公开(公告)号：CN118263073A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311361910.8

申请日：2019-09-17

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： G·德尔加多 ,  K·艾奥凯密迪 ,  F·希尔 ,  G·洛佩兹 ,  R·F·加西亚

IPC: H01J37/073 ,  H01J37/28

Abstract: 本申请实施例涉及一种金属囊封光电阴极电子发射器。本发明揭示一种光电阴极结构，其可包含Cs2Te、CsKTe、CsI、CsBr、GaAs、GaN、InSb、CsKSb或金属中的一或多者，所述光电阴极结构在外表面上具有保护膜。所述保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金。所述保护膜可具有从1nm到10nm的厚度。所述光电阴极结构可用于如扫描电子显微镜的电子束工具中。

公开(公告)号：CN112673448A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201980059591.0

申请日：2019-09-17

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： G·德尔加多 ,  K·艾奥凯密迪 ,  F·希尔 ,  G·洛佩兹 ,  R·F·加西亚

IPC: H01J1/304 ,  H01J1/32

Abstract: 本发明揭示一种光电阴极结构，其可包含Cs2Te、CsKTe、CsI、CsBr、GaAs、GaN、InSb、CsKSb或金属中的一或多者，所述光电阴极结构在外表面上具有保护膜。所述保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金。所述保护膜可具有从1nm到10nm的厚度。所述光电阴极结构可用于如扫描电子显微镜的电子束工具中。