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发明公开
一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法及相关设备审中-实审

公开(公告)号：CN118348749A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410540983.1

申请日：2024-04-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 赵永勋 , 郎刚平 , 闫树文 , 马少亮 , 李攀 , 田曙光 , 葛洪磊 , 刘存生

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法及相关设备，在涂胶完成的圆片上，使用同一张光刻版在第一次曝光后，不重新更换光刻版的情况下，设置第一次曝光参数，根据第一次曝光参数对光刻版进行一次曝光，根据光刻版一次曝光后的曝光场的大小和分布，设置二次曝光作业条件，完成二次曝光，分别对第一次曝光和再次曝光光刻版行、列在圆片上的分布进行设置，完成重复光刻，与现有技术相比，增大了小线宽光刻的工艺窗口。

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