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公开(公告)号：CN111052328A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052694.X
申请日：2018-04-05
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供计量模块及工具中可应用的方法，其实现相对于工艺变化调整计量测量参数而不重启计量配方设置。方法包括：在初始计量配方设置期间，记录计量过程窗且从其导出基线信息；及在操作期间，相对于所述基线信息量化所述工艺变化，且相对于所述经量化工艺变化调整所述计量过程窗内的所述计量测量参数。计量参数的快速调整避免计量相关过程延迟且释放与所述延迟相关的现有技术瓶颈。各种工艺变化因素对计量测量的效应的模型可用于增强所需计量调谐的导出且实现其以最小延迟应用于生产过程。
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公开(公告)号：CN107078074A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060081.7
申请日：2015-11-24
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： T·马西安诺 , B·布尔戈尔茨 , E·古列维奇 , I·阿达姆 , Z·林登费尔德 , Z·赵 , Y·弗莱 , D·坎戴尔 , N·卡梅尔 , A·玛纳森 , N·阿米尔 , O·卡米斯开 , T·耶其夫 , O·萨哈兰 , M·库柏 , R·苏里马斯基 , T·里维安特 , N·夕拉 , B·埃弗拉蒂 , L·撒尔通 , A·汉德曼 , E·亚希渥 , O·巴沙尔
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G03F9/7003 , G03F7/70633 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供导出计量度量对配方参数的部分连续相依性、分析所述导出的相依性、根据所述分析来确定计量配方，及根据所述确定的配方来进行计量测量的方法。所述相依性可以景观(例如敏感度景观)的形式来进行分析，其中以分析方式、以数字方式或以实验方式检测具有低敏感度的区域，及/或具有低或零不准确度的点或轮廓，且用于配置测量、硬件及目标的参数，以实现高测量准确度。工艺变化是就其对所述敏感度景观的效应进行分析，且这些效应用于进一步特性化所述工艺变化，以优化所述测量且使所述计量对于不准确度源更稳健，且相对于晶片上的不同目标及可用测量条件更灵活。
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公开(公告)号：CN116936393B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310920074.6
申请日：2017-02-23
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： B·布林戈尔茨 , E·古列维奇 , I·阿达姆 , Y·弗莱 , D·阿鲁穆特 , Y·拉姆霍特 , N·夕拉 , Y·德莱乌 , T·耶其夫 , E·亚希渥 , L·撒尔通 , T·里维安特
Abstract: 本公开涉及光学计量的准确度提升。本发明提供提升计量测量的准确度的方法、计量模块及目标设计。方法提供对多个测量处方及设置的灵活处置且使得能够使所述多个测量处方及设置与指示其与谐振区域及平坦区域的关系的图谱特征相关。单独地或以组合方式采用对处方的群集化、自身一致性测试、对经汇总测量的共同处理、噪声降低、群集分析、对具有偏斜单元的图谱及目标的详细分析，以提供测量准确度的累积提升。
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公开(公告)号：CN108701625B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201780012673.0
申请日：2017-02-23
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： B·布林戈尔茨 , E·古列维奇 , I·阿达姆 , Y·弗莱 , D·阿鲁穆特 , Y·拉姆霍特 , N·夕拉 , Y·德莱乌 , T·耶其夫 , E·亚希渥 , L·撒尔通 , T·里维安特
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供提升计量测量的准确度的方法、计量模块及目标设计。方法提供对多个测量处方及设置的灵活处置且使得能够使所述多个测量处方及设置与指示其与谐振区域及平坦区域的关系的图谱特征相关。单独地或以组合方式采用对处方的群集化、自身一致性测试、对经汇总测量的共同处理、噪声降低、群集分析、对具有偏斜单元的图谱及目标的详细分析，以提供测量准确度的累积提升。
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公开(公告)号：CN107078074B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201580060081.7
申请日：2015-11-24
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： T·马西安诺 , B·布尔戈尔茨 , E·古列维奇 , I·阿达姆 , Z·林登费尔德 , Z·赵 , Y·弗莱 , D·坎戴尔 , N·卡梅尔 , A·玛纳森 , N·阿米尔 , O·卡米斯开 , T·耶其夫 , O·萨哈兰 , M·库柏 , R·苏里马斯基 , T·里维安特 , N·夕拉 , B·埃弗拉蒂 , L·撒尔通 , A·汉德曼 , E·亚希渥 , O·巴沙尔
