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公开(公告)号：CN117088409A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311226302.6
申请日：2023-09-21
Applicant: 西南交通大学
IPC: C01G23/07 , C01G23/047 , C01G23/08 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种制备TiO2多孔纳米结构的方法，包括以下步骤：步骤1：使用电子束蒸发法，采用双源掠射角沉积，同时沉积Si和TiO2两种材料，通过控制两种材料的沉积速度比和沉积时间，得到Si掺杂的TiO2纳米棒；步骤2：将步骤1所得的Si掺杂的TiO2纳米棒进行退火处理并放入氢氧化钾水溶液中进行蚀刻，烘干后得到TiO2多孔纳米结构。本发明操作简单，重复性高，成本低。所得材料增大了材料比表面积，增加活性位点，能够提升材料的性能。此外，此方法同样可以实现其他材料的多孔纳米结构，拓展材料在光催化、传感器、电池等方面的应用。
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公开(公告)号：CN108666418A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810393589.4
申请日：2018-04-27
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1608
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器件的制备方法，其步骤包括：将干燥的红薯皮用粉碎机粉碎，过滤获取微米级的红薯皮粉末，备用；制备混合溶液：将体积百分比为50％～55％的红薯皮粉末与体积百分比为20％～25％的聚偏氟乙烯混合均匀，再加入体积百分比为20％～25％水充分搅拌，制成混合溶液；用掺杂氟的SnO2透明导电玻璃FTO做基片，基片的电阻是20，利用旋涂法将步骤三得到的混合溶液在基片导电的一面旋涂成薄膜作为器件的介电层；将制备好的带介电层的基片，在30℃的干燥箱里干燥12小时以上；将干燥之后的基片放入真空沉积设备，抽真空；通过直流溅射在介电层的表面沉积金属银(Ag)作为器件的上电极，工作气压为2pa，溅射电流为0.1A，溅射时间为10分钟，得到具有Ag/红薯皮/FTO结构的忆阻器件。
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公开(公告)号：CN118996339A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411088911.4
申请日：2024-08-09
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明属于气体传感器领域，具体涉及一种纳米棒支撑薄膜、制备方法及应用，一种纳米棒支撑薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：采用掠射角沉积方法，以Fe2O3颗粒作为蒸发材料，在叉指电极上制备Fe2O3薄膜；S2：以Fe2O3颗粒作为蒸发材料，在S1得到的Fe2O3薄膜上制备得到Fe2O3纳米棒阵列，并放入马沸炉中退火处理；S3：以TiO2颗粒作为蒸发材料，在S2得到的Fe2O3纳米阵列上沉积TiO2纳米薄膜，得到Fe2O3支撑TiO2薄膜。本发明不但在结构上进行创新，而且在常温下对NH3表现出选择性和高灵敏度。
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公开(公告)号：CN112962075A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110151100.4
申请日：2021-02-04
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及高温超导材料技术领域，具体涉及一种三靶共溅射制备第二代高温超导带材的方法，采用磁控溅射进行制备前驱体预制膜，然后将前驱体预制膜进行氧化处理，得到第二代高温超导带材，在磁控溅射过程中，采用三个溅射枪同时朝向基底进行溅射，三个溅射枪处于同一平面，且溅射枪之间的连线构成正三角形，第一个溅射枪以钡作为靶材，第二溅射枪以铜作为靶材，第三个溅射枪以稀土元素作为靶材。本发明相较于现有技术，提高了靶材的利用率，降低了制备成本，提高了高温超导带材的制备效率；同时制备的前驱体预制膜元素比可控，提高了实验重复性，并且，该方法能够对稀土金属靶材进行掺杂其他金属元素，提升薄膜的钉扎效果，进而提升第二代高温超导带材在磁场下的应用。
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公开(公告)号：CN109576658B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201811531214.6
申请日：2018-12-14
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及光电催化材料技术领域，具体涉及一种基于磁控溅射法制备树枝状非晶MoS2纳米结构的方法，以MoS2作为靶材，以石英片作为基底，将靶材、基底设置在密闭环境中，调整基底与靶材之间的距离至9～12cm，并将基底与水平面的夹角调整为0°～15°，通过直流溅射源开始溅射，溅射时间为40～90min，得到树枝状非晶MoS2纳米结构。本发明通过在低气压、小角度、低转速、低电流、适当的靶基距和氩气流量相互配合下能有效的降低沉积粒子的能量，使入射粒子较为稳定的生长成具有纳米结构的材料，使制得的树枝状非晶MoS2纳米结构比表面积大，提升MoS2光催化材料的光电性能，能广泛应用于光催化氧化还原领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109837516A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910170533.7
