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公开(公告)号：CN119654035A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411835914.X
申请日：2024-12-13
Abstract: 本发明提供了一种宽带隙籽晶层实现高效载流子输运硒化锑太阳电池的方法。本发明通过在CdS/Sb2Se3异质结界面处引入宽带隙Sb2(S,Se)3籽晶层来辅助Sb2Se3纳米带的垂直生长，并在异质结界面处引入S元素，拓宽异质结界面带隙，从而有效抑制了异质结界面反应。相比于目前广泛采用的Sb2S3和Sb2Se3种子层，Sb2(S,Se)3种子层更有利于兼顾取向和界面带隙匹配，从而促进器件载流子输运的同时增大器件的开路电压。
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公开(公告)号：CN114843355B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210422926.4
申请日：2022-04-21
Abstract: 本发明涉及一种大面积CZTSSe太阳电池及其制备方法，该太阳电池沿入射光方向，依次包括Ag电极、ITO/CdS窗口层、CZTSSe吸收层和衬底，所述ITO/CdS窗口层由CdS层和ITO层组成；其制备方法包括：（1）清洗衬底，然后用去离子水冲洗干净并用氮气吹干，得到洁净的衬底；（2）在洁净的衬底上制备CZTSSe前驱体薄膜；采用高温硒化技术，硒化前驱体薄膜，得到结晶性良好的CZTSSe吸收层；（3）利用化学水浴沉积法和磁控溅射法，在CZTSSe吸收层上依次沉积CdS层和ITO层；（4）利用真空蒸镀技术在ITO层上沉积Ag电极。该太阳电池提高了大面积CZTSSe太阳电池器件的填充因子，进而提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN114156363B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111140053.X
申请日：2021-09-28
Abstract: 本发明涉及一种硫化锑光电晶体管及其制备方法，所述光电晶体管自下而上依次包括衬底、吸光PN结和表面金属电极，所述衬底包括重掺杂Si栅极和设于其上的SiO2层，所述吸光PN结包括N型TiO2层和设于其上的P型Sb2S3吸光层，所述表面金属电极为源、漏金属电极。该光电晶体管有利于利用栅极电压调控光、电信号，而且结构简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN119816165A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510002013.0
申请日：2025-01-02
Abstract: 本发明涉及一种基于化学浴沉积法制备氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该电池从顶部到底部依次由Au电极、Spiro‑OMeTAD空穴传输层、钙钛矿吸光层、SnO2电子传输层和FTO衬底组成；利用柠檬酸与氧化锡之间的强烈作用将其代替传统工艺中作为络合剂的巯基乙酸TGA，并达到改善氧化锡界面的效果，使氧化锡层具有更好的电子传输能力。该太阳能电池提高了钙钛矿太阳能电池器件的开路电压，从而提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN119546031A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411680174.7
申请日：2024-11-22
Abstract: 本发明公开了一种银纳米线掺杂硫化锑薄膜提升太阳电池开路电压的方法，其中，吸收层为银纳米线掺杂的硫化锑薄膜，采用水热法制备。在水热沉积硫化锑薄膜过程中加入银纳米线，实现银纳米线调控离子反应，在退火结晶过程中实现硫化锑薄膜结晶和银掺杂。本发明开发出新的掺杂剂应用于硫化锑薄膜，能够适配水热沉积工艺，高温结晶过程下银纳米线发生熔融扩散，改善了硫化锑薄膜的结晶性；通过银纳米线的桥键作用实现CdS/Sb2S3异质结界面紧密接触，太阳电池开路电压得到明显的提升。银纳米线掺杂硫化锑太阳电池开路电压提升了40 mV以上，最高开路电压达到了805 mV。本发明方法材料新颖、操作简单，具有较大的应用价值和潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114843367A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210422431.1
申请日：2022-04-21
Abstract: 本发明涉及一种旋涂溶液回收装置及其应用，该装置由周部的圆环形侧壁和底部的半圆环体构成，所述半圆环体的外径部分与圆环形侧壁底部连接在一起，所述半圆环体的中空圆直径大于匀胶机的旋涂仪直径，以匹配匀胶机，回收制备膜层过程中被甩出的溶液；所述半圆环体的外侧部设有排液结构，以排出回收的溶液。该装置及其应用有利于减少旋涂制膜过程产生的废液带来的环境污染及材料浪费，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114156363A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111140053.X
申请日：2021-09-28
Abstract: 本发明涉及一种硫化锑光电晶体管及其制备方法，所述光电晶体管自下而上依次包括衬底、吸光PN结和表面金属电极，所述衬底包括重掺杂Si栅极和设于其上的SiO2层，所述吸光PN结包括N型TiO2层和设于其上的P型Sb2S3吸光层，所述表面金属电极为源、漏金属电极。该光电晶体管有利于利用栅极电压调控光、电信号，而且结构简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN119630168A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411886655.3
申请日：2024-12-20
Abstract: 本发明涉及一种应用于室内光伏的双异质结构2D钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该太阳电池沿入射光方向，依次包括ITO衬底、MeO‑2PACz空穴传输层、2D钙钛矿双异质结构吸收层、PC61BM电子传输层和Ag电极，所述2D钙钛矿双异质结构由DJ型和RP型钙钛矿组成。电子传输层的界面处还修饰了BCP层。本发明的制备方法可以在原始DJ型2D钙钛矿层表面形成一层新型RP型2D钙钛矿结构，有效减少了2D钙钛矿的界面缺陷，进而提高2D钙钛矿器件在室内光条件下的光伏性能。
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公开(公告)号：CN119730448A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411822330.9
申请日：2024-12-11
Abstract: 本发明提出一种氧掺杂CZTSSe/CdS异质结缺陷态钝化方法；通过在CZTSSe/CdS异质结区形成氧掺杂，抑制结内的载流子复合，实现膜层和界面缺陷态的钝化；掺杂的氧原子占据CdS膜中的硫空位点，钝化VS缺陷，降低电荷复合；氧掺杂提高CdS薄膜的费米能级位置，实现CZTSSe/CdS界面处良好的能带对准，提高电荷的输运能力；本发明操作简单有效，成本低，不仅有利于提高CZTSSe太阳能电池性能，而且满足大规模批量生产的要求，具有较强的推广意义。
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公开(公告)号：CN114843355A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210422926.4
申请日：2022-04-21
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种大面积CZTSSe太阳电池及其制备方法，该太阳电池沿入射光方向，依次包括Ag电极、ITO/CdS窗口层、CZTSSe吸收层和衬底，所述ITO/CdS窗口层由CdS层和ITO层组成；其制备方法包括：（1）清洗衬底，然后用去离子水冲洗干净并用氮气吹干，得到洁净的衬底；（2）在洁净的衬底上制备CZTSSe前驱体薄膜；采用高温硒化技术，硒化前驱体薄膜，得到结晶性良好的CZTSSe吸收层；（3）利用化学水浴沉积法和磁控溅射法，在CZTSSe吸收层上依次沉积CdS层和ITO层；（4）利用真空蒸镀技术在ITO层上沉积Ag电极。该太阳电池提高了大面积CZTSSe太阳电池器件的填充因子，进而提高了器件性能。
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