公开(公告)号：CN117936405A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410090686.1

申请日：2024-01-22

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 马朝柱 ,  赵重炜 ,  张旭杰 ,  王刚平 ,  李博 ,  赵沫沫 ,  张凯

IPC: H01L21/66 ,  G01L1/24

Abstract: 本发明提供一种带图形的应力监控方法，为了实现带图形的应力监控方法，通过对带图形的应力监控片表面进行图形修饰时，需要考虑应力量测仪测试应力的原理，为了量测带图形的薄膜应力，在淀积相关薄膜后，对于相关图形光刻工艺，通过对带图形的应力监控片表面进行图形修饰，即应力量测仪镭射光扫描路径处没有台阶，通过刻蚀工艺，制备出相对应图形的薄膜，保证应力量测仪量测应力时，感测器能有效的收集衬底反射的镭射光，进而能得到衬底曲率，通过淀积薄膜前后衬底曲率的变化量得到带有图形的薄膜应力。本发明能够测试相关图形的薄膜应力，填补了带图形的薄膜应力监控方法的空白。

公开(公告)号：CN118738123A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410771101.2

申请日：2024-06-14

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 马朝柱 ,  王刚平 ,  李博 ,  赵重炜 ,  何江 ,  张旭杰

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，尤其涉及一种垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管及制备方法，包括衬底，所述衬底上依次设有外延层、栅氧化层、金属层和钝化层；所述钝化层包括高密度等离子增强型氧化层膜质和等离子增强型氮化硅。通过采用高密度等离子增强型氧化层膜质与等离子增强型氮化硅作为钝化层，可更好的填充厚铝工艺经湿法刻蚀后形成的水滴状形貌，使源区和栅区高度差降低，填充钝化层内空洞。并降低了垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管的栅源漏电流。提升了垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管钝化层的钝化能力。解决现有技术中存在的垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管栅源漏电流大的问题。