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公开(公告)号：CN101211903B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710300833.X
申请日：2007-12-29
Applicant: 育霈科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L23/467 , H01L23/66 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/16 , H01L2224/24137 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是揭露一种射频模块封装结构及其形成方法。其封装结构包含一具有接收晶粒的通孔。一导电金属片，附着于基板下部表面上。一晶粒，配置于晶粒接收的通孔内，且附着于导电金属片上。一介电层形成于晶粒与基板上。一重分布层(RDL)形成于介电层上，耦合至晶粒。一保护层形成于重分布层上。复数个金属接垫形成于保护层上，并耦合至重分布层。其重分布层是由合金所形成，其合金包括钛/铜/银的合金或钛/铜/镍/银的合金。顶部导电层，整体形成于介电层堆栈结构上。散热器，形成于顶部导电层上，其中，散热器包含分子式冷却风扇。本发明的射频模块封装在运转时有较高的可靠度，具有优异散热能力、热膨胀系数效能以及缩小体积能力的射频模块封装。
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公开(公告)号：CN101207101B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200710160995.8
申请日：2007-12-19
Applicant: 育霈科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/538
CPC classification number: H01L25/105 , H01L23/3128 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L2223/6677 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/1005 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/19015 , H01L2924/3025 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提出一种电子封装结构，包含有：单或复数层用以形成电子组件的基材。单或复数个电子组件，形成于前述电子组件的基材，且该电子组件的总表面积小于或等于前述电子组件基材的表面积。单或复数个接触垫，布于前述电子组件的表面。单或复数个缓冲区域，该缓冲区域分布于前述电子组件的四周。单或复数层接地层，形成于前述电子组件基材的背面单或复数个导通孔，形成于前述缓冲区域，且于该导通孔内或孔壁填充具导电特性的材料，使前述缓冲区域的上表面与前述接地层间具有电讯连通的特性。单或复数个电讯沟道，形成于前述电子封装结构的单侧或双侧。单或复数个电讯接点，形成于前述电讯沟道的末端，且分布于前述电子封装结构的单侧或双侧。
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公开(公告)号：CN101207099B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710199395.2
申请日：2007-12-20
Applicant: 育霈科技股份有限公司
IPC: H01L23/485
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/73267 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭露一种晶片级封装中包含数贯通开口的弹性介质层结构，用于吸收应力。本发明包含一弹性介质层；其中弹性介质层材料至少包含硅为基材的材料，例如，硅氧类高分子，苯环丁烯与氮化硅，上述材料具有特定的热膨胀系数，延展系数与硬度范围。该弹性介质层可改善晶片级封装结构于温度循环测试时的机械性质可靠性。重分布层与介质层间的热膨胀系数差异会造成介质层破裂，因此，本发明还揭露一晶片级封装的介质层结构，于邻近重分布层弯曲处形成数贯通开口，以降低邻近重分布层/介质层接口附近的累积应力，避免介质层破裂。
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公开(公告)号：CN101339951A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810132945.3
申请日：2008-07-02
Applicant: 育霈科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L21/56
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14627 , H01L27/14687 , H01L2224/48091 , H01L2924/10253 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭露利用可移除式保护膜之影像传感器封装结构。本结构包含基板，其具有晶粒接收孔及互连通孔。终端垫形成于互连通孔之下方，以及金属垫形成于基板之上表面。晶粒系藉由黏胶材料配置于晶粒接收孔内。输出入焊垫形成于晶粒之上部边缘。接合导线耦合至金属垫及输出入焊垫。保护层形成于微透镜区域上方以防止微透镜受到粒子污染。可移除式保护膜形成于保护层上方，以防止微透镜于封装及组装程序期间受到水、油、灰尘或暂时性冲击。
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公开(公告)号：CN101335265A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810127530.7
申请日：2008-06-25
Applicant: 育霈科技股份有限公司
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/06 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/03 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05599 , H01L2224/24 , H01L2224/24137 , H01L2224/24227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48157 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/19107 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种具有伪晶粒之半导体封装结构，包含第一基底具有晶粒置入穿孔形成于其上；第一晶粒具有第一连接垫及第二晶粒具有第二连接垫，且分别配置于晶粒置入穿孔之内；黏着层形成于第一晶粒与第二晶粒间之间隙及第一基底之晶粒置入穿孔之侧壁；重布线形成以将第一基底上之第一接触垫分别耦合至第一连接垫与第二连接垫；以及保护层形成于重布线、第一晶粒、第二晶粒及第一基底之上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101252141A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810007253.6
