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公开(公告)号：CN114843354A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210422925.X
申请日：2022-04-21
IPC: H01L31/032 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/58 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种基于超薄CdS/ZTO双缓冲层的柔性CZTSSe太阳电池及其制备方法，该柔性CZTSSe太阳电池由衬底开始，自下而上依次设置柔性Mo箔衬底、CZTSSe吸收层、CdS/ZTO双缓冲层、ITO窗口层和Ag电极，所述CdS/ZTO双缓冲层由CdS缓冲层和ZTO缓冲层组成。该柔性CZTSSe太阳电池采用超薄CdS/ZTO双缓冲层，降低了器件中Cd的含量，高效环保。
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公开(公告)号：CN113097314A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110344754.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性硫化锑薄膜太阳能电池及其制备方法，所述的太阳能电池为底衬型结构，从衬底到表面分别为柔性钼箔衬底、硫化锑吸收层、CdS缓冲层、ZnO/ITO窗口层、金属电极。其中硫化锑吸收层薄膜通过将锑和硫单质溶解在前驱体溶液中，然后进行涂膜和退火获得。本发明开发出新的溶液法制备硫化锑薄膜，能够兼容柔性钼箔衬底，通过控制锑和硫的比例，降低薄膜中缺陷。本发明设计的新型底衬结构的柔性太阳能电池，提高太阳光的吸收利用，器件具有匹配的能带结构和高的柔性性能，可制作成柔性便携式产品；其制造成本低廉、绿色环保，满足了商业化的需求，具有较强的推广与应用价值。
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公开(公告)号：CN111554754A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010439637.6
申请日：2020-05-22
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18 , H01M4/58 , H01M4/66 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种硫化锑薄膜的快速制备方法，在真空腔室中，将衬底置于表层导热性能良好的基片架上，衬底的金属表面朝向下侧，将均布有硫化锑粉末的基底，即蒸发源置于基片架下侧，衬底与蒸发源之间距离为10~20 mm；通过温度控制进行硫化锑粉末蒸发和沉积，直接在所述衬底的金属表面上生长得到硫化锑薄膜，硫化锑薄膜生长速度大于1.2μm/min。该方法有利于快速、高效地制备得到高质量的硫化锑薄膜。
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公开(公告)号：CN118888629A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410921206.1
申请日：2024-07-10
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种硫化锑双面光电探测器及其制备方法，属于光电探测领域。所述光电探测器从衬底到表面分别为FTO衬底、硒化锑插入层、硫化锑吸光层、CdS缓冲层、ZnO/ITO窗口层、金属电极。双面光电探测器结构为玻璃/FTO/Sb2Se3/Sb2S3/CdS/ZnO/ITO/Ag其中硫化锑和硒化锑薄膜采用快速热蒸发法制备，引入硒化锑作为空穴传输层，有利于提高载流子分离的效率，实现良好的能带匹配。本发明制备的硫化锑薄膜双面光电探测器，可实现自供电并探测双面光照信号，识别区分光源波段与光强，可应用于定位探测。该探测器制备成本低廉、绿色环保，应用前景大。
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公开(公告)号：CN114843355A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210422926.4
申请日：2022-04-21
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种大面积CZTSSe太阳电池及其制备方法，该太阳电池沿入射光方向，依次包括Ag电极、ITO/CdS窗口层、CZTSSe吸收层和衬底，所述ITO/CdS窗口层由CdS层和ITO层组成；其制备方法包括：（1）清洗衬底，然后用去离子水冲洗干净并用氮气吹干，得到洁净的衬底；（2）在洁净的衬底上制备CZTSSe前驱体薄膜；采用高温硒化技术，硒化前驱体薄膜，得到结晶性良好的CZTSSe吸收层；（3）利用化学水浴沉积法和磁控溅射法，在CZTSSe吸收层上依次沉积CdS层和ITO层；（4）利用真空蒸镀技术在ITO层上沉积Ag电极。该太阳电池提高了大面积CZTSSe太阳电池器件的填充因子，进而提高了器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119816165A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510002013.0
申请日：2025-01-02
Abstract: 本发明涉及一种基于化学浴沉积法制备氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该电池从顶部到底部依次由Au电极、Spiro‑OMeTAD空穴传输层、钙钛矿吸光层、SnO2电子传输层和FTO衬底组成；利用柠檬酸与氧化锡之间的强烈作用将其代替传统工艺中作为络合剂的巯基乙酸TGA，并达到改善氧化锡界面的效果，使氧化锡层具有更好的电子传输能力。该太阳能电池提高了钙钛矿太阳能电池器件的开路电压，从而提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN119546031A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411680174.7
申请日：2024-11-22
Abstract: 本发明公开了一种银纳米线掺杂硫化锑薄膜提升太阳电池开路电压的方法，其中，吸收层为银纳米线掺杂的硫化锑薄膜，采用水热法制备。在水热沉积硫化锑薄膜过程中加入银纳米线，实现银纳米线调控离子反应，在退火结晶过程中实现硫化锑薄膜结晶和银掺杂。本发明开发出新的掺杂剂应用于硫化锑薄膜，能够适配水热沉积工艺，高温结晶过程下银纳米线发生熔融扩散，改善了硫化锑薄膜的结晶性；通过银纳米线的桥键作用实现CdS/Sb2S3异质结界面紧密接触，太阳电池开路电压得到明显的提升。银纳米线掺杂硫化锑太阳电池开路电压提升了40 mV以上，最高开路电压达到了805 mV。本发明方法材料新颖、操作简单，具有较大的应用价值和潜力。
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公开(公告)号：CN114843367A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210422431.1
申请日：2022-04-21
Abstract: 本发明涉及一种旋涂溶液回收装置及其应用，该装置由周部的圆环形侧壁和底部的半圆环体构成，所述半圆环体的外径部分与圆环形侧壁底部连接在一起，所述半圆环体的中空圆直径大于匀胶机的旋涂仪直径，以匹配匀胶机，回收制备膜层过程中被甩出的溶液；所述半圆环体的外侧部设有排液结构，以排出回收的溶液。该装置及其应用有利于减少旋涂制膜过程产生的废液带来的环境污染及材料浪费，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN112490332B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011502106.3
申请日：2020-12-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种柔性双阳离子掺杂的CZTSSe太阳电池界面钝化方法，其特征在于，在CZTSSe/CdS异质结界面形成Li掺杂，实现晶界处纳米电场反转，钝化异质结界面缺陷，抑制载流子复合；在CZTSSe/Mo背接触界面形成Ge掺杂，实现能带调控，钝化背接触界面缺陷，抑制电子流向背接触界面，减小界面复合。该方法不仅有利于提高电池的光电转换效率，而且工艺简单、成本低廉、绿色环保，满足了大规模批量生产与商业化的需求，制备的柔性CZTSSe太阳电池可安装在非平面平台上，具有较强的推广与应用价值。
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公开(公告)号：CN114156363A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111140053.X
申请日：2021-09-28
Abstract: 本发明涉及一种硫化锑光电晶体管及其制备方法，所述光电晶体管自下而上依次包括衬底、吸光PN结和表面金属电极，所述衬底包括重掺杂Si栅极和设于其上的SiO2层，所述吸光PN结包括N型TiO2层和设于其上的P型Sb2S3吸光层，所述表面金属电极为源、漏金属电极。该光电晶体管有利于利用栅极电压调控光、电信号，而且结构简单，制造成本低。
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