公开(公告)号：CN114843355B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202210422926.4

申请日：2022-04-21

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 程树英 ,  孙全震 ,  邓辉 ,  谢暐昊 ,  李一凡

IPC: H10F77/12 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明涉及一种大面积CZTSSe太阳电池及其制备方法，该太阳电池沿入射光方向，依次包括Ag电极、ITO/CdS窗口层、CZTSSe吸收层和衬底，所述ITO/CdS窗口层由CdS层和ITO层组成；其制备方法包括：（1）清洗衬底，然后用去离子水冲洗干净并用氮气吹干，得到洁净的衬底；（2）在洁净的衬底上制备CZTSSe前驱体薄膜；采用高温硒化技术，硒化前驱体薄膜，得到结晶性良好的CZTSSe吸收层；（3）利用化学水浴沉积法和磁控溅射法，在CZTSSe吸收层上依次沉积CdS层和ITO层；（4）利用真空蒸镀技术在ITO层上沉积Ag电极。该太阳电池提高了大面积CZTSSe太阳电池器件的填充因子，进而提高了器件性能。

公开(公告)号：CN114843355A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210422926.4

申请日：2022-04-21

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 程树英 ,  孙全震 ,  邓辉 ,  谢暐昊 ,  李一凡

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种大面积CZTSSe太阳电池及其制备方法，该太阳电池沿入射光方向，依次包括Ag电极、ITO/CdS窗口层、CZTSSe吸收层和衬底，所述ITO/CdS窗口层由CdS层和ITO层组成；其制备方法包括：（1）清洗衬底，然后用去离子水冲洗干净并用氮气吹干，得到洁净的衬底；（2）在洁净的衬底上制备CZTSSe前驱体薄膜；采用高温硒化技术，硒化前驱体薄膜，得到结晶性良好的CZTSSe吸收层；（3）利用化学水浴沉积法和磁控溅射法，在CZTSSe吸收层上依次沉积CdS层和ITO层；（4）利用真空蒸镀技术在ITO层上沉积Ag电极。该太阳电池提高了大面积CZTSSe太阳电池器件的填充因子，进而提高了器件性能。

公开(公告)号：CN2236508Y

公开(公告)日：1996-10-02

申请号：CN95244147.0

申请日：1995-06-04

Applicant: 福州大学自动化研究所

Inventor： 李一凡 ,  施士荣

IPC: E03B1/04

Abstract: 交替顶压置换式给水装置，其特征是它至少由左右两个气压水罐及各自的进排气管道及电磁阀和进出水管道构成一交替循环给水装置，其中，每个气压水罐底端通过各自的进水管道与水源连接，又设有排水管道对外供水，气压水罐的顶部各设有带电磁阀的进气管与气源连接，还设有带电磁阀的排气管道。本实用新型以交替循环的形式对外连续供水，与现有技术比较，能成倍提高供水能力，大幅度缩小气压水罐体积，具有重量轻，体积小，便于吊装运输，适用面广等优点。