公开(公告)号：CN110291609B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201780086182.0

申请日：2017-12-18

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： G·德尔加多 ,  E·加西亚 ,  R·加西亚 ,  F·希尔

IPC: H01J1/304

Abstract: 本发明揭示一种具有保护罩盖层的发射器，所述保护罩盖层位于所述发射器的外部表面上。所述发射器可具有100nm或更小的直径。所述保护罩盖层包含钌。钌是抗氧化及碳生长的。所述保护罩盖层还可具有相对较低的溅镀率以耐离子腐蚀。所述发射器可为具有电子束源的系统的部分。可将电场施加到所述发射器，且可从所述发射器产生电子束。可通过溅镀沉积、原子层沉积ALD或离子溅镀来将所述保护罩盖层施加到所述发射器。

公开(公告)号：CN110291609A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201780086182.0

申请日：2017-12-18

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： G·德尔加多 ,  E·加西亚 ,  R·加西亚 ,  F·希尔

IPC: H01J1/304

Abstract: 本发明揭示一种具有保护罩盖层的发射器，所述保护罩盖层位于所述发射器的外部表面上。所述发射器可具有100nm或更小的直径。所述保护罩盖层包含钌。钌是抗氧化及碳生长的。所述保护罩盖层还可具有相对较低的溅镀率以耐离子腐蚀。所述发射器可为具有电子束源的系统的部分。可将电场施加到所述发射器，且可从所述发射器产生电子束。可通过溅镀沉积、原子层沉积ALD或离子溅镀来将所述保护罩盖层施加到所述发射器。