公开(公告)号：CN113924638B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN201980096802.8

申请日：2019-05-06

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： R·弗克维奇 ,  R·米洛 ,  L·叶鲁舍米 ,  M·查贝尔赤可 ,  Y·弗莱 ,  D·伊兹拉埃利

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于半导体装置晶片的制造中的偏移的测量的方法，所述方法包含：在第一例子测量半导体装置晶片的层之间的偏移且提供第一偏移指示；在第二例子测量半导体装置晶片的层之间的偏移且提供第二偏移指示；响应于所述第一偏移指示与所述第二偏移指示之间的差而提供偏移测量差输出；提供基线差输出；及改善所述偏移测量差输出与所述基线差输出之间的差。

公开(公告)号：CN113924638A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201980096802.8

申请日：2019-05-06

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： R·弗克维奇 ,  R·米洛 ,  L·叶鲁舍米 ,  M·查贝尔赤可 ,  Y·弗莱 ,  D·伊兹拉埃利

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于半导体装置晶片的制造中的偏移的测量的方法，所述方法包含：在第一例子测量半导体装置晶片的层之间的偏移且提供第一偏移指示；在第二例子测量半导体装置晶片的层之间的偏移且提供第二偏移指示；响应于所述第一偏移指示与所述第二偏移指示之间的差而提供偏移测量差输出；提供基线差输出；及改善所述偏移测量差输出与所述基线差输出之间的差。