公开(公告)号：CN119835989A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510009582.8

申请日：2025-01-03

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 田凯 ,  刘存生 ,  陈宝忠 ,  王小荷 ,  曹磊 ,  庞静

IPC: H10D64/27 ,  H10D64/01 ,  H10D30/65 ,  H10D30/83 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明属于微电子半导体器件设计与制造领域，具体涉及一种PN结复合多晶硅栅极结构、制备方法及其半导体器件。本发明主要包括第一型多晶硅栅极和第二型多晶硅栅极，第二型多晶硅栅极包裹第一型多晶硅栅极除底面以外的全部表面，二者共同构成PN结复合多晶硅栅极结构。PN结复合多晶硅栅极结构在栅氧化层上方，栅氧化层的下方为体区，第一型多晶硅栅极在垂直方向位于体区外，体区位于漂移区内，栅氧化层的一端为源电极，另一端为漏电极，源电极附近为第一型源极重掺杂区域和第二型源极重掺杂区域，漏电极附近为第二型漏极重掺杂区域，以形成具有PN结复合多晶硅栅极结构的半导体器件。