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公开(公告)号：CN109244235A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810852173.4
申请日：2018-07-30
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种石蕊作为忆阻器件介电层的应用，涉及有机材料应用技术领域。将干燥的石蕊粉碎，研磨，通过筛网过滤获得微米级的石蕊粉末，使用去离子水稀释浓盐酸(HCl)溶液，或者氢氧化钠(NaOH)固体用去离子水溶解并稀释溶液；制备混合溶液：取石蕊粉末，然后将质量百分比为50％～55％的石蕊粉末与质量百分比为45％～50％的稀释溶液充分搅拌，配制成混合溶液；采用导电玻璃FTO做基片，利用旋涂法将步骤四得到的混合溶液分别在基片导电的一面旋涂成薄膜作为器件的介电层；将步骤五中制备的带介电层的基片，放进40℃的干燥箱里干燥12小时以上；通过直流溅射工艺在基片介电层的表面沉积金属银作为器件的上电极，得到具有银/石蕊/FTO结构的忆阻器件。
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