公开(公告)号：CN109837516A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201910170533.7

申请日：2019-03-07

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 张湉 ,  夏钰东 ,  付玉聪 ,  王红艳 ,  张勇 ,  赵勇

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射制备ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料的方法，在密闭环境中，分别以Fe和ZnO作为靶材，将密闭环境抽真空处理，在密闭环境气压降至2×10-4Pa时，向密闭环境中通入氩气作为溅射气体；控制密闭环境的气压为0.15Pa～0.2Pa，Fe靶材通过直流溅射源进行溅射，ZnO靶材通过射频溅射源进行溅射，对Fe靶材和ZnO靶材同时进行磁控溅射，溅射完成后，取出产物并放置在马沸炉中高温退火处理，得到ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料。本发明制备得到的材料具有异质结的三维复合纳米结构，有效的提升了反应表面积和复合材料的光电催化性能，能广泛应用于光催化氧化还原领域。

公开(公告)号：CN109837516B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910170533.7

申请日：2019-03-07

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 张湉 ,  夏钰东 ,  付玉聪 ,  王红艳 ,  张勇 ,  赵勇

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射制备ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料的方法，在密闭环境中，分别以Fe和ZnO作为靶材，将密闭环境抽真空处理，在密闭环境气压降至2×10‑4Pa时，向密闭环境中通入氩气作为溅射气体；控制密闭环境的气压为0.15Pa～0.2Pa，Fe靶材通过直流溅射源进行溅射，ZnO靶材通过射频溅射源进行溅射，对Fe靶材和ZnO靶材同时进行磁控溅射，溅射完成后，取出产物并放置在马沸炉中高温退火处理，得到ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料。本发明制备得到的材料具有异质结的三维复合纳米结构，有效的提升了反应表面积和复合材料的光电催化性能，能广泛应用于光催化氧化还原领域。