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公开(公告)号：CN111785833A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010684121.8
申请日：2020-07-16
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋忆阻器件制备方法，包括以下步骤：S1、制备螺旋状的GO材料；S2、制备旋涂液；S3、清洗衬底：分别用去离子水、乙醇、去离子水超声清洗衬底各25～30min，每次清洗后在真空干燥箱中烘干衬底；S4、旋涂薄膜：将混合旋涂液滴于清洗好的的衬底上；S5、制备上电极：在旋涂好的薄膜表面沉积金属上电极，获得基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋作为介电层的忆阻器件。本发明提供一种基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋作为介电层的忆阻器件制备方法，可操作性强，适于产业化生产；有望为将来开发新型多功能电子器件，为生物医学提供存储应用，为实现更优异的性能的电子器件提供新的途径。
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公开(公告)号：CN110190185A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910500434.0
申请日：2019-06-11
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种具有忆阻特性和二极管行为的柔性器件及其制备方法，器件依次包括采用柔性材料制成的基底、下电极、介电层和上电极。制作方法为：S1、选取柔性材料作为基底；S2、将基底依次通过去离子水、乙醇、丙酮、乙醇、去离子水清洗干净；S3、在基底上横向10％～90％的区域沉积金属钛作为下电极；S4、使用模具遮挡下电极纵向0％～30％的区域；S5、在未遮盖的下电极表面利用射频溅射沉积LiCoO2作为介电层；S6、用具有网格的掩膜板掩盖介电层，将金属银、钛或者铜通过网格沉积在介电层上。本发明利用磁控溅射的方法制备柔性器件，能够实现忆阻特性和二极管行为，可以用来替换相同功率的二极管和存储器应用于电路板以实现二极管和存储器的共存效应。
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公开(公告)号：CN109244235A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810852173.4
申请日：2018-07-30
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种石蕊作为忆阻器件介电层的应用，涉及有机材料应用技术领域。将干燥的石蕊粉碎，研磨，通过筛网过滤获得微米级的石蕊粉末，使用去离子水稀释浓盐酸(HCl)溶液，或者氢氧化钠(NaOH)固体用去离子水溶解并稀释溶液；制备混合溶液：取石蕊粉末，然后将质量百分比为50％～55％的石蕊粉末与质量百分比为45％～50％的稀释溶液充分搅拌，配制成混合溶液；采用导电玻璃FTO做基片，利用旋涂法将步骤四得到的混合溶液分别在基片导电的一面旋涂成薄膜作为器件的介电层；将步骤五中制备的带介电层的基片，放进40℃的干燥箱里干燥12小时以上；通过直流溅射工艺在基片介电层的表面沉积金属银作为器件的上电极，得到具有银/石蕊/FTO结构的忆阻器件。
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公开(公告)号：CN108878647A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810697102.1
申请日：2018-06-29
Applicant: 西南交通大学
Inventor： 杨峰 , 米雅民·萨尔曼·卡齐姆 , 孙柏 , 赵勇
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种同时具有负微分电阻和忆阻功能的器件制备方法，步骤如下，将Zn片用无水乙醇清洗后，置于甲酰胺溶液中反应，用掩膜板制备Ag顶电极，掩膜板小孔直径0.5‑1mm，将掩膜板置于反应好的Zn片上，滴加银凝胶，固化24h；将1％面积的Zn片表面打磨去除氧化层，露出未反应的Zn做底电极，Ag做顶电极，中间层为ZnO纳米棒阵列，即得目标器件。本发明步骤少、操作简单、制得物性能优良、具有明显的负微分及忆阻特性，有望在新型电子器件中获得应用。
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公开(公告)号：CN113314668B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110544500.1
申请日：2021-05-19
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种忆阻耦合电容效应高性能忆阻器的制备方法，具体为：在室温环境下通过将等摩尔比的硫酸铜溶液和硫代硫酸钠溶液按照1:2.6‑3.0体积比例混合，得到一个亮绿色的混合溶液，然后把混合溶液倒入放有下电极基底片的容器中；将混合溶液在室温下静止放置数天，然后从混合溶液中取出放入的下电极基底片，即在下电极基底片上沉积出硫化铜薄膜；将下电极基底片取出、烘干；将银胶滴涂于烘干好的硫化铜薄膜表面作为上电极，最终形成一个具有三明治结构的忆阻器件。本发明制备过程简单可行、成本低，制成的器件结构简单、性能优异、具有明显的忆阻耦合电容效应，为开发新型多功能电子器件奠定了良好基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109888090B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910051937.4
