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发明公开
一种PETEOS膜内电荷的监测方法审中-实审

公开(公告)号：CN117607560A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311587874.7

申请日：2023-11-24

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 马朝柱 , 王刚平 , 李博 , 虞丹 , 张旭杰 , 赵沫沫

IPC: G01R29/24 , G01R31/28

Abstract: 本发明提供一种PETEOS膜内电荷的监测方法，包括以下步骤：在N型硅片上生长二氧化硅、淀积PETEOS膜质和金属铝，形成MOS结构电容的类MOS结构；在类MOS结构进行金属铝光刻和金属铝刻蚀工艺，形成类MOS结构电容；对类MOS结构电容进行C‑V测试，得到PETEOS膜质的膜内电荷如固定电荷和可动电荷；本申请采用C‑V等效模型电路，建立PETEOS膜内电荷监控流程，将PETEOS制备为MOS结构，能够简单准确高效的得到PETEOS膜内电荷。

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