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公开(公告)号：CN118996339A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411088911.4
申请日：2024-08-09
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明属于气体传感器领域，具体涉及一种纳米棒支撑薄膜、制备方法及应用，一种纳米棒支撑薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：采用掠射角沉积方法，以Fe2O3颗粒作为蒸发材料，在叉指电极上制备Fe2O3薄膜；S2：以Fe2O3颗粒作为蒸发材料，在S1得到的Fe2O3薄膜上制备得到Fe2O3纳米棒阵列，并放入马沸炉中退火处理；S3：以TiO2颗粒作为蒸发材料，在S2得到的Fe2O3纳米阵列上沉积TiO2纳米薄膜，得到Fe2O3支撑TiO2薄膜。本发明不但在结构上进行创新，而且在常温下对NH3表现出选择性和高灵敏度。
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公开(公告)号：CN117299154A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311226525.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化法制备ZnSe/ZnS异质结光催化剂的方法，包括以下步骤：首先，在密闭腔体中采用掠射角沉积技术，制备ZnSe纳米棒。然后，将ZnSe纳米棒样品置于管式炉中进行硫化处理，得到ZnSe/ZnS异质结光催化剂。本发明具有制备周期短、低成本、易操作、环境友好等多个特点，具备大量生产的基础。采用该方法获得的异质结光催化材料不仅大幅提升了比表面积，增加活性位点，同时利用异质结的特性显著地提高材料的光电催化本领。
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公开(公告)号：CN116500094A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310205322.9
申请日：2023-03-06
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及气敏传感器技术领域，公开了一种基于铯铜碘的H2S气敏传感器及制备方法，包括叉指电极基底和功能层；所述功能层为CsCu2I3钙钛矿材料。本发明能在常温条件下进行工作，采用的CsCu2I3钙钛矿材料相比与其他卤化物钙钛矿，如铅基钙钛矿，有机钙钛矿等，具有稳定、无毒的优势，在多次使用响应后能快速恢复，并且CsCu2I3钙钛矿材料还没有在这领域进行相关的应用。
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公开(公告)号：CN109078633A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810974360.X
申请日：2018-08-24
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种W掺杂Bi2O3纳米结构的制备方法，属于光催化材料制备领域。a、将石英玻璃切割为基片，依次在丙酮去离子水中采用超声波各清洗5分钟，干燥。将洗好的玻璃基片固定在可旋转的样品台上，将W靶和Bi2O3靶安装在磁控溅射仪上，使基片平面与水平面成5°-10°夹角，Bi2O3靶法线与基片法线成80°-85°，靶间距为6-7cm，W靶法线与基片法线夹角50°-55°靶间距为10-11cm，关闭腔门。c、使用机械泵抽真空，使真空达到10pa以下，打开分子泵，使真空达到5*10(-4)pa以下，充入氩气，将气压升到0.2Pa-0.5Pa。d、打开转动，打开W靶直流溅射，Bi2O3交流溅射，同时溅射30分钟。e、将样品放于干燥箱中500°退火1小时，即得到具有三维纳米结构的W掺杂Bi2O3纳米结构阵列。
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公开(公告)号：CN118895529A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410924157.7
申请日：2024-07-11
Applicant: 西南交通大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/067 , C25B1/04
Abstract: 本发明属于电催化领域，具体涉及一种基于磁控溅射法制备的Mxene复合Ni/Co纳米薄膜、制备方法及应用。制备包括以下步骤：S1：将Ti3AlC2前驱体进行酸刻蚀，进行磁力搅拌，得到混合物；将混合物进行洗涤离心，调剂pH，得到沉淀，将沉淀分散在溶剂中，加入LiCl进行搅拌；进行离心，提取离心后的上清液，经过超声处理得到单层Mxene Ti3C2Tx溶液；S2：将单层Mxene Ti3C2Tx溶液滴涂在碳布上，加热烘干得到负载Ti3C2Tx的样品，采用磁控溅射并调节磁控溅射的参数，以溅射抢分别以Ni和Co为靶，在样品上制备Ni/Co纳米薄膜，得到Mxene复合Ni/Co纳米薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116809103A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310512791.5
申请日：2023-05-09
