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公开(公告)号：CN109576658B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201811531214.6
申请日：2018-12-14
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及光电催化材料技术领域，具体涉及一种基于磁控溅射法制备树枝状非晶MoS2纳米结构的方法，以MoS2作为靶材，以石英片作为基底，将靶材、基底设置在密闭环境中，调整基底与靶材之间的距离至9～12cm，并将基底与水平面的夹角调整为0°～15°，通过直流溅射源开始溅射，溅射时间为40～90min，得到树枝状非晶MoS2纳米结构。本发明通过在低气压、小角度、低转速、低电流、适当的靶基距和氩气流量相互配合下能有效的降低沉积粒子的能量，使入射粒子较为稳定的生长成具有纳米结构的材料，使制得的树枝状非晶MoS2纳米结构比表面积大，提升MoS2光催化材料的光电性能，能广泛应用于光催化氧化还原领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109837516A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910170533.7
申请日：2019-03-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射制备ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料的方法，在密闭环境中，分别以Fe和ZnO作为靶材，将密闭环境抽真空处理，在密闭环境气压降至2×10-4Pa时，向密闭环境中通入氩气作为溅射气体；控制密闭环境的气压为0.15Pa～0.2Pa，Fe靶材通过直流溅射源进行溅射，ZnO靶材通过射频溅射源进行溅射，对Fe靶材和ZnO靶材同时进行磁控溅射，溅射完成后，取出产物并放置在马沸炉中高温退火处理，得到ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料。本发明制备得到的材料具有异质结的三维复合纳米结构，有效的提升了反应表面积和复合材料的光电催化性能，能广泛应用于光催化氧化还原领域。
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公开(公告)号：CN109576658A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811531214.6
申请日：2018-12-14
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及光电催化材料技术领域，具体涉及一种基于磁控溅射法制备树枝状非晶MoS2纳米结构的方法，以MoS2作为靶材，以石英片作为基底，将靶材、基底设置在密闭环境中，调整基底与靶材之间的距离至9～12cm，并将基底与水平面的夹角调整为0°～15°，通过直流溅射源开始溅射，溅射时间为40～90min，得到树枝状非晶MoS2纳米结构。本发明通过在低气压、小角度、低转速、低电流、适当的靶基距和氩气流量相互配合下能有效的降低沉积粒子的能量，使入射粒子较为稳定的生长成具有纳米结构的材料，使制得的树枝状非晶MoS2纳米结构比表面积大，提升MoS2光催化材料的光电性能，能广泛应用于光催化氧化还原领域。
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公开(公告)号：CN114277346B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111484191.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及光催化材料技术领域，具体涉及一种ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，以V和ZnO作为靶材，控制基底自转，让两个靶材同时进行磁控溅射，退火处理后得到ZVO薄膜层，然后再以ZnO作为靶材，在ZVO薄膜层上磁控溅射一层ZnO薄膜层，退火处理后得到ZVO/ZnO异质结光催化剂。本发明的ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，先由V和ZnO两个靶材同时进行沉积制得ZVO薄膜层，然后由ZnO作为靶材在ZVO薄膜层表面进行沉积制得ZnO薄膜层，通过将掺杂样品与材料自身结合构建复合半导体材料，使得半导体光催化剂在不引入新杂质相的前提下，进一步提升掺杂样品的光催化性能。
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公开(公告)号：CN114277346A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111484191.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及光催化材料技术领域，具体涉及一种ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，以V和ZnO作为靶材，控制基底自转，让两个靶材同时进行磁控溅射，退火处理后得到ZVO薄膜层，然后再以ZnO作为靶材，在ZVO薄膜层上磁控溅射一层ZnO薄膜层，退火处理后得到ZVO/ZnO异质结光催化剂。本发明的ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，先由V和ZnO两个靶材同时进行沉积制得ZVO薄膜层，然后由ZnO作为靶材在ZVO薄膜层表面进行沉积制得ZnO薄膜层，通过将掺杂样品与材料自身结合构建复合半导体材料，使得半导体光催化剂在不引入新杂质相的前提下，进一步提升掺杂样品的光催化性能。
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公开(公告)号：CN109837516B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910170533.7
申请日：2019-03-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射制备ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料的方法，在密闭环境中，分别以Fe和ZnO作为靶材，将密闭环境抽真空处理，在密闭环境气压降至2×10‑4Pa时，向密闭环境中通入氩气作为溅射气体；控制密闭环境的气压为0.15Pa～0.2Pa，Fe靶材通过直流溅射源进行溅射，ZnO靶材通过射频溅射源进行溅射，对Fe靶材和ZnO靶材同时进行磁控溅射，溅射完成后，取出产物并放置在马沸炉中高温退火处理，得到ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料。本发明制备得到的材料具有异质结的三维复合纳米结构，有效的提升了反应表面积和复合材料的光电催化性能，能广泛应用于光催化氧化还原领域。
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