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供导出计量度量对配方参数的部分连续相依性、分析所述导出的相依性、根据所述分析来确定计量配方，及根据所述确定的配方来进行计量测量的方法。所述相依性可以景观(例如敏感度景观)的形式来进行分析，其中以分析方式、以数字方式或以实验方式检测具有低敏感度的区域，及/或具有低或零不准确度的点或轮廓，且用于配置测量、硬件及目标的参数，以实现高测量准确度。工艺变化是就其对所述敏感度景观的效应进行分析，且这些效应用于进一步特性化所述工艺变化，以优化所述测量且使所述计量对于不准确度源更稳健，且相对于晶片上的不同目标及可用测量条件更灵活。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111801622A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201880090659.7
申请日：2018-09-03
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种在半导体晶片制造过程中确定图案中的OVL的方法包括从经形成于所述晶片中的至少两个不同层中的计量目标中的单元捕获图像，其中所述目标的部分相对于不同层中的对应部分在相反方向上偏移。可使用多个不同波长的辐射来捕获所述图像，每一图像包含+1及‑1衍射图案。通过从所述多个波长中的每一者的+1及‑1衍射级减去相对像素，可为每一图像中的相应像素确定第一差分信号及第二差分信号。可基于同时分析来自多个波长的所述差分信号来确定用于所述相应像素的OVL。接着可将用于所述图案的OVL确定为所述相应像素的所述OVL的加权平均值。所述加权可根据所述OVL对波长变化的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112698551B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202011580664.1
申请日：2015-11-24
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： T·马西安诺 , B·布尔戈尔茨 , E·古列维奇 , I·阿达姆 , Z·林登费尔德 , Z·赵 , Y·弗莱 , D·坎戴尔 , N·卡梅尔 , A·玛纳森 , N·阿米尔 , O·卡米斯开 , T·耶其夫 , O·萨哈兰 , M·库柏 , R·苏里马斯基 , T·里维安特 , N·夕拉 , B·埃弗拉蒂 , L·撒尔通 , A·汉德曼 , E·亚希渥 , O·巴沙尔
Abstract: 本申请实施例涉及分析及利用景观。本发明提供导出计量度量对配方参数的部分连续相依性、分析所述导出的相依性、根据所述分析来确定计量配方，及根据所述确定的配方来进行计量测量的方法。所述相依性可以景观(例如敏感度景观)的形式来进行分析，其中以分析方式、以数字方式或以实验方式检测具有低敏感度的区域，及/或具有低或零不准确度的点或轮廓，且用于配置测量、硬件及目标的参数，以实现高测量准确度。工艺变化是就其对所述敏感度景观的效应进行分析，且这些效应用于进一步特性化所述工艺变化，以优化所述测量且使所述计量对于不准确度源更稳健，且相对于晶片上的不同目标及可用测量条件更灵活。
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公开(公告)号：CN111801622B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201880090659.7
申请日：2018-09-03
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种在半导体晶片制造过程中确定图案中的OVL的方法包括从经形成于所述晶片中的至少两个不同层中的计量目标中的单元捕获图像，其中所述目标的部分相对于不同层中的对应部分在相反方向上偏移。可使用多个不同波长的辐射来捕获所述图像，每一图像包含+1及‑1衍射图案。通过从所述多个波长中的每一者的+1及‑1衍射级减去相对像素，可为每一图像中的相应像素确定第一差分信号及第二差分信号。可基于同时分析来自多个波长的所述差分信号来确定用于所述相应像素的OVL。接着可将用于所述图案的OVL确定为所述相应像素的所述OVL的加权平均值。所述加权可根据所述OVL对波长变化的灵敏度。
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公开(公告)号：CN111052328B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201880052694.X
申请日：2018-04-05
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供计量模块及工具中可应用的方法，其实现相对于工艺变化调整计量测量参数而不重启计量配方设置。方法包括：在初始计量配方设置期间，记录计量过程窗且从其导出基线信息；及在操作期间，相对于所述基线信息量化所述工艺变化，且相对于所述经量化工艺变化调整所述计量过程窗内的所述计量测量参数。计量参数的快速调整避免计量相关过程延迟且释放与所述延迟相关的现有技术瓶颈。各种工艺变化因素对计量测量的效应的模型可用于增强所需计量调谐的导出且实现其以最小延迟应用于生产过程。
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公开(公告)号：CN116936393A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310920074.6
申请日：2017-02-23
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： B·布林戈尔茨 , E·古列维奇 , I·阿达姆 , Y·弗莱 , D·阿鲁穆特 , Y·拉姆霍特 , N·夕拉 , Y·德莱乌 , T·耶其夫 , E·亚希渥 , L·撒尔通 , T·里维安特
Abstract: 本公开涉及光学计量的准确度提升。本发明提供提升计量测量的准确度的方法、计量模块及目标设计。方法提供对多个测量处方及设置的灵活处置且使得能够使所述多个测量处方及设置与指示其与谐振区域及平坦区域的关系的图谱特征相关。单独地或以组合方式采用对处方的群集化、自身一致性测试、对经汇总测量的共同处理、噪声降低、群集分析、对具有偏斜单元的图谱及目标的详细分析，以提供测量准确度的累积提升。
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