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公开(公告)号：CN117088409A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311226302.6
申请日：2023-09-21
Applicant: 西南交通大学
IPC: C01G23/07 , C01G23/047 , C01G23/08 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种制备TiO2多孔纳米结构的方法，包括以下步骤：步骤1：使用电子束蒸发法，采用双源掠射角沉积，同时沉积Si和TiO2两种材料，通过控制两种材料的沉积速度比和沉积时间，得到Si掺杂的TiO2纳米棒；步骤2：将步骤1所得的Si掺杂的TiO2纳米棒进行退火处理并放入氢氧化钾水溶液中进行蚀刻，烘干后得到TiO2多孔纳米结构。本发明操作简单，重复性高，成本低。所得材料增大了材料比表面积，增加活性位点，能够提升材料的性能。此外，此方法同样可以实现其他材料的多孔纳米结构，拓展材料在光催化、传感器、电池等方面的应用。
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