN119805866A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411374695.X
申请日：2024-09-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明公开了一种提升晶圆线宽均匀性的装置及方法，属于半导体集成电路制造技术领域。装置包括工序依次设置的热板单元和冷板单元；将所述热板单元和冷板单元设置在光刻工艺中的涂胶工序与曝光工序之间；所述热板单元设置有若干个实时温度监测点。方法包括在对晶圆完成涂胶步骤后，将晶圆（4）转移至热板单元，温度范围控制在为100℃~200℃，时间控制为60s~80s；将晶圆转移至冷板单元，直至晶圆冷却至室温；继续完成曝光步骤和显影步骤。本装置通过改善光刻胶的均匀分布，使得曝光光线在晶圆表面各处的穿透深度更加一致，进而减少了因光刻胶厚度差异导致的晶圆线宽不均匀问题。
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