申请日：2019-03-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射制备ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料的方法，在密闭环境中，分别以Fe和ZnO作为靶材，将密闭环境抽真空处理，在密闭环境气压降至2×10-4Pa时，向密闭环境中通入氩气作为溅射气体；控制密闭环境的气压为0.15Pa～0.2Pa，Fe靶材通过直流溅射源进行溅射，ZnO靶材通过射频溅射源进行溅射，对Fe靶材和ZnO靶材同时进行磁控溅射，溅射完成后，取出产物并放置在马沸炉中高温退火处理，得到ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料。本发明制备得到的材料具有异质结的三维复合纳米结构，有效的提升了反应表面积和复合材料的光电催化性能，能广泛应用于光催化氧化还原领域。
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公开(公告)号：CN109576658A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811531214.6
申请日：2018-12-14
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及光电催化材料技术领域，具体涉及一种基于磁控溅射法制备树枝状非晶MoS2纳米结构的方法，以MoS2作为靶材，以石英片作为基底，将靶材、基底设置在密闭环境中，调整基底与靶材之间的距离至9～12cm，并将基底与水平面的夹角调整为0°～15°，通过直流溅射源开始溅射，溅射时间为40～90min，得到树枝状非晶MoS2纳米结构。本发明通过在低气压、小角度、低转速、低电流、适当的靶基距和氩气流量相互配合下能有效的降低沉积粒子的能量，使入射粒子较为稳定的生长成具有纳米结构的材料，使制得的树枝状非晶MoS2纳米结构比表面积大，提升MoS2光催化材料的光电性能，能广泛应用于光催化氧化还原领域。
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公开(公告)号：CN109244235A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810852173.4
申请日：2018-07-30
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种石蕊作为忆阻器件介电层的应用，涉及有机材料应用技术领域。将干燥的石蕊粉碎，研磨，通过筛网过滤获得微米级的石蕊粉末，使用去离子水稀释浓盐酸(HCl)溶液，或者氢氧化钠(NaOH)固体用去离子水溶解并稀释溶液；制备混合溶液：取石蕊粉末，然后将质量百分比为50％～55％的石蕊粉末与质量百分比为45％～50％的稀释溶液充分搅拌，配制成混合溶液；采用导电玻璃FTO做基片，利用旋涂法将步骤四得到的混合溶液分别在基片导电的一面旋涂成薄膜作为器件的介电层；将步骤五中制备的带介电层的基片，放进40℃的干燥箱里干燥12小时以上；通过直流溅射工艺在基片介电层的表面沉积金属银作为器件的上电极，得到具有银/石蕊/FTO结构的忆阻器件。
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公开(公告)号：CN105633393A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610027691.3
申请日：2016-01-15
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种钛酸锂-二氧化钛复合材料制备方法，属于锂电池负极材料的制备技术领域。它能有效地解决多维多孔微纳材料的成形问题。a、将蝴蝶翅膀在乙醇溶液中清洗，干燥箱中干燥；b、将乙酸锂和钛酸四丁酯按锂和钛离子质量比4～4.5︰5比例称量，溶解于有机溶剂中，加入水解抑制剂搅拌超声得到均匀的钛酸锂前驱体溶液；c、将步骤a中清洗过的蝴蝶翅膀平铺在载玻片上，将步骤b配置的前驱体溶液用滴管均匀滴到蝴蝶翅膀表面，然后放置在干燥箱中干燥；d、将步骤c中干燥的蝴蝶翅膀放置在石英舟中，在有氧气氛下于800℃烧结1小时，即得到具有蝴蝶翅膀微观结构的钛酸锂-二氧化钛复合纳米材料。主要用于锂电池负极材料。
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公开(公告)号：CN118895529A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410924157.7
申请日：2024-07-11
Applicant: 西南交通大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/067 , C25B1/04
Abstract: 本发明属于电催化领域，具体涉及一种基于磁控溅射法制备的Mxene复合Ni/Co纳米薄膜、制备方法及应用。制备包括以下步骤：S1：将Ti3AlC2前驱体进行酸刻蚀，进行磁力搅拌，得到混合物；将混合物进行洗涤离心，调剂pH，得到沉淀，将沉淀分散在溶剂中，加入LiCl进行搅拌；进行离心，提取离心后的上清液，经过超声处理得到单层Mxene Ti3C2Tx溶液；S2：将单层Mxene Ti3C2Tx溶液滴涂在碳布上，加热烘干得到负载Ti3C2Tx的样品，采用磁控溅射并调节磁控溅射的参数，以溅射抢分别以Ni和Co为靶，在样品上制备Ni/Co纳米薄膜，得到Mxene复合Ni/Co纳米薄膜。
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