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公开(公告)号：CN110291609A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201780086182.0
申请日：2017-12-18
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01J1/304
Abstract: 本发明揭示一种具有保护罩盖层的发射器，所述保护罩盖层位于所述发射器的外部表面上。所述发射器可具有100nm或更小的直径。所述保护罩盖层包含钌。钌是抗氧化及碳生长的。所述保护罩盖层还可具有相对较低的溅镀率以耐离子腐蚀。所述发射器可为具有电子束源的系统的部分。可将电场施加到所述发射器，且可从所述发射器产生电子束。可通过溅镀沉积、原子层沉积ALD或离子溅镀来将所述保护罩盖层施加到所述发射器。
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公开(公告)号：CN117098984B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202280017625.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明公开用于清洁覆盖检验系统的光学表面的系统。特定来说，公开用于投影成像系统中的临场式光化学清洁的光的光学路径耦合的系统。一种用于清洁覆盖检验系统的光学表面的系统包含第一照明源、检测器、一组照明光学器件及一组成像光学器件。在一些实施例中，所述系统可包含第二照明源及第三照明源中的至少一者，其中每一者可经配置以引起或协助从所述系统的一或多个光学表面移除污染物。
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公开(公告)号：CN107667411B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201680027869.2
申请日：2016-05-26
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明揭示一种电子源的电子提取器，其能够从接近于所述提取器的空腔吸收污染物材料。所述电子提取器包含主体。所述电子提取器的所述主体由一或多种不可蒸发吸气剂材料形成。所述一或多种不可蒸发吸气剂材料吸收容纳于接近于所述电子提取器的所述主体的区域内的一或多种污染物。所述电子提取器的所述主体进一步经配置以从接近于所述电子提取器的所述主体定位的一或多个发射器提取电子。
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公开(公告)号：CN114667473A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202080078120.7
申请日：2020-11-18
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于缓解由真空紫外(VUV)曝光对光学元件引起的损坏的系统。所述系统包含经配置以产生VUV的光源及容纳所选择的分压的一或多种气态氟基化合物的室。所述系统包含一或多个光学元件。所述一或多个光学元件定位于所述室内且暴露于所述一或多种气态氟基化合物。由所述光源产生的所述VUV光具有足以将所述室内的所述氟基化合物解离成初级产物的能量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109314026A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780034257.0
申请日：2017-06-20
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： W·G·舒尔茨 , G·德尔加多 , F·希尔 , E·加西亚(贝里奥斯) , R·加西亚
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J1/34 , H01J9/025 , H01J19/24 , H01J19/82 , H01J2201/30411 , H01J2201/30449 , H01J2201/30492 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种发射器，其含有金属硼化物材料，所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。可施加电场到所述发射器，且从所述发射器产生电子束。为形成所述发射器，从单晶棒移除材料以形成含有金属硼化物材料的发射器，其具有拥有1μm或更小的半径的圆形尖端。
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公开(公告)号：CN107667411A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201680027869.2
申请日：2016-05-26
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明揭示一种电子源的电子提取器，其能够从接近于所述提取器的空腔吸收污染物材料。所述电子提取器包含主体。所述电子提取器的所述主体由一或多种不可蒸发吸气剂材料形成。所述一或多种不可蒸发吸气剂材料吸收容纳于接近于所述电子提取器的所述主体的区域内的一或多种污染物。所述电子提取器的所述主体进一步经配置以从接近于所述电子提取器的所述主体定位的一或多个发射器提取电子。
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公开(公告)号：CN118263073A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311361910.8
申请日：2019-09-17
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01J37/073 , H01J37/28
Abstract: 本申请实施例涉及一种金属囊封光电阴极电子发射器。本发明揭示一种光电阴极结构，其可包含Cs2Te、CsKTe、CsI、CsBr、GaAs、GaN、InSb、CsKSb或金属中的一或多者，所述光电阴极结构在外表面上具有保护膜。所述保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金。所述保护膜可具有从1nm到10nm的厚度。所述光电阴极结构可用于如扫描电子显微镜的电子束工具中。
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公开(公告)号：CN114823250A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210487111.4
申请日：2017-06-20
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： W·G·舒尔茨 , G·德尔加多 , F·希尔 , E·加西亚(贝里奥斯) , R·加西亚
Abstract: 本申请实施例涉及用于真空环境的高亮度含硼电子束发射器。本发明涉及一种发射器，其含有金属硼化物材料，所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。可施加电场到所述发射器，且从所述发射器产生电子束。为形成所述发射器，从单晶棒移除材料以形成含有金属硼化物材料的发射器，其具有拥有1μm或更小的半径的圆形尖端。
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