申请日：2008-02-20
Applicant: 育霈科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14683 , H01L27/14685 , H01L31/02327 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明系提供具有晶粒接收凹孔之晶圆级影像传感器封装结构及其方法。本具有晶粒接收凹孔之晶圆级影像传感器封装结构包含基板，其具有形成于基板上层内之晶粒接收凹孔，其中终端垫系形成于基板之上表面上，与微透镜同平面。晶粒系藉由黏胶设置于晶粒接收凹孔内，而介电层系形成于晶粒及基板上。重分布金属层(RDL)系形成于介电层上且耦合至晶粒。开孔系形成于介电层及顶部保护层内以暴露晶粒之微透镜区域以用于影像传感器芯片。保护层(膜)系涂布于微透镜区域上，其具有防水及防油性以避免粒子污染。涂布有红外线滤光片之透明盖系选择性形成于微透镜区域上以用于保护。
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公开(公告)号：CN101252125A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810080840.8
申请日：2008-02-21
Applicant: 育霈科技股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/13 , H01L24/19 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/05001 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15153 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/01055
Abstract: 本发明提供一种具减缩结构的复数晶粒封装结构与其形成方法，所述的封装结构包含一包含于基材上表面预形成一晶粒收纳孔洞的基材。一晶粒以黏胶设置于晶粒收纳孔洞内，且一弹性介电层填充于晶粒与基材间间隙，以吸收热机械应力；因此封装厚度，与结构热膨胀系数失配可缩减。本发明更提供一系统级封装结构，具有较高可靠性与较低制造成本。形成复数晶粒封装的制造工艺与传统制造工艺相比较，较为简单与简易。因此，本发明揭露一扇出晶圆级封装，具有较小厚度与较佳热膨胀系数失配表现。
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公开(公告)号：CN101232002A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810000026.0
申请日：2008-01-03
Applicant: 育霈科技股份有限公司
Inventor： 杨文焜
IPC: H01L23/552 , H01L23/48 , H01L23/36 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/467 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L23/552 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2223/54406 , H01L2223/54486 , H01L2224/24227 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15311 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一方法其具有一金属标示结构之半导体组件封装，其包含一具有晶粒容纳凹槽之基板，其形成于基板之上表面，以及一通孔结构通过此基板，其中具有一终端接点于通孔结构之下方，且此基板包含一导电线路形成于此基板之下表面；一晶粒黏着于晶粒容纳槽中，且具有复数个焊垫于其上；一第一介电层形成于晶粒与基板上方，且露出焊垫与通孔结构表面；一重布层形成于此第一介电层之上以耦合此焊垫与此通孔结构；一第二介电层形成于此第一介电层与此重布层线路之上；一金属标示层形成于此第二介电层之上；一散热层形成于金属标示层之上。
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公开(公告)号：CN101211903A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710300833.X
申请日：2007-12-29
Applicant: 育霈科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L23/467 , H01L23/66 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/16 , H01L2224/24137 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是揭露一种射频模块封装结构及其形成方法。其封装结构包含一具有接收晶粒的通孔。一导电金属片，附着于基板下部表面上。一晶粒，配置于晶粒接收的通孔内，且附着于导电金属片上。一介电层形成于晶粒与基板上。一重分布层(RDL)形成于介电层上，耦合至晶粒。一保护层形成于重分布层上。复数个金属接垫形成于保护层上，并耦合至重分布层。其重分布层是由合金所形成，其合金包括钛/铜/银的合金或钛/铜/镍/银的合金。本发明的射频模块封装在运转时有较高的可靠度，具有优异散热能力、热膨胀系数效能以及缩小体积能力的射频模块封装。
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公开(公告)号：CN101197360A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710196995.3
申请日：2007-12-07
Applicant: 育霈科技股份有限公司
Inventor： 杨文焜
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/538 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/82 , H01L25/0652 , H01L2224/04105 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01068 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 一种多芯片封装结构，包含具有于其上表面内的晶粒接收凹处以及穿过其中的第一穿孔结构的基板，而具有端点垫的电路则形成于第一穿孔结构之下。第一晶粒位于晶粒接收凹处内，第一介电层则形成于第一晶粒以及基板上。第一重分布层形成于第一介电层上，并经由第一穿孔结构耦合至第一晶粒与该端点垫，第二介电层具有形成于第一重分布层上的开口，第二晶粒则附着于第二介电层上。围绕第二晶粒的围绕材料具有对准此开口的第二穿孔结构，第三介电层形成于第二晶粒以及围绕材料上。第二重分布层形成于第三介电层上，并经由第二穿孔结构耦合至第二晶粒的结合垫以及端点垫，保护层则形成于第二重分布层上。
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