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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117936405A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410090686.1
申请日：2024-01-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种带图形的应力监控方法，为了实现带图形的应力监控方法，通过对带图形的应力监控片表面进行图形修饰时，需要考虑应力量测仪测试应力的原理，为了量测带图形的薄膜应力，在淀积相关薄膜后，对于相关图形光刻工艺，通过对带图形的应力监控片表面进行图形修饰，即应力量测仪镭射光扫描路径处没有台阶，通过刻蚀工艺，制备出相对应图形的薄膜，保证应力量测仪量测应力时，感测器能有效的收集衬底反射的镭射光，进而能得到衬底曲率，通过淀积薄膜前后衬底曲率的变化量得到带有图形的薄膜应力。本发明能够测试相关图形的薄膜应力，填补了带图形的薄膜应力监控方法的空白。
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公开(公告)号：CN118156254A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410108352.2
申请日：2024-01-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种提升铬硅薄膜电阻阻值稳定性的方法，基于现有的集成电路制作方法，在衬底上，依次淀积绝缘层和铬硅电阻层，并对铬硅电阻层进行光刻工艺、刻蚀工艺后，再淀积金属连线层，并制备图形后进行湿法金属刻蚀和金属合金后，再淀积钝化层后，制备得到铬硅薄膜电阻，通过在再合金中加入低温电阻老化过程对铬硅薄膜电阻处理后，降低了低温老炼前后铬硅薄膜电阻阻值变化量，使得高精度铬硅薄膜电阻阻值稳定性大大提升。本发明对铬硅薄膜电阻性能提升，与之前技术维度不同，体现在高温环境放置后，冷却回到常温状态，与未经历高温处理前常温状态比较，也有极高的一致性。
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公开(公告)号：CN115241057A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210858147.9
申请日：2022-07-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种SiO2研磨液残留物的监控方法，属于半导体制造工艺领域，首先将淀积特定厚度PETEOS膜层的硅片，研磨一定时间，并完成清洗工序，然后扫描缺陷。在初次扫描之后，在硅片表面再淀积一定厚度的PETEOS膜层作为放大层，研磨液残留物的尺寸就会被放大，能够被缺陷扫描仪准确检出。通过计算两次缺陷扫描结果的差值，准确判断研磨液残留情况，清洗方法使用PVA毛刷，通入特定浓度的氨水，对硅片进行刷洗，然后兆声清洗，之后使用加热去离子水冲洗，最终高速旋转甩干，完成清洗工序。与现有技术相比，提高了清洗能力，可以同时满足多种不同型号SiO2研磨液的清洗要求。
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公开(公告)号：CN118738123A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410771101.2
申请日：2024-06-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，尤其涉及一种垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管及制备方法，包括衬底，所述衬底上依次设有外延层、栅氧化层、金属层和钝化层；所述钝化层包括高密度等离子增强型氧化层膜质和等离子增强型氮化硅。通过采用高密度等离子增强型氧化层膜质与等离子增强型氮化硅作为钝化层，可更好的填充厚铝工艺经湿法刻蚀后形成的水滴状形貌，使源区和栅区高度差降低，填充钝化层内空洞。并降低了垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管的栅源漏电流。提升了垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管钝化层的钝化能力。解决现有技术中存在的垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管栅源漏电流大的问题。
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公开(公告)号：CN117607560A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311587874.7
申请日：2023-11-24
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种PETEOS膜内电荷的监测方法，包括以下步骤：在N型硅片上生长二氧化硅、淀积PETEOS膜质和金属铝，形成MOS结构电容的类MOS结构；在类MOS结构进行金属铝光刻和金属铝刻蚀工艺，形成类MOS结构电容；对类MOS结构电容进行C‑V测试，得到PETEOS膜质的膜内电荷如固定电荷和可动电荷；本申请采用C‑V等效模型电路，建立PETEOS膜内电荷监控流程，将PETEOS制备为MOS结构，能够简单准确高效的得到PETEOS膜内电荷。
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