公开(公告)号：CN112567285B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201980051251.3

申请日：2019-08-23

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： D·J·扎雷 ,  E·索托 ,  I-F·吴 ,  J·沃尔什 ,  K·麦克南 ,  J·阿姆斯特朗 ,  C·戴维斯 ,  G·罗斯 ,  D·卡瓦门 ,  B·布尔法因特 ,  A·埃萨尼

IPC: G02B27/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  G01N21/95

Abstract: 环绕光学组件的外壳可与蒸气源连接。所述蒸气源可以从500ppm到15000ppm的蒸气水平将蒸气提供到所述外壳。所述外壳中的蒸气浓度可增加所述外壳中的所述光学组件的寿命。

公开(公告)号：CN112567285A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201980051251.3

申请日：2019-08-23

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： D·J·扎雷 ,  E·索托 ,  I-F·吴 ,  J·沃尔什 ,  K·麦克南 ,  J·阿姆斯特朗 ,  C·戴维斯 ,  G·罗斯 ,  D·卡瓦门 ,  B·布尔法因特 ,  A·埃萨尼

IPC: G02B27/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  G01N21/95

Abstract: 环绕光学组件的外壳可与蒸气源连接。所述蒸气源可以从500ppm到15000ppm的蒸气水平将蒸气提供到所述外壳。所述外壳中的蒸气浓度可增加所述外壳中的所述光学组件的寿命。

公开(公告)号：CN107667411B

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201680027869.2

申请日：2016-05-26

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： W·舒尔茨 ,  G·德尔加多 ,  G·罗斯

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/29

Abstract: 本发明揭示一种电子源的电子提取器，其能够从接近于所述提取器的空腔吸收污染物材料。所述电子提取器包含主体。所述电子提取器的所述主体由一或多种不可蒸发吸气剂材料形成。所述一或多种不可蒸发吸气剂材料吸收容纳于接近于所述电子提取器的所述主体的区域内的一或多种污染物。所述电子提取器的所述主体进一步经配置以从接近于所述电子提取器的所述主体定位的一或多个发射器提取电子。

公开(公告)号：CN117581345A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280044912.1

申请日：2022-12-19

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 孙久龙 ,  蒋中伟 ,  A·埃萨尼 ,  G·罗斯 ,  B·泰勒

IPC: H01L21/67

Abstract: 为清洗例如光学系统或电子束系统的半导体制造设备中的组件，在腔室中加热组件。将超临界流体调配物施加到所述腔室中的所述组件，这移除分子及/或颗粒污染物。所述超临界流体调配物可包含二氧化碳、水、HCF、烷烃、烯烃、一氧化二氮、甲醇、乙醇或丙酮中的一或多者。

公开(公告)号：CN107667411A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201680027869.2

申请日：2016-05-26

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： W·舒尔茨 ,  G·德尔加多 ,  G·罗斯

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/29

Abstract: 本发明揭示一种电子源的电子提取器，其能够从接近于所述提取器的空腔吸收污染物材料。所述电子提取器包含主体。所述电子提取器的所述主体由一或多种不可蒸发吸气剂材料形成。所述一或多种不可蒸发吸气剂材料吸收容纳于接近于所述电子提取器的所述主体的区域内的一或多种污染物。所述电子提取器的所述主体进一步经配置以从接近于所述电子提取器的所述主体定位的一或多个发射器提取电子。