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公开(公告)号：CN109314026A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780034257.0
申请日：2017-06-20
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： W·G·舒尔茨 , G·德尔加多 , F·希尔 , E·加西亚(贝里奥斯) , R·加西亚
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J1/34 , H01J9/025 , H01J19/24 , H01J19/82 , H01J2201/30411 , H01J2201/30449 , H01J2201/30492 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种发射器，其含有金属硼化物材料，所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。可施加电场到所述发射器，且从所述发射器产生电子束。为形成所述发射器，从单晶棒移除材料以形成含有金属硼化物材料的发射器，其具有拥有1μm或更小的半径的圆形尖端。
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公开(公告)号：CN101752157B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910252315.4
申请日：2009-12-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J1/304 , H01J1/3046 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30446 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明公开一种电子发射器件、显示板和信息显示系统。所述电子发射器件包括导电部件和导电部件上的硼化镧层，并且还在导电部件和硼化镧层之间包括氧化物层。所述氧化物层可包含镧元素。所述硼化镧层可上覆有氧化镧层。
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公开(公告)号：CN101752160A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910252313.5
申请日：2009-12-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J1/3044 , H01J1/3046 , H01J31/127 , H01J2201/30423 , H01J2201/30426 , H01J2201/30446 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0423 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明提供制造电子发射器件的方法和制造图像显示设备的方法。具体提供以下的方法：一种容易地制造电子发射器件的方法，所述电子发射器件涂覆有低功函数材料，以高的可再现性具有好的电子发射特性，使得电子发射器件之间的电子发射特性的差异降低。在用低功函数材料涂覆结构体之前，在该结构体上形成金属氧化物层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101452797A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710124827.3
申请日：2007-12-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30484 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2203/0272
Abstract: 一种场发射电子源，其包括：一绝缘基底；一阴极发射电极设置于该绝缘基底上，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于该阴极电极上；一隔离体设置于该绝缘基底上；以及一金属栅网设置在该隔离体上，且该金属栅网进一步延伸到阴极发射电极上方；其中，该隔离体与阴极电极间隔设置。一种场发射电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一绝缘基底；在上述绝缘基底上制备一阴极发射电极，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于其上；在绝缘基底上制备一隔离体预制体，并对该隔离体预制体进行曝光；在上述隔离体预制体上制作一金属栅网；以及除去上述隔离体预制体已经曝光部分，形成一隔离体与阴极电极间隔设置，从而得到一场发射电子源。
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公开(公告)号：CN102884605B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180017218.2
申请日：2011-04-04
Applicant: 光实验室瑞典股份公司
Inventor： 胡秋红
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
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公开(公告)号：CN101752157A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910252315.4
申请日：2009-12-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J1/304 , H01J1/3046 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30446 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明公开一种电子发射器件、显示板和信息显示系统。所述电子发射器件包括导电部件和导电部件上的硼化镧层，并且还在导电部件和硼化镧层之间包括氧化物层。所述氧化物层可包含镧元素。所述硼化镧层可上覆有氧化镧层。
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公开(公告)号：CN102884605A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180017218.2
申请日：2011-04-04
Applicant: 光实验室瑞典股份公司
Inventor： 胡秋红
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
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公开(公告)号：CN101452797B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200710124827.3
申请日：2007-12-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30484 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2203/0272
Abstract: 一种场发射电子源，其包括：一绝缘基底；一阴极发射电极设置于该绝缘基底上，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于该阴极电极上；一隔离体设置于该绝缘基底上；以及一金属栅网设置在该隔离体上，且该金属栅网进一步延伸到阴极发射电极上方；其中，该隔离体与阴极电极间隔设置。一种场发射电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一绝缘基底；在上述绝缘基底上制备一阴极发射电极，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于其上；在绝缘基底上制备一隔离体预制体，并对该隔离体预制体进行曝光；在上述隔离体预制体上制作一金属栅网；以及除去上述隔离体预制体已经曝光部分，形成一隔离体与阴极电极间隔设置，从而得到一场发射电子源。
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