申请日：2019-01-21
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了基于氧化铒薄膜的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器括顶电极、氧化铒薄膜以及底电极，所述氧化铒薄膜位于顶电极和底电极之间，其中，顶电极和底电极的材料分别为氧化铟锡或银。一种上述基于氧化铒薄膜的忆阻器的制备方法，包括以下步骤：S1：清洗衬底；S2：采用磁控溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在基片上溅射沉积底电极；S3：采用射频溅射法，以氧化铒靶材为溅射源，在底电极上沉积功能层Er2O3薄膜；S4：采用直流溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在氧化铒薄膜表面沉积上电极。器件结构简单、性能优异、稳定、重复性好，制备方法步骤简单，在新型存储器、振荡器等电子器件领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109267026B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201811389566.2
申请日：2018-11-21
Applicant: 西南交通大学
Inventor： 杨峰 , 米雅民·萨尔曼·卡齐姆 , 孙柏 , 赵勇
Abstract: 本发明公开一种钛基底着多重及图案化颜色的方法，在腔室真空度为预设的高压环境下，通过磁控溅射仪向钛基底上采用ZnO进行第一层溅射，溅射时长为t1，溅射厚度为h1，完成第一层着色；在第一层着色的基础上，再采用MoS2进行第二层溅射，溅射时长为t2，溅射厚度为h2，颜色转变为目标色；通过控制溅射时长t1和t2，溅射厚度h1和h2，以及溅射的区域，实现不同颜色的图案化。本发明可在钛基底上沉积多层膜，进而进行颜色调控，加掩膜板，可以实现图案化，且易于实现，利于大规模推广。
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公开(公告)号：CN109888090A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910051937.4
申请日：2019-01-21
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了基于氧化铒薄膜的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器括顶电极、氧化铒薄膜以及底电极，所述氧化铒薄膜位于顶电极和底电极之间，其中，顶电极和底电极的材料分别为氧化铟锡或银。一种上述基于氧化铒薄膜的忆阻器的制备方法，包括以下步骤：S1：清洗衬底；S2：采用磁控溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在基片上溅射沉积底电极；S3：采用射频溅射法，以氧化铒靶材为溅射源，在底电极上沉积功能层Er2O3薄膜；S4：采用直流溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在氧化铒薄膜表面沉积上电极。器件结构简单、性能优异、稳定、重复性好，制备方法步骤简单，在新型存储器、振荡器等电子器件领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109449287A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811188337.4
申请日：2018-10-12
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种对环境因素敏感的忆阻器的制备方法，具体包括如下步骤：S1：清洗衬底；S2：溅射沉积Cu2ZnSnSe4薄膜：在控溅射获得Cu2ZnSnSe4薄膜；S3：溅射沉积BiFeO3薄膜：经步骤S2处理后，在Cu2ZnSnSe4薄膜上磁控溅射获得BiFeO3薄膜；S4：制备上电极：在沉积好的BiFeO3薄膜表面沉积上电极，获得对环境因素敏感的忆阻器。本发明提供的对环境因素敏感的忆阻器的制备方法，步骤简单，可操作性强，适于产业化生产；所制备的忆阻器件，表现出优异的忆阻性能，器件结构简单、重复性好、成本低，在新型存储器、未来外太空的探索等电子器件领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109309157A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201811054807.8
申请日：2018-09-11
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于香菇粉末的柔性生物忆阻器的制备方法，包括以下步骤：制备香菇粉末：以食用香菇为原料，充分研磨后经过滤获得粒径为1μm以下的香菇超细粉末；制备前驱胶体：将香菇粉末与聚偏氟乙烯粉末、高氯酸钾溶液均匀混合，制得稀泥状前驱胶体备用；制备下电极：采用经细砂纸打磨过的柔性金属箔作为下电极；制备活性层：将步骤S2获得的前驱胶体均匀涂覆在下电极表面上形成生物膜；制备上电极：待生物膜干燥后，在生物膜上制备上电极，即获得的基于香菇粉末的柔性生物忆阻器。该方法制备流程易于实现，适用于大批量生产，成本消耗低，制备成的生物忆阻器件具有性能优异、稳定性好、对环境无污染、可用于制备柔性穿戴电子器件等优点。
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