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供了一种Ti3C2/TiO2光催化剂及其制备方法，涉及光催化技术领域，通过Ti3C2纳米片与TiO2纳米棒之间的密切接触导致光生电子从TiO2纳米棒的导带向Ti3C2纳米片的转移，并且沿纳米棒散布的一些小尺寸纳米片互相连接形成电子通道，将电子转移到掺杂氟的SnO2透明导电玻璃，从而抑制TiO2纳米棒表面电子和空穴的重组，促进TiO2中大部分电荷的分离和转移。在转移到Ti3C2纳米片上后，光诱导电子进一步穿过表面快速传输到掺杂氟的SnO2透明导电玻璃衬底上，将电子传输到外部电路，从而加速电子的传输，提高电子和空穴的分离效率，本发明制备过程简单，制备的光催化剂可见光催化性能优于TiO2，在裂解水制氢方面具有潜在的利用价值。
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公开(公告)号：CN114277346B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111484191.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及光催化材料技术领域，具体涉及一种ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，以V和ZnO作为靶材，控制基底自转，让两个靶材同时进行磁控溅射，退火处理后得到ZVO薄膜层，然后再以ZnO作为靶材，在ZVO薄膜层上磁控溅射一层ZnO薄膜层，退火处理后得到ZVO/ZnO异质结光催化剂。本发明的ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，先由V和ZnO两个靶材同时进行沉积制得ZVO薄膜层，然后由ZnO作为靶材在ZVO薄膜层表面进行沉积制得ZnO薄膜层，通过将掺杂样品与材料自身结合构建复合半导体材料，使得半导体光催化剂在不引入新杂质相的前提下，进一步提升掺杂样品的光催化性能。
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公开(公告)号：CN114277346A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111484191.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及光催化材料技术领域，具体涉及一种ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，以V和ZnO作为靶材，控制基底自转，让两个靶材同时进行磁控溅射，退火处理后得到ZVO薄膜层，然后再以ZnO作为靶材，在ZVO薄膜层上磁控溅射一层ZnO薄膜层，退火处理后得到ZVO/ZnO异质结光催化剂。本发明的ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，先由V和ZnO两个靶材同时进行沉积制得ZVO薄膜层，然后由ZnO作为靶材在ZVO薄膜层表面进行沉积制得ZnO薄膜层，通过将掺杂样品与材料自身结合构建复合半导体材料，使得半导体光催化剂在不引入新杂质相的前提下，进一步提升掺杂样品的光催化性能。
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公开(公告)号：CN109837516B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910170533.7
申请日：2019-03-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射制备ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料的方法，在密闭环境中，分别以Fe和ZnO作为靶材，将密闭环境抽真空处理，在密闭环境气压降至2×10‑4Pa时，向密闭环境中通入氩气作为溅射气体；控制密闭环境的气压为0.15Pa～0.2Pa，Fe靶材通过直流溅射源进行溅射，ZnO靶材通过射频溅射源进行溅射，对Fe靶材和ZnO靶材同时进行磁控溅射，溅射完成后，取出产物并放置在马沸炉中高温退火处理，得到ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料。本发明制备得到的材料具有异质结的三维复合纳米结构，有效的提升了反应表面积和复合材料的光电催化性能，能广泛应用于光催化氧化还原领域。
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公开(公告)号：CN109576658B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201811531214.6
申请日：2018-12-14
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及光电催化材料技术领域，具体涉及一种基于磁控溅射法制备树枝状非晶MoS2纳米结构的方法，以MoS2作为靶材，以石英片作为基底，将靶材、基底设置在密闭环境中，调整基底与靶材之间的距离至9～12cm，并将基底与水平面的夹角调整为0°～15°，通过直流溅射源开始溅射，溅射时间为40～90min，得到树枝状非晶MoS2纳米结构。本发明通过在低气压、小角度、低转速、低电流、适当的靶基距和氩气流量相互配合下能有效的降低沉积粒子的能量，使入射粒子较为稳定的生长成具有纳米结构的材料，使制得的树枝状非晶MoS2纳米结构比表面积大，提升MoS2光催化材料的光电性能，能广泛应用于光催化氧化还原领域。
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